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用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下,腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23mA(激光器腔长为200μm,CW,13℃)。激射波长为1.48μm,最高输出功率达18.8mW(L=200μm.CW,18℃)。脉冲输出峰值功率大于50mW(脉冲宽度1μs、频率1kHz),未见功率饱和。量子阱的阱宽为20nm[1]. 相似文献
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采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同1.31μmAlGaInAs/InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时,管芯最大输出功率超过50mW,阈值电流范围在13-20mA之间,发光面斜效率高于0.45mW/mA,边模抑制比超过35dB,室温中值寿命大于3*10^5小时。 相似文献
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利用MBE生长的GaAAlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相一次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器,经腔面多功能摹一器件已稳定工作4500多小时。 相似文献
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本文介绍了台湾用一塌信的光电器件近期的开发两头及研究成果。其中包括高性能1.55μm复耦合InGaAsP-InP分布反馈和1.3μm无致冷AlInGaAs-InP激光器,半绝缘衬底的InGaAs-InPp-i-n光探测器,0.98μmInGaAs-GsAs-InGaP泵浦激光器以及12信道的激光器和探测阵列。 相似文献
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本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的1.3μmInGaAsP/InP脊形波导(RWG)结构的激光器。用有源区向上的装架方式,在25℃时,激光器最小连续波(CW)阈值电流为23mA,且均匀性较好;最大单面光电转换效率为0.18mW/mA;在65℃的环境温度下其最大发射功率仍大于10mW;用标准单模光纤耦合,25℃下阈值电流为20mA的入纤光功率大于1.5mW。 相似文献
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本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 相似文献
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本文分析了非对称大光腔结构在提高GaAlAs/GaAs激光器输出光功率方面的优越性。计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数。在上述分析的基础上,研制了非对称大光腔(A-LOC)GaAlAs/GaAs激光器,其未涂覆输出光功率达85mW以上,这一结果与理论计算基本符合。 相似文献
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GaInNAs是一种直接带隙半导体材料,在长彼长(1.30和 1.55μm)光通信系统 中具有广阔的应用前景.通过调节 In和 N的组分,既可获得应变 GaInNAs外延材料,也可制 备GaInNAs与GaAs匹配的异质结构,其波长覆盖范围为0.9-N2.0μm.GaInNAs/GaAs 量子阱激光器的特征温度为 200 K,远大于现行 GaInNAsP/InP激光器的特征温度(T0=50 K). GaInNAs光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义.由于GaInNAs和具有高反射率(高达99%)AI(Ga)As/GaAs的分布布拉格 反射镜(DBR)可生长在同-GaAs衬底上,因此它是长波长(1.30和 1.55 μm)垂直腔面 发射激光器(VCSEL)的理想材料.垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件. GaAs基的超高速集成电路(IC)已有相当成熟的工艺.如果 GaInNAs-VCSEL 与 GaAs-IC相结合,将使光电集成电路(OEIC)开拓出崭新的局面.本文还报道我们课题 组研制高质量 GaNAs/GaAs超晶格和大应变 InGaAs/GaAs量子阱结构取 相似文献
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报道了一种大功率无衬底N-GaAlAs/P-GaAs:Si单异质结红光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器在50mA工作电流下,输出功率典型值7.5mW,最大功率11mW。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(2)
在InP衬底上用通常的晶格匹配(y=0.53)和晶格失配(y>0.53)In_(0.53)Al_0.48As/In_yGa_(1-y)As层结构同时制作p-沟和n-沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)。获得1μm栅长e型p-沟HIGFET,其阈值电压约0.66V,夹断尖锐,栅二极管开启电压0.9V,室温时非本征跨导>20mS/mm。相邻的(互补的)n-小沟HIGFET也显示e型工作(阈值V_th=0.16V),低的漏电,0.9V栅开启电压和高跨导(gm>320mS/mm)。这是首次报道在InP衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的p_和n-沟HIGFET。 相似文献
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报道了一种大功率无衬底N-GaAlAs/P-GaAs:Si单异质结红外发光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器件在50mA工作电流下,输出功率典型值7.5mW,最大功率11mW。 相似文献
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介绍了采用栅长为0.15μm的钝化In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InPHEMT的高效W波段功率单片微波集成电路(MMIC)。0.15×320μm单级InP功率HEMTMMIC放大器在94GHz时的最大功率附加效率为23%,输出功率为40mW,功率增益为4.9dB。当电源偏置成更高的输出功率时,在94GHz处可得到功率附加效率为20%的54mW的输出功率。这些结果表明,在此频率下,这样的效率和输出功率是迄今为止所有报道中最佳的。 相似文献