导通孔填充镀铜技术

概述了导通孔填充镀铜技术的应用和工艺条件,贯通孔填充和Si贯通电极（TSV）填充等其它的填充镀铜技术和今后的展望。     

电镀铜导通孔填充工艺

概述了MacDermid利用电镀铜微盲导通孔填充工艺,可以防止焊接时的孔隙,洞生成和组装时的释气(爆孔),显著的改善了微盲导通孔填充的可靠性。     

导通孔填充简介

文章介绍了导通孔的电镀填充的几种影响因素，重点介绍了电镀液中的添加剂的作用及其对填孔效果的影响。     

采用电镀铜充填盲导通孔工艺

概述了采用电镀铜充填盲导通孔的积层板制造工艺,可以在短时间内完全填充盲导通孔内部,不含残留空隙, 可以获得高导电性和高可靠性的填充盲导通孔。     

贯通导通孔填充用导电性Cu胶

概述了填孔用导电性Cu胶和贯通导通孔填充工艺,可以制造具有高可靠性和高散热性的高密度PWB。     

全自动导通孔填充制程

主要介绍导通孔填充制程的另一种替代方法,即用封闭头网板印刷的细节,也称封闭式整体印刷方法。     

导通孔和通孔填孔镀用的CuSO4电镀工艺“Cu-BRITE TFⅡ”

概述了CuSO4电镀工艺＂CU-BRITE TFⅡ＂的开发和特性,适用于镀铜层填充导通孔和贯通孔。     

电镀铜填充微通孔的关键因素研究

随着5G技术的发展,数据传输带宽要求更高,电子元件的功率更大,因此带来封装体的散热负担更重。采用电镀铜填充微通孔在封装载板内形成铜柱阵列散热通道,是一种提高芯片散热效率的常用方式。而在没有优化的电流密度、对流强度和添加剂等各因素条件下电镀微通孔很容易在孔内留下空洞,造成可靠性问题,因此研究各种因素对电镀填孔的影响意义重大。文章通过建立电镀铜填充微通孔的数理模型,并采用多物理场耦合方法分析了微通孔填充的过程和边界条件,得出通孔内电流密度分布情况,实现了对填孔过程的实时模拟。使用电化学工作站对不同种类的添加剂进行恒电流和循环伏安测试,得到不同对流强度下各种类添加剂电化学特性;分析了不同添加剂在孔内调控铜沉积的作用,并给出各添加剂在微通孔处的极化/去极化作用模型。最后,通过哈林槽中测试板电镀研究了电流密度、对流强度、添加剂种类和浓度等重要因素对通孔填充过程的影响和作用,优化出满足工业生产需求的配方及其工艺条件     

硅通孔电镀铜填充工艺优化研究

研究了孔径40μm的硅通孔铜电镀填充工艺,通过改善电镀工艺条件使得孔径40μm、孔深180μm的硅通孔得以填充满。首先,在种子层覆盖以及电镀液相同条件下通过改变电镀电流密度,研究不同电流密度对于铜填充的影响,确定优化电流密度为1ASD(ASD:平均电流密度)。之后,在相同电流密度下,详细分析了超声清洗、去离子水冲洗以及真空预处理等电镀前处理工艺对铜填充的影响。实验表明,采用真空预处理方法能够有效的将硅通孔内气泡排出获得良好的铜填充。最终铜填充率在电流密度为1ASD、真空预处理条件下接近100%。     

微通孔填充的电镀铜工艺

电子设备的不断轻便化和功能增长的发展趋势推动PCB板朝小型化及线路密度增加的方向发展。传统的过孔（through hole)与导通孔（via）互连的多层PCB板并不是满足这些密度要求的实用解决方法。这促使高密度互连？（HDI）如顺序积层法技术等颠倒是非代方式的引进，同时对微通孔应用的需求也在快速增长，预计这种趋势会不断持续。     

