基于2ED020I12-F2的IGBT驱动电路设计

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路的设计是保证系统可靠运行的重要环节。文中基于英飞凌的磁隔离驱动芯片2ED020I12-F2进行IGBT驱动电路的设计,对2ED020I12-F2的工作过程进行了分析,研究了芯片对IGBT的开通关断及过压过流保护等的工作原理。并运用2ED020I12-F2及其他器件设计了带有变压器隔离与自给电源功能的IGBT驱动电路,且通过实际试验证明了驱动电路设计的正确性与可靠性。     

两种典型拓扑功率驱动电路的介绍

本文介绍了两种典型拓扑的功率驱动电路,一种为半桥功率驱动器IR2114/IR2214,另一种为单通道隔离驱动器1ED020I12FTA.     

大功率IGBT驱动模块2ED300的特性及其应用

针对大功率IGBT的驱动问题,详细介绍了一种大功率IGBT专用驱动模块2ED300的内部结构、参数设置及性能特点。以驱动800A/1200V的IGBT为例,设计了2ED300在直接模式下的外围应用电路。并对应用中需要注意的关键问题进行了分析和讨论,最后给出了实际的驱动波形。     

落木源电子IGBT驱动产品前三季度业绩喜人

正国内IGBT驱动领域代表性厂家——落木源电子近日宣布,公司2014财年前三季度的产品销售量及营收均超过先前预计水平。据悉,落木源IGBT驱动类产品主要分为IGBT驱动IC、IGBT驱动板、驱动电源,仅1GBT驱动IC就已累计销售超过一百万片,客户遍及国内各种工业领域,特别是在大功率电源、     

面向小功率驱动应用的新型SOI驱动器和SmartPACK／Smart PIM模块

本文基于SOI技术,开发了一款新型的600V/0.3A 6-pack IGBT/MOSFET驱动器芯片.此款名为6ED003L06-F的芯片集成了三相电平转换、门极驱动和电路保护等诸多特性，在缩小芯片尺寸的同时也提高了性能，例如抗反相瞬态电压的鲁棒性等。另外，本文还利用该SOI驱动芯片开发了SmartPACK/SmartPIM系列新型IPM模块，该模块在一块基于DCB层的底板上集成了SOI驱动器，600V IGBT3和自举功能，并且无须支承板。这种IPM可对应6A-12A的额定电流，同时具有结构紧凑、成本低廉、操作简单等优点，适用于各类小功率驱动特别是消费类驱动应用。     

镁合金微弧氧化电源驱动电路的可靠性分析

微弧氧化是一种新型的表面处理方法,利用该电路可输出双端不对称的高压脉冲,且脉冲幅值、频率、占空比均在一定范围内连续可调。本文首先介绍了微弧氧化电源技术的发展现状,然后对试验中使用过的几种IGBT驱动模块M57959、2ED300、2SD315 3种驱动电路的结构、工作原理和使用性能做了详细分析对比。实验表明,Eupec系列的2ED300驱动电路结构简单,可靠性高,适用于大功率微弧氧化电源的驱动。     

基于IR22141的IGBT驱动及保护电路设计

IGBT的驱动电路是应用IGBT开关管的关键技术,一个性能好的驱动电路不仅能够有效地驱动IGBT,而且能够可靠地保护IGBT。本文介绍了一种基于IR22141芯片的大功率IGBT驱动及保护电路的设计以及运用。     

影响IGBT驱动电路性能参数的因素分析

分析了桥式电路中IGBT的动态开关过程以及IGBT的栅极、发射极和集电极的分布电感与其他分布参数的综合作用对IGBT驱动电路的影响,并且通过实验验证了理论分析的正确性,最后指出了IGBT驱动电路设计时的注意事项。     

IGBT驱动电路

本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路,设计了一种基于光耦HCPL-316J的IGBT驱动电路.实验证明该电路具有良好的驱动及保护能力.     

