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（Ba1—xSrx）TiO3薄膜的制备及性能的研究 总被引：10，自引：0，他引：10
选用Ba(C2H3O2)2、Sr(C2H3O2)2.1/2H2O和Ti（OC4H9）4为原材料,冰醋酸为催化剂,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶－凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上成功地制备出钙钛型结构的（Ba1-xSrx)TiO3薄膜。该薄膜是制备铁电动态随机存储器、微波电容和非致冷红外焦平面阵列的优选材料;分析了薄膜的结构;测试了薄膜的介电和铁电性能。在室温10kHz下,（Ba0.73Sr0.27)TiO3薄膜介电系数和损耗分别为300和0．03。在室温1kHz下,（Ba0.95Sr0.05)TiO3薄膜剩余极化强度的矫顽场分别为3μC／cm^2和50kV/cm。 相似文献
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众所周知，钻石具有许多令人兴奋的性质。它是迄今所知最硬的材料，具有极高的热导率，宽阔的光学透明度，其强度也是其他物质无法匹敌的。然而，天然钻石的稀少和高成本阻碍了它在某些潜在领域的应用，这本来可从其独特的性质获益的。近二十年来，低压环境下钻石的化学气相沉积（CVD）技术已开发出，采用这一技术可在各种材料镀上厚薄不同的钻石膜，或产生独立的钻石膜和片。现在已可得到用CVD法生长的高光学透明．度的钻石片，其直径超过迄今发现的最大天然钻石。采用这一技术已开发出钻石镀膜机具及半导体钻石电子线路。最近的估算表… 相似文献
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摘要：本文利用MOCVD方法在（0001）取向的蓝宝石衬底上实现了不同生长温度条件下的InGaN薄膜的制备。通过改变生长温度实现了InGaN薄膜中In组分可控。通过XRD、SEM、AFM等测量手段研究了生长温度和组分、形貌、缺陷等性质的关系。对比SEM和AFM形貌图像提出并探讨了3种缺陷坑（大V型坑,In-rich坑和热腐蚀坑）模型以及形成机制。通过研究不同生长温度的InGaN薄膜样品,发现较高生长温度对InGaN薄膜形貌质量和缺陷控制有至关重要的作用。 相似文献
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利用溶胶－凝胶法制备了［Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］铁电薄膜。利用ＤＴＡ－ＴＧ，ＸＲＤ和ＳＥＭ研究了［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］凝胶的分解、晶化过程［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］薄膜的显微形貌。为了获得致密无龟裂的［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］薄膜，应使用具有适当粘度的前体溶胶，这是通过控制其浓度和水解度来获得的。 相似文献
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用金属有机化合物制备铁电薄膜：工艺及进展 总被引：4，自引：3，他引：1
本文概述了以金属有机化合物为原料制备铁电薄膜的工艺过程、特点，以及最新研究进展；着重介绍了金属有机物化学气相沉积，金属有机物热分解，以及溶胶一凝胶三种制备技术在铁电薄膜制备领域中的应用。 相似文献
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本文介绍国内外低压合成金刚石薄膜中对衬底表面预处理的几种典型的工艺方法；探讨衬底表面预处理对低压下合成金刚石薄膜的影响。 相似文献
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