从含锗烟尘中富集提取锗的工艺研究

近年来随着开采的含锗矿石品位下降，生产的含锗烟尘品位降低，导致氯化精馏提锗过程的试剂消耗量增加、环保压力加大。以云南临沧某厂生产的含锗烟尘为研究对象，通过还原挥发、循环浸出、中和沉淀等工序对其中的锗进行富集。采用X射线衍射仪和原子吸收光谱仪分析了原料以及产物的物相组成和元素含量，分析了富集过程各因素对锗富集率的影响。结果表明，适合于工业化生产的最佳工艺参数为：焙烧温度1 100℃、还原剂量12.5%、试剂浓度20%、水浴温度80℃、溶液酸碱度pH=3以及沉淀剂量20倍。在上述优化工艺条件下，含锗烟尘经过还原挥发、循环浸出、中和沉淀工艺流程后，锗品位由0.97%提升到28.56%,富集倍数达到29.4倍，锗回收率达到96.49%。采用本工艺从含锗烟尘中提取锗是可行的，且具有锗回收率高，环境污染小，流程较短，成本较低等优点。     

提高锗精矿质量

低锗单宁锗采用"盐酸+盐浸出脱杂—三段水逆流洗涤—煅烧"工艺可以明显提高锗精矿的品质。在液固比(4.0～4.5)∶1、浸出脱杂温度40～60℃、浸出脱杂时间120～180min时,杂质Ca、Pb、Zn和Fe脱除率分别约为90%、95%、92%和80%,脱杂单宁锗中含Ge约4%,产率约45%。煅烧产率约15%,Ge收率>95%,煅烧锗精矿含Ge约27%。     

全差示光度法联测锗富集物中锗硅

试验在同一份处理好的试样中,采用低温蒸干排除锗的干扰,比色测定硅;采用全差示光度法测定锗,该方法适应于锗富集物中硅0.5%～10.0%、锗1.0%～40%含量范围的测定.     

酸洗净化丹宁锗制取高品位锗精矿的技术探讨

介绍了用含锗废渣综合回收锗铟锌等的工艺流程和用稀硫酸溶液洗涤丹宁锗,降低其中的锌、硫、砷、铟等杂质含量和焙烧制取含锗24%～30%的锗精矿的方法。     

从含锗氧化锌烟尘中提取锌锗

以氧化锌烟尘为原料、硫酸为浸出剂,研究了含锗氧化锌烟尘的浸出过程。最佳工艺条件为:烟尘用量50g、硫酸用量20mL、反应温度80℃、反应时间2h、液固比41,在该条件下,锌、锗的浸出率分别为89.12%和89.75%。将浸出液的pH调至2.5,在沉淀温度60℃,搅拌时间30min的条件下,采用浸出液中锗量40倍的单宁酸进行沉锗,锗的沉淀率达97.2%,得到含锗0.809%的单宁渣,该沉淀渣在600℃灼烧1h后得到品位为14.55%的锗精矿。沉锗后液可返回锌生产。     

从含锗废料中回收锗

目前,大部分锗是从加工铅锌精矿和含锗煤过程中作为副产品回收的。工艺复杂,能耗高、消耗资金也多。随着锗器件、锗制剂等的发展,从不同含锗废料中回收锗的问题和方法已引起重视。本文综述了目前从四种含锗废料(生产锗、制取半导体器件,锗光导纤维和锗制剂)中回收锗的方法,具体的方法应视废料含锗品位和被污染情况而定。但不管用什么方法处理都需制成四氯化锗后,再按加工锗精矿的各工艺,最后生产出锗锭或单晶锗.从不同废料中回收锗,一般工艺简单、既能降低锗产品的成本,又能提高企业的经济效益,因而,具有重要的现实意义。     

微生物从煤中浸出锗的基础热力学

微生物浸出褐煤中锗包括两个步骤；（1）用微生物分解褐煤中的腐植酸锗络合物；（2）从褐煤上解吸锗，从反应热和吸附热，平衡吸附常数等方面研究了微生物浸出褐煤中锗的热力学基础，测定了腐植酸锗络合物的分解热为328-761KJ/mol，吸附热力24-53KJ/mol。测定了煤对锗的吸附平衡常数，用微生物直接浸出褐煤的锗回收率可达85%，比其它方法的回收率60%高。     

锗渣中锗的测定——碘酸钾容量法

文章采用氢氧化钠碱熔试样，经硫酸中和后，在1＋1盐酸介质中蒸馏分离锗，使大部分干扰元素经蒸馏分离，并在1＋1盐酸介质中用碘酸钾容量法滴定锗。该法滴定终点明显，准确率高。标准回收率为95．52％～105．78％，变异系数为3．18％～4．42％。适用于锗渣中高含量的锗的测定分析。     

精馏塔回收锗的生产实践

阐述了精馏塔富集高价值金属锗的生产实践。通过真空蒸馏处理富锗B#锌,锗在锌精炼系统中的回收率由40%提高到60%。     

提高锗综合回收过程产品质量研究

本文论述了锗综合回收技术现状，并详细阐述了经典法单宁沉锗灼烧回收锗技术过程影响产品质量的因素，以及从单宁沉锗、单宁渣洗涤、入料水分、粒度、灼烧温度等方面进行了措施研究。     

氧化锗及金属锗的制取

介绍将已经富集的含锗物料用湿法冶炼高效制取氧化锗的一些重要的化学反应,从不同品位的含锗富集物料中提取氧化锗的工艺流程,并简述各工艺流程的特点.同时介绍制取高纯氧化锗和金属锗的工艺流程.     

The brittle-to-ductile transition in germanium

The brittle-to-ductile transition in precracked germanium crystals has been studied experimentally. Germanium undergoes a “smooth” brittle-ductile transition, where the stress to fracture rises steadily with temperature, associated with dislocation activity around the crack front at temperatures well below the transition temperature. The variation in transition temperature with strain rate yields an activation energy of 1.54 eV, suggesting, as in silicon, that dislocation mobility controls the brittle-ductile transition. Modelling of the experiments, using a computer simulation of the shielding effect of an evolving crack tip dislocation array, fits best with a small distance (∼0.1–0.5 μm) between the dislocation sources at the crack tip. This corresponds to the experimental observation that the dislocations reach the crack during the early stages of the tests and multiply along the crack front to form many crack tip sources.