Ag掺杂对Bi2(Te0.95Se0.05)3薄膜热电功率因子的影响

采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的Ag掺杂Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜.利用X射线衍射(XRD)技术对薄膜的物相结构进行表征,采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征.Ag的掺杂浓度为0....     

金属化膜电容器电极边缘电场畸变研究北大核心CSCD

金属化膜电容器因其自愈特性可在高电场强度下工作,但电极边缘的电场畸变导致的电极退化会使电容量下降,对电极边缘处的电场畸变程度的评估可为电容器的结构设计提供支撑。文中基于三结合点附近电场分布特点,提出了一种评估电极边缘电场畸变程度的新方法,以T型金属化膜电容器为计算模型,对有限元得到的电极附近电场的数值解,采用电场分布的理论解析式进行拟合,拟合优度在99%以上,定义拟合系数为电场畸变系数来评估电场畸变程度,并得到电极厚度、薄膜厚度和分割间隙对电场畸变程度的影响规律:电场畸变系数随电极厚度的减小呈幂函数形式增大,随薄膜厚度和分割间隙的减小呈幂函数形式减小,同时根据多参数关系式可准确预估电场畸变系数。     

自动发电控制振荡中元件与控制环节的阻尼特性分析

电力系统中的有功频率控制过程包含一次调频环节和自动发电控制(AGC)环节,频率振荡中与AGC环节强相关的振荡被称为AGC振荡。为研究不同的有功频率控制过程对于AGC振荡的阻尼贡献,将阻尼转矩法应用到AGC振荡分析中,提出AGC振荡中的机械功率阻尼转矩系数的计算方法,在单机单负荷系统中阻尼转矩系数可通过传统的将特征值代入传递函数的方式得到,但传统方法在多区多机系统中不适用。为此,提出了利用模态计算阻尼转矩系数的方法,推导了阻尼转矩系数与AGC模式稳定性的关系。结果表明,阻尼转矩系数为正时,机械功率为系统提供正阻尼,相反则提供负阻尼,且验证了阻尼转矩法在AGC振荡中的适用性。将阻尼转矩系数分解到各有功频率调节过程中,结果显示在AGC振荡中,由于AGC环节的相位滞后较大,而一次调频环节的相位滞后较小,故AGC环节整体上提供的阻尼转矩系数容易为负,而一次调频环节整体上提供的阻尼转矩系数容易为正。但具体到单台机组中,AGC环节和一次调频环节提供的阻尼转矩系数皆既可能为正,也可能为负。最后,利用阻尼转矩法分析了部分参数对于AGC振荡的影响。     

磁控溅射Fe/Bi_(0.8)La_(0.2)FeO_3薄膜的交换偏置特性

利用磁控溅射法在单晶Sr Ti O3(001)基片上外延生长多铁Bi0.8La0.2Fe O3(BLFO)薄膜,研究了Fe/BLFO双层膜平面内的交换偏置和矫顽力特性受单层Fe膜厚度的影响。研究表明,在所研究的温度范围内,BLFO薄膜具有纯钙钛矿结构的单向(001)特性,基片温度为680℃时沉积的薄膜具有优异的生长取向。随Fe层厚度的增加,薄膜的偏置场平缓增大,在Fe层厚度为10 nm时具有最大值32 Oe,继续增加Fe层厚度,其交换偏置场迅速减小,然而矫顽力随Fe层的增厚持续增大。交换偏置场随Fe层厚度的变化规律可能与磁畴结构的变化有关。     

退火对Fe_(80)Pt_(20)薄膜结构和磁性的影响

用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备厚度为100 nm的Fe80Pt20薄膜,研究了退火对其结构和磁性的影响。随着退火温度的升高,观察到了Fe80Pt20薄膜从fcc相到可能的hcp相的相变。并且,当退火温度高于653 K时,薄膜的饱和磁化强度和矫顽力都发生显著的变化。不同温度退火薄膜的饱和磁化强度与温度的关系曲线也表明了这一相变。     

压紧系数计算公式探讨(上)——公式的建立

根据压紧系数的概念,本文引入聚丙烯薄膜增厚率和电容器浸渍后的层间间隙两个参数,推导出适用于电容器各种固体介质系统压紧系数的通用计算公式,提出选取浸渍后最佳层间间隙并由此间隙确定压紧系数的建议,以保证设计质量和产品性能。同时指出,由于聚丙烯薄膜厚度在浸渍前后的变化,引起压紧系数、层间间隙在浸渍前后也发生变化,而全纸介质则无此情况。     

