沙尘/北大/讲座

最近受北京大学的邀请，我跟同学们做了一次有意思的交流。那天恰好是刮沙尘暴的那一天，早上起来一看窗外以为到了外星球。到处都蒙着一层黄土，一景一物好像换了个样子。     

AI/W/TiN/AI及AI/W/TiW/AI结构特性研究

本文研究了H_2还原WF_6在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上LPCVD生长钨膜的特性。测量和分析了Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构的接触电阻和界面特性,研究了两种结构的热稳定性。结果表明,H_2还原WF_6可以在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上实现选择性钨淀积,钨膜质量较好。Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构接触电阻率为10~(-?)Ωcm~2量级,远低于难熔金属硅化物同硅的欧姆接触电阻率。两种结构的热稳定性良好。采用TiN或TiW作为Al和W之间的隔离层,CVD-W填充互连层连通孔可以满足多层金属平坦化互连技术的要求。     

GSM/TD-SCDMA/TD-LTE/WLAN网络协同优化

目前2G网络不堪重负,而TD-SCDMA网络相对轻载,WLAN无法给用户带来无间断的宽带数据业务保障,TD-LTE网络尚处于规模试验阶段。对此,文章从四网协同的背景入手,分析了GSM、TD-SCDMA、WLAN和TD-LTE四网协同优化的措施与效果。     

VT1080/2080/3080S/VT1080/VT2080/3080C:肖特基整流器

Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrenchMOS势垒肖特基整流器.这些整流器采用4种功率封装,具有10A～30A的电流额定范围. 该件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C.每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装.     

SiNx/SiOxNy叠层结构防潮能力的研究

研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺参数对SiN_x及SiO_xN_y防潮能力的影响,并测试了SiN_x/SiO_xN_y叠层薄膜的水汽渗透速率(WVTR)。实验结果表明:单层SiN_x薄膜和SiO_xN_y薄膜都存在临界厚度,当膜厚大于临界值时,继续增大厚度不会明显改善薄膜的WVTR。当沉积温度从50℃提高到250℃,SiN_x薄膜的WVTR从0.031g/(m²·day)降至0.010g/(m²·day)。SiO_xN_y沉积时,增大N₂O通入量对薄膜的WVTR影响不明显,但可以有效改善薄膜的弯曲性能。最后,4个SiN_x/SiO_xN_y叠层膜的WVTR下降到了4.4×10-4g/(m²·day)。叠层膜防潮能力的显著提升归因于叠层结构可以有效解耦层与层之间的缺陷,延长水汽渗透路径。     

不同电解质对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2/AC超级电容器性能的影响

在以LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2为正极,活性炭(AC)为负极的混合型锂离子超级电容器体系中,研究以LiBF4和Et4NBF4的不同配比混合为溶质的乙腈(Acetonitrile,AN)电解液对超级电容器性能的影响。结果表明,随着电解液中Et4NBF4与LiBF4的比值的增大,LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2/AC体系超级电容器的线性放电区间逐渐变窄,循环性能逐渐变差。其中采用1 mol/L的LiBF4/AN为电解液的超级电容器的综合性能较好,其线性放电区间为0~2.7 V,倍率性能也较好,最大比功率达到23 600 W/kg,经3 000次循环后容量保持率为93.2%。     

433/868/915MHz FSK/ASK/OOK无线收发器RF2945

RF2945是RFMicroDevices公司生产的一种单片射频收发芯片,利用该芯片可在433/868/915MHzISM频段进行FSK/ASK/OOK调制和解调。由于RF2945射频收发芯片内含射频发射、射频接收、PLL合成和FSK调制/解调等电路,因而可用于接收和发送数字信号。文中介绍了RF2945的结构原理和主要特性 ,同时给出了RF2945收发器的典型应用电路和使用注意事项     

M21450/330/351/352/443／483：信号调节器

Mindspeed科技公司推出新款低功耗电缆和背板均衡器,进一步扩大了其信号调节器阵容。Mindspeed的新型2、4、8和12通道信号调节器的工作速度达8．5Gbps,设计用于在最具挑战l生的环境中实现千兆位级串行数据的传输。