利用非线性光纤环路镜将2.5Gbit／s归零码光脉冲波长变换20nm

利用光纤非线性环路镜成功地将２．５Ｇｂｉｔ／ｓ的归零码光脉冲变换了２０ｎｍ的距离。在最佳波长变换处对变换信号进行了１小时的误码测量,采用２２３－１伪随机码序列,误码为１．３×１０－１４。信号光和探测光脉冲宽度分别为２８ｐｓ和３７ｐｓ,中心波长分别为１５３３ｎｍ和１５５３ｎｍ。     

采用电滤波方式从20Gbit／s的光信号中提取2.5GHz的电时钟

采用增益开关激光器作光源，利用色散补偿光纤对超短光脉冲进行了压缩。利用光纤延时的办法得到了８×２．５Ｇｂｉｔ／ｓ的ＯＴＤＭ信号。采用高Ｑ电滤器滤波的方式成功地从８×２．５Ｇｂｉｔ／ｓ的光信号中提取出了２．５ＧＨｚ的电时钟信号。提取出的电时钟抖动量小于１％。     

2.5Gb／s抽样法比特误码测试系统

提出并实现了一种利用抽样法实现高速数字通信系统比特误码率测试的新方法，可以利用低速误码仪对高速系统的误码率进行测量和分析。已利用１５Ｍｂ／ｓ误码仪实现了２．５Ｇｂ／ｓ的误码测量，并成功地应用于我国第一个２．５Ｇｂ／ｓＩＭ／ＤＤ光纤传输实验系统的研制工作中。     

109公里2.5Gb／s无中继IM／DD光纤传输实验系统

对国内首次２．４８８Ｇｂ／ｓ光纤传输系统实现结果进行了报道。系统工作波长１５５０ｎｍ，利用常规单模光纤实现了１０９公里无中继传，要用ＩＭ／ＤＤ方式，接收机灵敏度为－３０．５ｄＢｍ．     

8频道151公里全光波分复用准工程化光纤通信系统

拥有８个频道、传输距离为１５１公里、使用二个光纤放大器和工程化端机的全光波分复用光纤通信系统在北京大学研制成功。该系统在长期工作状态下各频道的误码率在１．６×１０（－１２）至０×１０（－１５）（即单频道连续测量１５天无误码）之间。该系统使用计算机对波长进行智能控制并监视该系统的工作状态。各频道波长分别是１５３１ｎｍ，１５３３ｎｍ，１５３５ｎｍ，１５３７ｎｍ，１５３９ｎｍ，１５４３ｎｍ，１５４５ｎｍ和１５４９ｎｍ。每频道传输码率为１４０Ｍｂ／ｓ，传输码型为１Ｂ１ＨＣＭ１ＰＲＢＳ。因此该系统总传输码率可以达到２．２Ｇｂ／ｓ（即２８０Ｍｂ／ｓ×８）。经过长时间开机检测，该系统已经接近于工程使用要求。     

2.5GHz非归零码光脉冲的波长变换实验

报道了采用国产器件进行了中心波长为１．５５μｍ，重复频率为２．５ＧＨｚ的非归零码光脉冲基于半导体放大器的交叉增益调制的波长变换实验，波长变换距离２．７ｎｍ。     

2.5Gb/s O/E/O光波长变换器

介绍了两种高码率Ｏ／Ｅ／Ｏ光波长变换器。实验表明，这两种光波长变换器都具有优良的光、电技术指标和可靠性，其中２．５Ｇｂ／ｓ Ｏ／Ｅ／Ｏ光波长变换器已经应用在广州＝深圳间１０Ｇｂ／ｓ波分复用光纤通信系统中。     

利用光纤非线性环镜实现8×2.5Gb/s→2.5Gb/s解复用及误码特性的测量

报道了利用３ｋｍ 光纤非线性环镜作为全光解复用器对８×２５Ｇｂ／ｓ光时分复用信号的解复用实验结果, 并对２５Ｇｂ／ｓ解复用信号进行了误码特性的测量。测量结果表明误码率可达到１０－ １１, 误码率为１０－ ９时的功率代价仅为１４ｄＢ。     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路

叙述了基于ＧａＡｓ ＨＢＴ的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括２．５Ｇｂ／ｓ跨阻放大器、３ＧＨｚ可级联放大器和１０Ｇｂ／ｓ跨阻放大器的设计、制造和测试结果。     

电子束蒸镀半导体发光二极管的减反射膜

用电子束蒸发设备，制备了用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二级管的减反射介质膜。测量结果表明，对发光波长为０．８５μｍ和０．９０μｍ的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二级管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３减反射膜，输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入下，可增加２５￣３５％，最大可增加５０％。但对于１．３μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ型红外发光二极管，用ＺｒＯ２作减反射膜，比用Ａ     

单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

制备了增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近０Ｖ的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件,并在此基础上设计制作了可在１．５￣３Ｖ低电压和单电源下工作的２．５ＧＨｚ低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。     

提高超高速A／D转换的分辨率和动态精度

体工作采用ｐｉｐｅｌｉｎｅ结构，自制超高速高分辨率高精度的３－ｂｉｔ全并行Ａ／Ｄ转换电路，从外部与低价格的１０－ｂｉｔ １８Ｍｓｐｓ商用Ａ／Ｄ转换器连接，保持了１０Ｍｓｐｓ的采集率但是高分辨率到１２－ｂｉｔ。ｐｉｐｅｌｉｎｅ结构包含９个６ｎｓ，２ｍＶ比较器和１个由单位增益带宽为８０ＭＨｚ的运算放大器构成的减法器。     

2.5～10Gb/sHEMTIC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

主要坑速光纤通信系统中调制器驱动电路ＨＥＭＴ ＩＣ设计开展研究。着重讨论了ＰＨＥＭＴ器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对２．５￣１０Ｇｂ／ｓ ＰＨＥＭＴ ＩＣ光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足２．５￣１０Ｇｂ／ｓ高速光纤通信系统需要。     

GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。     

电子束蒸镀半导体光电器件的增透膜

用自动电子束蒸发设备，蒸镀用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二极管的增透膜。结果表明，对波长为０．８μｍ左右的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二极管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３介质膜后，其输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入，可增加２５－３５％，最大可增加－５０％。对１．３μｍ波长的ＩｎＰ系列红餐发光管，用ＺｒＯ２作介质增透膜效果更好。     

GaAs—InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ初底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃ ｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｇ／ｍｍ，可满足与长波长光这器件进行单片集成的需要。     

溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明,在波长小于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小,消光系数ｋ则逐渐减小;在波长大于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加折射率ｎ逐渐减少,消光系数ｋ先减小后增加。对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率ｎ随溅射功率的增加减小后增加,消光系数ｋ则逐渐减少。薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小。讨论了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数影响的机理。     

利用中点谱反转实现2.5Gb/s直接调制信号的200km常规单模光纤传输

报道了２．５Ｇｂ／ｓ直接调制光信号的２００公里常规单模光纤传输实验，系统中采用了基于色散位移光纤中四波混频效应扣点谱反转技术以补偿光纤色散的影响。     

2.5Gb/s,52km的光孤子通信实验系统

在国内首次进行了孤子通信的误码测量，成功地将２．５Ｇｂ／ｓ的孤子传输了５２ｋｍ，经过２小时测量无误码。对实验中的现象进行了理论分析。