锁相环对虚拟同步机惯量阻尼特性的影响机理研究

针对锁相环影响虚拟同步发电机惯量、阻尼特性的问题,基于锁相环动态特性,重新对使用锁相环的虚拟同步机建立数学模型,能够更加精确地描述虚拟同步机的惯量、阻尼特性。基于该模型,研究了锁相环对虚拟同步机惯量、阻尼特性的影响机理,并且据此给出了考虑锁相环动态时,虚拟同步机的等效惯性时间常数、阻尼系数相对于预设参数变化数量的计算方法,并在时域、频域验证了计算的准确性;最后在PSCAD/EMTDC中搭建相应的仿真模型,验证了考虑锁相环的虚拟同步机系统模型建立的准确性。     

同步发电机的动态阻尼力矩分析

根据由李亚普诺夫定理导出的综合阻尼系数的原理，统一定义了同步发电机的动态阻尼力矩系数和动态同步力矩系数。对同步发电机的阻尼力矩产生的机理进行了分析，并指出了使电力系统稳定装置产生阻尼力矩的同时，不致减少动态同步力矩的理论方向。     

膜厚对FeCoAlON薄膜的静态与动态磁性的影响

采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积了不同氮分压和不同厚度的(Fe70.6Co29.4)88.2Al11.8-ON薄膜,研究了膜厚对5%氮分压沉积的薄膜静态与动态磁性的影响。当FeCoAlON薄膜的厚度较小时,薄膜表现出面内单轴磁各向异性,当薄膜厚度增加到210 nm时,薄膜出现了条形畴。动态磁性研究显示,对于面内单轴磁各向异性以及条形畴结构的FeCoAlON薄膜,都表现出优异的高频响应。特别地,对于具有条形畴结构的FeCoAlON薄膜,其磁谱曲线表现为多峰共振的特点。     

异步化汽轮发电机和PSS装置阻尼特性的比较研究

建立了加装PSS并考虑等效阻尼绕组作用的同步汽轮发电机单机无穷大系统线性化数学模型;同时建立了双通道励磁控制策略下异步化汽轮发电机在同步旋转X-Y轴系下的单机无穷大系统线性化数学模型。利用所建模型,对加装PSS后同步汽轮发电机的阻尼特性与采用双通道励磁控制策略的异步化汽轮发电机进行了分析和比较。通过比较,揭示了加装PSS后同步汽轮发电机阻尼特性得到改善的原因,分析了异步化汽轮发电机阻尼特性与励磁控制系数的关系,指出异步化汽轮发电机的同步转矩系数和阻尼转矩系数与发电机运行状态无关,明确异步化汽轮发电机在提高电力系统稳定性方面比PSS装置更具优势。     

厚度对磁控溅射CoPt永磁薄膜磁性能的影响

CoPt永磁薄膜有较高的剩磁和矫顽力,通常用作磁传感器中的磁偏置或者微机电系统(MEMS)中的磁制动部件。CoPt薄膜多采用磁控溅射或离子束沉积工艺制备。采用磁控溅射制备了不同厚度CoPt/Cr薄膜。结果显示,CoPt薄膜矫顽力随薄膜厚度增加而降低;薄膜较厚时(大于400?),剩磁随薄膜的厚度增加而降低。这主要是因为CoPt薄膜具有密集六方结构,其自然生长为(002)面,具有垂直各向异性。由于Cr缓冲层存在,CoPt薄膜较薄时沿(1010)面生长,从而具有面内各向异性;但随薄膜厚度的增加,薄膜会沿(002)生长从而具有垂直各向异性,导致薄膜磁性能降低。     

Sm-Co/α-Fe双层膜和多层膜磁反转的微磁学模拟

采用微磁学模拟软件OOMMF,详细研究了软/硬磁层总厚度不变,结构的变化对Sm-Co/α-Fe薄膜磁性能和磁反转过程的影响。结果显示,从双层膜变化到多层膜的过程中,不同的结构具有不同的磁性能和磁反转过程;当结构优化为Sm-Co(7.5 nm)/α-Fe(2.5 nm)/Sm-Co(5 nm)/α-Fe(2.5 nm)/Sm-Co(7.5 nm)多层膜时,最大磁能积和矫顽力相比Sm-Co(20 nm)/α-Fe(5 nm)双层膜大幅度提高,分别为1015.44 k J/m3和μ0Hc=1.891T。此结论对高性能交换耦合类磁性薄膜的研究具有一定的指导意义。     

磁场溅射+磁场退火对Ce_9Fe_(91)薄膜高频软磁性能的优化

为了研究磁场溅射和磁场退火对材料磁性能的影响,用磁控溅射制备了几组CeFe薄膜,分别为衬底不加磁场的样品(No)和溅射时衬底加磁场的样品(FS),No和FS样品在外部磁场作用下分别在260℃、360℃热退火处理得到的样品。通过比较磁滞回线和高频磁谱,发现No样品磁退火之后各项性能几乎没变化。而磁场溅射的样品矫顽力更大,面内单轴各向异性场也更大,共振频率变化不大。磁场溅射之后再磁场退火显著地降低了CeFe薄膜的矫顽力,增大饱和磁化强度,增高共振频率。因此最有效的方法是同时利用磁场溅射和磁场退火来提高CeFe薄膜的软磁特性和高频截止频率。     

