融合微电脑技术的智能型光电器件测试仪

一种将先进的微电脑技术融合于传统的测量方法中而生产出的新型智能测试仪器——光开关、光耦合器件测试仪由苏州新区力通设备成套公司开发研制成功。该仪器主要可以解决采用晶体管输出结构的光开关、光耦合器,反向击穿电压、反伺截止电流、饱和压降、正向电压、反向电流     

砷化镓双异质结高速开关晶体管

本文描述了NpN GaAs双异质结双极型晶体管的设计和制作工艺。给出和分析了这种晶体管的直流特性和开关特性。饱和压降小、开关速度快、能双向运用是这种晶体管的三个主要特点,文章对三种GaAs开关晶体管的优缺点进行了对比和分析。分析的结果表明,对高速开关双极晶体管来说NpN-GaAs双异质结晶体管是最理想的。     

在线座谈

在这里我们将介绍恩智浦的1)低饱和压降三极管(BISS),包括单管,双管,高压管,三代BISS管,低饱和压降数码管和低饱和压降负载开关;2)低正向压降肖特基二极管(MEGA),低正向压降/低反向漏电流肖特基二极管;3)BISS/MEGA模块;等三类产品以及它们的应用。     

功率晶体管击穿电压与硅片电阻率的取值关系

介绍了用于节能灯照明电路的高耐压功率晶体管的反向击穿电压、饱和压降和开关时间等参数的设计要求。合理选用硅片单晶材料的电阻率 ,对器件工艺设计和制造起到了关键作用。     

Si开关晶体管电荷存贮效应的模拟

对硅开关晶体管来说,在基极驱动电流I_B_1和反抽电流I_B_2固定的条件下,测量出的存贮时间t_s随集电极电流的增加而增加或不变.这种现象是无法用一般常用的Ebers-Moll模型来解释和模拟的.通过实验我们看到:在这种开关晶体管中集电结正向电流主要是空间电荷区中的复合电流而不是注入电流.而空间电荷区中的复合电流并不伴随着电荷存贮,因而可以起抗饱和的作用.而抗饱和的程度受到集电极串联电阻,集电极电流,基极串联电阻和电流增益的影响.我们称这种效应为空间电荷区复合流抗饱和效应.我们提出考虑此效应的模型.用此模型可以模拟一般Ebers-Moll模型无法模拟的硅开关晶体管的特性,使计算结果和实验符合得较好.     

SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.     

SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.     

应用电子辐照技术控制功率开关晶体管少子寿命的研究

本文以高压大功率开关晶体管的电子辐照实验为基础,探讨了辐照对器件少子寿命、直流电流放大系数、饱和压降、开关时间的影响.研究结果表明:精确控制电子注量可以精确控制少子寿命,并且,适当注量的辐照可以兼顾晶体管的各电参数,从而简化了设计工作,并使器件开关特性得到显著的改善.     

SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

利用窄能隙SiCGe三元合金，采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法，提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构，并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究. 分析结果表明，SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性，其饱和导通压降为4.5V左右，且宜于强光工作.     

大功率晶体管BUX10的退化试验与特性分析

大功率晶体管在工作过程中会出现正向电流传输比、饱和压降以及集电极-基极反向击穿电压等参数的退化现象。在此针对BUX10进行试验与特性研究。通过对BUX10进行长时间退化试验得到退化数据,利用Matlab进行常用模型的退化轨迹拟合,通过比较各拟合轨迹的拟合优度,选取拟合最优的退化模型推算出伪失效寿命,然后利用退化试验数据的可靠性分析方法得到产品相应的可靠性信息。     

SiCGe/3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真

针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的Ⅰ-Ⅴ特性,饱和压降大约为4V.     

Design and Simulation of a Light-Activated Darlington Transistor Based on a SiCGe/3C-SiC Hetero-Structure

针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的Ⅰ-Ⅴ特性,饱和压降大约为4V.     

静电屏蔽晶体管GAT的结构研究

本文介绍了静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构与器件性能，该器件具有高耐压，高速和低饱和压降等优良特性。本文对该器件的结构作了较为详细的分析研究。     

节能灯、电子镇流器专用功率器件HLB系列的特性及应用

<正> 节能灯、电子镇流器是“中国绿色照明工程”重点推广项目。在节能灯、电子镇流器应用电路中,用作开关的功率晶体管是关键元件,其性能优劣对节能灯、电子镇流器的可靠性和安全性具有决定性的影响。 本文介绍的HLB系列晶体管具有抗二次击穿能力强、饱和压降低、漏电流小、自耗温升低、工作稳定、低放大倍数、开关时间短等。     

硅外延平面高速开关管的设计

近几年来,硅器件的发展极其迅速,它具有耐高温、反向电流小以及能采用平面技术使表面钝化,而得到稳定可靠的性能.平面技术和外延技术自1959年发展以来,很快地就用于制造硅平面管、硅外延平面管和硅固体电路.现在,国外已发展到了较成熟的阶段.外延技术与平面技术结合制成的平面外延管对于制造开关器件比平面管具有更大的优越性,例如饱和压降小,反向击穿电压高,小电流增益大,开关速度快和功率较大等等.     

用超小型铁芯控制的DC—DC变换器

一、概述 DC—DC变换器的体积和重量主要取决于变压器,平滑滤波器的大小。为了实现变换器的小型化,必须提高开关频率。高频变换器设计的中心问题是加快开关速度,减少开关损耗。这可从两方面着手;第一,选择快速开关器件,例如功率场效应管等;第二,改善功率开关的激励方法。后者也可使双极性晶体管工作在很高的频率上。为了将频率提高到兆赫量级,必须减小可饱和铁芯的饱和磁通,使用在高频领域也有良好非线性特性的磁芯。本文介绍用无磁致伸缩的钻基非晶材料作可饱和铁芯,双极性晶体管作开关元件,开关频率在兆赫量级小型变换器及其实验结果。     

温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)

在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。     

Supertex公司推出Superfet器件

位于美国加利福尼亚州Sunnyvale市的Supertex公司,在一片芯片上组合制出了MOS晶体管和双极晶体管,其目的是生产一种特别适用于高速大功率开关场合的所谓Superfet器件。这种新型设计包含有大电流VMOS功率晶体管的输入和开关特性及双极晶体管的电压降特性。虽然这种组合式器件并非新东西,但是Supertex公司设计的器件还附加有低值电阻器,以便避免不希望有的瞬变电压产生的导通。这     

关于高压功率晶体管的饱和压降

本文讨论了具有轻掺杂集电区的高压功率晶体管的静态饱和特性,导出了一个考虑到集电结大注入效应的饱和压降的分析表达式。     

超高速射极耦合逻辑电路

数字电路大致可分为饱和式电路及非饱和式电路,这主要是根据是否把晶体管用于饱和区来区分的。饱和式电路不能充分发挥晶体管所具有的高速性能,开关速度慢。非饱和式电路开关速度快,但有功耗大的缺点。所以在与速度相比功耗更成问题的时候使用前者,反之使用后者。集成电路形式的发展是迂回曲折的,作为结局,大体上前者的代表是晶体管-晶体管逻辑(TTL),后者是射极耦合逻辑(ECL)。最近,企图加肖特基二极管箝位以取得高速的TTL,目前已有市售产品。但关于高速化正在使用双极集成电路的最先进的技术来研究超高速ECL,下面就简要的叙述一下这个问题。