下一代电子电路板用CuSO_4填充镀技术

概述了下一代电子电路板填充用的CuSO4电镀技术。（1）盲导通孔填充,（2）贯通孔填充,（3）半导体用的凸块和（4）TSV填充。     

利用镀液组成改善镀层厚度均匀性

概述了利用CuSO4镀液组成控制PCB的贯通孔镀层均匀性和导通孔填充镀层均匀性。     

高密度互连印制板电镀填盲孔技术

主要介绍了电镀填盲孔的过程机理和影响填孔效果的因素,重点探讨了电镀设备、电镀参数、添加剂等对电镀填孔效果的影响,突出讲解了电镀填盲孔技术的控制重点和难点等内容。     

垂直电镀线盲孔填充技术探究

电镀填盲孔工艺由于其特殊性,对设备的要求较高,行业内大多采用VCP、水平电镀线等先进的设备来完成。但该类设备造价昂贵、普及率较低,造成其推广应用十分受限。文章主要介绍一种通过对传统垂直电镀线进行一定的改造,并对相关项目进行有效控制,从而达到了较好填充效果。     

Investigations regarding Through Silicon Via filling for 3D integration by Periodic Pulse Reverse plating with and without additives

In this contribution we show experimental investigations regarding Periodic Pulse Reverse (PPR) plating for the filling of Through Silicon Vias that are aimed for the use in 3D integration applications. The purpose of this method is to prevent the use of plating additives that induce high process complexity in terms of process control and high process costs due to the high consumption of those additives. We therefore compare the effect of PPR plating without additives to that effect of PPR plating with additives. In first results with non-optimized PPR plating we already show the large gain in step coverage during TSV filling compared to standard DC plating.     

IC封装基板的新一代过孔互连技术

文章主要介绍封装基板芯板通孔的电镀填孔技术及其特点。     

填孔电镀品质可靠性的研究和探讨

填孔电镀是满足PCB高密度化、更小化、更便宜的一种重要途径,随着电子行业和PCB行业的高速发展,填孔电镀的需求量增长迅速,填孔电镀的应用也日广泛,填孔电镀的生产难度也相应增加。填孔电镀是一种新工艺流程,相对普通电镀铜而言,其反应机理复杂,过程控制更难监控,品质可靠性低。本文主要讲述填孔电镀反应机理,并通过DOE试验来探讨如何提升填孔电镀工艺能力和品质可靠性。     

Bottom-up filling optimization for efficient TSV metallization

As conventional 2D scaling of microelectronic devices shows limitations, 3D chip stacking is clearly identified as a solution for performance gain at lower cost in applications such as image sensors, stacked memories, high performance processor-memory assemblies and advanced system in package (SiP) leading to heterogeneous integration. In that respect, Through Silicon Via (TSV) technology is one on the key process step to enable new interconnection schemes. Metallization of TSV structures is currently attracting a lot of attention due to the multiple technical challenges associated with this new technology [K. Kondo, T. Yonezawa, D. Mikami, T. Okubo, Y. Taguchi, K. Takahashi, D.P. Barkey, J. Electrochem. Soc. 152 (2005) H173; O. Lühn, C. Van Hoof, W. Ruythooren, J.-P. Celis, Electrochim. Acta 2007, doi:10.1016/j.electacta.2008.04.002]. Copper electrodeposition has soon been identified as a technique of choice for such connections based on the widely acceptance of copper as wiring material for submicronic interconnections [T.P. Moffat, D. Wheeler, M. Edelstein, D. Josell, IBM J. Res. Dev. 49 (2005) 19; J. Reid, Jpn. J. Appl. Phys. - Part 1 40 (2001) 2650]. However, the specificity of TSV structures, combining both high aspect-ratios and via depth ranging from tenth to several hundred microns, implies the development of new deposition methodologies and chemistries. In particular, the mode of action of organic additives (accelerator, suppressor and leveller) promoting the so-called “bottom-up filling” can be greatly affected by mass transportation and convection effects associated with large volumes TSV vias compared to Damascene structures.Here we present a study aiming at optimizing the accelerator concentration in the plating bath in order to maximise the copper deposition rate while preserving a reduced overburden at the via mouth. Cyclic voltammetry data correlated with filling experiments conducted on 150 μm vias with an aspect-ratio of 2, will be presented in order to better understand the relationship between chemical composition and process efficiency in such TSV structures.     

任意层互连技术应用研究

任意层互连技术是目前高密度互连印制电路板领域新的工艺技术,通过微孔来实任意层与层之间的连接。本文主要介绍了任意层互连技术的应用进展,分析了电镀、导电膏及铜凸块三种微孔互连技术,同时,描述了各任意层互连方法的工艺技术流程,并对其进行了对比分析。