三间隙耦合输出回路间隙阻抗频率特性的测量

从多端口微波网络等效的角度,讨论多间隙耦合输出回路间隙阻抗频率特性的测试问题,并以X波段三间隙耦合输出回路为例,分别从模拟测量和实际测量两个方面确定了其间隙耦合阻抗的频率特性,简化了测量过程,为三间隙耦合输出电路工程应用提供了有效的实验手段.     

三相电路的运用与测量

我国供电系统主要采用三相电设计,在这一供电系统的设计与运用中,三个频率相同而相位存在差异的电流源或电压源及其负载共同组成了电路的主要结构,由于三相电路在实际运用中承担着电能产生,传输以及分配的重要任务,因此其电路功率的测量与计算也显得尤为重要。本文在对三相电路特性进行概述的基础上,结合电力工程应用实际分析了三相电路的实际运用,并从功率测量这一角度探究了其电路功率的测量与计算方法,为三相电路的实际检测提供切实的参考。     

用于行波管放大器的预失真线性化技术研究

本文第一部分介绍了行波管的非线性特性,给出了Saleh提出的行波管非线性模型,用其对某行波管的实测数据拟合,拟合均方误差小,结果好.第二部分首先介绍了预失真技术的原理与基本方法,在Saleh模型的基础上,通过级联网络的理论,得出与行波管配用预失真线性化器的幅度和相位预失真函数.第三部分利用二极管的变阻特性,提出了一种利用肖特基二极管构成的预失真电路.通过计算该电路交流通路的等效二端口网络散射参数S21的幅度和相位,得出其随输入功率的变化趋势与行波管配用预失真线性化器的幅度和相位预失真函数变化趋势相同.调节二极管的直流偏压及电阻,即可与实际行波管配用.最后通过ADS软件对电路进行仿真,得出其增益和相移特性与理论分析的结果一致.     

示波器X轴输入在电子测量中的应用

本文详细说明了示波器Ｘ轴输入在测试电路传输特性、李沙育法测频率及相位等方面的应用。     

示波器X轴输入在电子测量中的应用

本文详细说明了示波器Ｘ轴输入在测试电路传输特性、李沙育法测频率及相位等方面的应用。     

激光轮廓测量仪的高频相位测量电路设计

高频相位测量装置是激光轮廓测量仪不可缺少的一部分,它完成的工作是对两路被测信号进行相位测量.文中介绍了一种用混频原理和锁相环技术将高频转化为低频,并且用相关计数法对低频相位进行测量的方法.低频部分主要是利用了单片机丰富的软硬件资源和CPLD器件灵活多用功能来实现的.通过混频电路和低频相位测量电路的组合,能较高精度地完成此相位测量任务.     

基于CRLH-TL零阶谐振特性的新型串联功分器

 结构紧凑的功分器是微波信号分离、阵列天线馈电等应用场合的重要器件．利用混合右/左手传输线（CRLH-TL）来设计小尺寸的串联功分器,并对混合右/左手传输线的色散特性进行理论分析．利用贴片电容和微带线电感设计了一种新的混合右/左手传输线,处于零阶谐振状态的混合右/左手不引入相位偏移且波长为无穷大．基于CRLH-TL的零阶谐振特性设计制作了一个工作在2.45 GHz的4路微波功分器．此功分器等幅同相地将输入功率分配到各个输出端口,输出端口位置对功率分配没有影响．使用矢量网络分析仪对该功分器进行了实验测量,结果表明：在2.20~2.65 GHz的频率范围内,功分器各输出端口功率相差在1 dB内;在2.22~2.56 GHz的频率范围内,输出端口的相位差在15°以内．测量结果与仿真结果吻合良好．该微波功分器结构紧凑,可扩展到任意多个输出端口．     

光纤位移干涉仪测高速漫反射面速度误差分析

首次从理论上分析基于单模光纤的位移干涉仪用于高速漫反射面速度测量的相位误差,包括来源和大小及其与系统各参量的关系.计算了光束从光纤出射,经漫反射面反射,再耦合进单模光纤的光场表达式.结果表明,相位误差的来源包括两部分:光束传输衍射效应及漫反射面表面的随机相位特性.由相位误差引起的位移和速度相对误差都在10-6量级,并且同时采用VISAR和光纤位移干涉仪来测量爆轰加载下铜飞片的速度轨迹.实验结果表明,单模光纤位移干涉仪的实际测量精度可以和VISAR相当,证明了单模光纤位移干涉仪用于高速漫反射面速度测量的可行性.     

传输法模拟滤波器型输出回路的间隙阻抗频率特性

利用传输法把滤波器型输出回路等效为双端口微波网络问题,通过理论分析,数值模拟和冷测实验证明了S21平方后的曲线能定性反映滤波器型输出回路的间隙阻抗频率特性.从而在仿真设计阶段,可将S21设为优化目标,利用三维电磁仿真软件的参数优化功能实现精确设计滤波器结构,比相位法,场分析法更加快捷准确.传输法同样适用于矢量网络分析仪冷测滤波器的实验,可消除系统拆装及波导元件引起的误差,使测量更加方便准确.     

TbDyFe-FeNi多层膜/光纤磁传感器特性研究

以TbDyFe-FeNi多层膜/光纤复合结构为研究对象,采用ANSYS软件对多层膜厚度及外加磁场对光纤中传输光波的磁致相位位移大小的影响规律进行了研究.ANSYS计算结果发现,磁致相位位移大小随着薄膜厚度增加而增大;由于TbDyFe-FeNi多层膜的磁致伸缩性能,磁致相位位移值随磁场强度变化关系出现良好的线性关系.搭建M-Z干涉仪,实验论证TbDyFe-FeNi多层膜/光纤复合结构的磁探测性能,进一步证实了ANSYS模拟计算结果.