IGBT在无汞平面光源驱动电源中的应用

本文对绝缘栅双极晶体管（IGBT）在无汞平面光源驱动电源中的应用可行性进行了分析。同时对IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能进行了比较,对IGBT在无汞平面光源中应用的可行性进行了分析。结果表明IGBT在大电流应用场合更具优越性,同时IGBT的温度特性优于MOSFET,采用IGBT可以简化电路结构。基于上述分析,设计了一组采用IGBT的12寸无汞平面光源的驱动电源,实验结果表明采用IGBT可以简化电路结构,降低电路成本。     

关于IG BT启动电流大的分析与研究

在电磁炉工作启动瞬间,由于是在硬开关下开始启动的,故开通启动电流非常大,有时可达100A以上,而目前电磁炉行业常使用的IGBT—H20R1203规格最大脉冲电流只能允许60A。过大的启动电流是烧坏IGBT的因素之一,通过研究IGBT的特性,改变IGBT驱动电源,可有效降低IGBT启动电流,实践验证,将IGBT驱动电压由18V改成12V,IGBT检锅时,IGBT CE电流可降低18A左右,启动电流降至规格要求附近。     

基于驱动元件2QD30A17K-I的变频控制系统研制

针对目前广泛使用的电机驱动运行过程中功率因数和效率较低及IGBT驱动电路复杂且保护功能不尽完善的问题,设计了一种基于驱动元件2QD30A17K—I和TMS320F2812高性能DSP的变频控制装置。采用恒压频比控制策略利用空间矢量PWM算法对电机输入电压和频率进行最优控制,从而实现完善驱动电路和提高电机的功率因数和效率的目的。本文完成了30kW变频器样机的制造及试验,试验结果表明在提高功率因数和效率方面达到显著效果,从而达到节能的目的。     

IGBT模块驱动及保护技术

对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻及IGBT的驱动电路进行了探讨。给出了过电流保护及换相过电压吸收的有效方法。     

在线研讨会——与最新的产品发展、解决方案和技术更新同步

利用智能栅极驱动光耦解决设计难题时间:2012-12-6绝缘栅极晶体管(IGBT)及其功率模块一直是太阳能逆变器、马达驱动和不间断电源(UPS)等大功率工业应用的首选开关器件,因而需要栅极驱动电路来提供优化驱动和保护功能。最近飞兆半导体开发出一款具有优化成本、高可靠性的IGBT驱动光耦产品     

IGBT的栅驱动设计

IGBT是一种新型的电压控制型电力半导体器件,伴随太阳能、风能、汽车电子等新能源时代的到来,IGBT在现代电力电子技术起着核心作用,而IGBT的栅驱动设计是IGBT的应用首要前提,本文研究IGBT栅驱动电压,驱动功率和驱动电阻的设计,以及通过试验证明不同驱动电阻的驱动条件下对IGBT应用的影响。     

EXB841在驱动中频IGBT半桥电路中的应用

文章介绍了一种用于中频感应加热的IGBT电路设计原理和过程,并利用Matlab仿真来辅助电路设计。采用EXB841作为IGBT的驱动模块,且驱动信号脉宽可调。通过IGBT半桥式串联谐振实现大功率输出,仿真结果和实验结果均令人满意。     

大功率IGBT驱动技术的现状与发展

本文介绍了大功率IGBT驱动保护电路的种类及功能。同时对IGBT驱动保护技术的发展方向进行了展望。     

多路输出IGBT驱动电路的设计

介绍了大功率IGBT的驱动原理及工作特性,设计了一种高可靠可维护具有四路驱动信号输出的高电压大功率IGBT驱动电路,给出了电路的原理图和关键参数设计原理及相关波形。     

IGBT驱动保护电路的改良设计

在实际应用电力电子技术过程中,绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动保护电路的合理设计应根据具体器件的特性,选择合适的参数,使之实现最优驱动和有效可靠的保护.文中针对具体工程,对IGBT驱动保护电路的难点进行了分析,采用连续调节IGBT保护整定值的办法实现精确检测及使用延时判断电路用以判断真假过流的设计思想,对常用的IGBT驱动保护电路进行改进,克服了在使用中无过流自锁功能、过流保护的阈值过高、无法对真假过流进行判断的缺陷,获得令人满意的实验结果,已安全应用于有源电力滤波器装置中.     

大功率IGBT驱动模块2SD315的应用关键问题分析

针对大功率IGBT的驱动问题,介绍了一种大功率IGBT专用驱动模块2SD315的内部结构、参数设置及使用特点。以驱动800A／1200V的IGBT为例,给出了2SD315在直接模式下的外围应用电路,并对应用中需要注意的关键问题进行了分析和讨论,同时给出了实际的驱动波形。