溅射功率对CoFeB薄膜磁与结构特性的影响

以不同功率溅射制备了CoFeB合金薄膜样品并在高真空下退火处理。发现低功率生长的薄膜始终具有磁各向同性,而高功率生长的薄膜随着退火温度的升高,由起始的单轴磁各向异性逐渐向磁各向同性转变。X射线衍射分析也印证了CoFeB薄膜随退火温度的升高,薄膜由非晶态逐渐向结晶态转变。当退火温度高于400℃时,低功率生长的CoFeB样品的矫顽力大于高功率生长薄膜的矫顽力。同时发现低功率生长的CoFeB的(110)峰值高于高功率生长的样品峰值,表明低功率生长的薄膜晶粒尺寸更大。     

制备条件对Fe-Ta-N薄膜的结构和软磁性能的影响

应用射频磁控溅射法制备了Fe-Ta-N薄膜,系统地研究了制备工艺地Fe-Ta-N薄膜结构和软磁性能的影响,首先,制备了不同钽含量的薄膜,发现（Fe89.5Ta10.5）-N薄膜具有很好的软磁性能,氮分压P（N2）=5%时,矫顽力获得最小值,Hc=14A/m。此时,样品呈现纳米晶结构,晶粒尺寸D≤10∧-8m,并且,钽掺杂能抑制铁氮化合物的生成,使薄膜在高氮分压范围内具有高的饱和磁化强度,Ms=1242kA/m。其次,考察了热处理对（F89.5Ta10.5）-N薄膜结构和磁性能的影响,P(N2）=5%时,沉积态薄膜为非晶结构,矫顽力很大;在热处理过程中,薄膜逐渐晶化,400℃热处理后,晶化度达到40%,形成纳米晶结构,矫顽力迅速减小,最后,比较了不同溅射功率和总气压对（Fe89.5Ta10.5）-N薄膜结构和磁性能的影响,发现薄膜可在较大的溅射功率和总气压范围内保持优异的软磁性能,是非常适于工业生产的薄膜磁头材料。     

厚度对M型钡铁氧体薄膜结构及磁性能的影响

采用射频(RF)磁控溅射法在蓝宝石基片上制备M型钡铁氧体(Ba M)薄膜,研究了薄膜厚度对Ba M铁氧体薄膜的结构及磁性能影响。结果显示,样品的衍射峰全部为Ba M薄膜的(00l)衍射峰,表明样品都具有良好的c轴取向性。显微结构分析结果表明,在膜厚为40~90nm范围内,薄膜样品表面主要为c轴取向的片状晶粒,未出现c轴随机取向的针状晶粒;当样品厚度增加至140nm时,出现了较明显的针状晶粒;随着薄膜厚度进一步增加到190nm时,样品表面出现了大量c轴随机取向的针状晶粒,且部分针状晶粒长度达到了μm级。磁性能测试结果显示,随着薄膜厚度的增加,薄膜样品饱和磁化强度降低,垂直膜面方向矫顽力和剩磁比减小,膜厚40~90nm范围的薄膜在垂直膜面方向获得了最大剩磁比和矫顽力,表现出较好的磁晶各向异性。     

乙二胺四乙酸含量对M型钡铁氧体薄膜磁性能和微波性能的影响

采用有机金属裂解法在Pt/TiO2/SiO2/Si基板上制备M型钡铁氧体(Ba M)薄膜,并着重研究了螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA)含量对Ba M薄膜结构、磁性和微波性能的影响。研究发现,当EDTA∶(Ba2++Fe3+)=1(摩尔比)时,Ba M薄膜形成较多的六角形状晶粒,而且磁性能和微波性能较佳,沿c轴生长的取向度高达0.91,饱和磁化强度Ms为302k A/m(μ0Ms=0.38T),在50GHz时铁磁共振线宽ΔH为22k A/m(277Oe)。这是因为适量的EDTA不仅在溶液挥发时能够阻止金属离子的分离和间歇性的沉淀,并且能够促进成形成均匀的前驱液,从而在前驱液分解时能促进形成Ba M,在经过热处理后易形成沿c轴取向、具有六角形状晶粒的Ba M薄膜。     

热处理对溅射FeSiAl膜结构及磁性的影响

在真空度１０＾－２Ｐａ以上的条件下对溅射ＦｅＳｉＡｌ膜进行了两小时真空退火热处理。发现样品的相结合并未因此而改变，但热处理过程中的晶粒长大和应力消除明显改善了溅射膜的软磁性能。     

脉冲激光沉积(PLD)法制备NiZn铁氧体多晶薄膜研究

采用脉冲激光沉积（PLD）法分别在硅和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜。实验表明：基片温度、氧气压以及热处理对薄膜的沉积速率、磁性能有很大影响。