表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用

叙述了表面活性剂的性质、分类、分子结构特点,重点介绍了表面活性剂在光刻工艺的涂胶、显影、湿刻工序中的应用.适当加入表面活性剂,在现有设备的条件下可极大地提高光刻质量,对双极电路以及CMOS电路制作都有着重要的现实意义.     

对MEMS中常用的IC工艺剖析

对MEMS中常用的IC工艺；半导体晶体生长和晶片制备；薄膜成型；掺杂工艺和光刻工艺等的剖析。     

中国IC封装业在崛起中奋进

在经历了五年多在低基数基础上超过40％的高速增长之后．今后中国IC产业将进入一个平稳增长期。据中国半导体行业协会预测：2004年至2009年的中国IC市场的年复合增长率为26.6％。这就表明：以往靠投资拉动、新建生产线的增长模式也许将放缓．而依靠自主产品带动、IC设计企业的壮大，将是该阶段中国IC产业保持持续增长的源动力。中国IC业已进入了平稳增长期。     

2006 IC业趋势展望

2005年对AATI每位成员来说都是重要的一年．通过多年努力，我们朝目标又迈进了一步。     

IC封测业新时代到来

近日，日月光研发中心的首席运行官何明东在接受媒体采访时表示，随着许多新的封装技术导入以满足市场需要，日月光（ASE）相信全球IC封装测试业的新时代已经到来，各种IC封装型式的呈现将更加促使产业间加强合作。     

用于IC封装的光刻设备

光刻是圆片级封装的一种最重要的工艺,无论是焊盘分布、焊凸形成、密封或其它新出现的需求,晶圆上精确的成像区域对每一种工序来讲是最重要的。评述了一些圆片级封装的光刻系统及为什么某些专门的设备能很好地适于应用,会是接近式光刻机、步进投影光刻机还是一些替代设备在未来的几年内来满足这种需求?我们将探索这种可能性。     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用，具体分析多种短波长光刻技术的最新进展，并对在0．1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望．     

我国IC产业发展状况分析

本文分析了集成电路及其相关技术的现状和发展趋势。分析了国内集成电路产业状况和面临的课题。     

非接触实现触摸的uWand技术

轻轻动下手腕,就可浏览频道、停止/继续播放,也可以录制视频、访问网站。Philips的uWand技术正在把触摸技术应用延伸到起居室。据Philips的uWand总经理Navin Natoewal介绍,uWand技术是一项具备3D功能的直接定点遥控技术,操控直观犹如多点触摸屏。     

45nm工艺及材料的最新动态

介绍了45nm芯片、工艺和设备的最新动态。英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45nm功能芯片。45nm主要工艺包括光刻、应变硅、低k电介质、Cu互连、高k电介质和离子注入等。光刻工艺采用193nmArF/浸没式光刻机。45nm工艺中应变硅技术已步入第三代,它综合采用双应力衬垫、应力记忆和嵌入SiGe层。     

65nm半导体工艺发展策略

本文研究Altera在65nm工艺上的工程策略,介绍公司如何为客户降低生产和计划风险,并同时从根本上提高密度、性能,及降低成本和功耗.     

EDA技术在芯片设计中的发展与应用

EDA（Electronic Design Automatic）技术已成为电子系统设计和电子产品研制开发的有效工具。分析了EDA技术的发展过程、基本设计方法，并阐述了当今EDA工具在芯片设计过程中存在的问题，同时从硅虚拟原型（SVP）及可测试性技术（DFT）二个方面讨论了EDA技术应用的发展趋势。     

从IC卡应用看我国IC卡产业的发展

上世纪90年代初，当深圳街头出现IC卡公用电话亭的时候，IC卡开始悄然进入中国。经过十多年的发展，我国的IC卡市场已经成为全球最重要的市场之一，全球主要的芯片商、卡片商、设备商均在中国设有分支机构；本土企业也迅速壮大，并在电信等领域与跨国企业展开竞争。     

Challenges of back end of the line for sub 65 nm generation

This paper presents a review of interconnect challenges for sub 65 nm node. From this generation, porous ultra low K (ULK) dielectric materials (dielectric constant k<2.1) are required. Their porosity makes integration very difficult, due to the mechanical weakness and process interaction issues (especially during stripping, CVD metal barrier deposition…). To overcome these process incompatibilities and keep the ‘effective dielectric constant’ low, dual damascene architecture becomes more and more complex and requires additional steps (porosity sealing treatment, degas steps, supercritical CO₂ clean, low k dielectric barrier, self aligned barrier…). Possible contamination trapped in the porosity (moisture, metallic residues…), and lower thermo-mechanical properties of ULK will probably impede reliability. Copper resistivity increase with dimension shrinkage will also be an extra issue.     

深亚微米下芯片后端物理设计方法学研究

随着摩尔定律的发展,90／65nm工艺下的大规模芯片越来越多,后端物理设计变得更加复杂,遇到了很多新问题,如高集成度、层次化设计、泄漏功耗、多角落-多模式、串扰噪声等,签收的标准也发生了变化。因此必须改进物理设计方法学,适应新的情况,来取得流片成功。     

集成电路迈向90nm新工艺

介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。     

从嵌入CMOS MEMS振荡器展望IC设计的潜在变革

随着CMOS MEMS振荡器大规模制造技术的成熟,应用将涉及汽车、电视、摄像机、个人电脑、便携式设备等等几乎一切电子设备,本文向中国工程师概要介绍CMOS MEMS谐振器主流技术及行业动态、在IC中嵌入CMOS MEMS振荡器的设计流程以及相关支持工具的发展趋势.