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采用电子回旋共振-微波等离子体化学气相沉积技术,使用CH4和N2混合气作为反应气体,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳(a—C:H(N))薄膜。紫外Raman光谱证实了薄膜的类金刚石特性;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在CH和CN键结构。采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的微观表面形貌,结果表明薄膜表面光滑。论文详细叙述了薄膜制备工艺,对测试结果进行了分析讨论,也对这种薄膜在微电子机械系统中的潜在应用进行了探讨。 相似文献
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永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 总被引:4,自引:0,他引:4
研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统.通过同轴开口电介质空腔产生表面波,利用高磁能积Nd-Fe-B磁钢块的合理分布形成高强磁场,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体.进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究.6英寸片内膜厚均匀性优于95%,沉积速率高于100 nm/min,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低. 相似文献
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利用高等离子体密度、高电子温度和高离化率的ECR微波等离子体增强二极溅射、磁控溅射反应沉积金属氮化物薄膜。实验结果表明,ECR微波等离子体具有降低薄膜沉积温度,提高薄膜沉积速率和改善薄膜质量的作用。特别是采用基片施加脉冲负偏压的ECR微波等离子体源离子增强反应磁控溅射沉积技术,设备成本低,工艺方法简单,可获得与离子束增强沉积相近的对薄膜结构和特性的改性作用,可制备高质量金属氮化物薄膜。 相似文献
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介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺。讨论了DECRPECVD工艺中气相O/Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法,对所镀SiO2薄膜的各种理化特性进行了分析和研究。在此基础上,还采用准静态I-U和高、低频C-U技术对优化工艺后的SiO2薄膜进行了电学性能测试,并在最后给出了采用DECRSiO2的薄膜晶体管的特性曲线。 相似文献
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微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石薄膜的研究情况,重点论述了该法的制备工艺对金刚石薄膜质量的影响及其制备金刚石薄膜的应用前景。 相似文献
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新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置 总被引:8,自引:2,他引:6
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积,在国内首次研制成功了5kW带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式MPCVD装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。 相似文献
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采用B3N3H6-N2混合气体为原料,余辉微波等离子体增强化学气相沉积BN薄膜,漫反射富氏变换红外光谱分析表明,在550℃沉积温度下,1Cr18Ni9Ti基片上获得了低含氢量的c-BN和少量h-BN相的混合薄膜。薄膜Knoop硬度值为20.8GPa。划痕试验法测定薄膜的附着性,临界载荷为8.1N。 相似文献
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本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展,重点评述了反应机理,发展历史,沉积方法,补底材料,检测手段,论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。 相似文献
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甄汉生 《真空科学与技术学报》1993,(2)
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。 相似文献
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基于微波电子回旋共振(ECR)等离子体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化,采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况,并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系起来。实验结果表明,通过对ECR等离子体进行阻抗特性分析,可以在不对其产生干扰的情况下了解其性质的变化。阻抗特性分析为ECR等离子体的机理研究提供了一种新的诊断途径,有利于ECR等离子体工艺的推广和应用。 相似文献
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本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。 相似文献
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本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场强下的漏电流为8.9×10-6A/cm2,且场强达到2.5 MV/cm时,未发生击穿现象,具有较优越的绝缘性能.因此,采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数SiCOH薄膜. 相似文献