Ka频段GaAsFET的射频特性

<正> 一、引言在低噪声 GaAsFET 的发展中,近来已有重大进展。噪声系数不断降低,频率上限不断提高,频率高至 Ka 频段的低噪声 FET 放大器也已实现。然而,高频 FET 尚不能适当地表征,并且对支配着高频工作的器件参数不能很好地了解。本文将提出一种模拟工作的结果以及 Ka 频段 FET 的射频性能。本文也评价和提出了采用液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)和离子注入(II)制作的 FET 器件。这三种类型器件     

12～15GHz功率GaAs FET的研究

<正> 卫星通信技术的发展需要能在Ku波段以上工作的GaAs功率FET,但在Ku波段,高功率FET芯片尺寸与信号波长可相比拟,而难以向大FET的每个胞都均匀地馈通微波信号。此外,还需减小芯片的串联源电感等寄生电抗和热阻,以使功率FET达到实际应用。 本研究通过下面两个途径来克服Ku波段频率下其增益和功率下降的问题。 (1)器件设计采用密集沟道。将2,4001μm栅宽四胞FET设计在400μm有源区长度以内,使各胞同相位工作;     

混合集成三厘米FET放大器

<正>在厘米波段,中等带宽的混合集成FET放大器的输入电路形式大致可有:1.离器件(FET)有一定相移长度的线段,使FET输入阻抗实数化,再经λ/4阻抗变换器与信号源获得低噪声匹配.2.在器件的输入处并联一段阻抗及其长度合适的短截线,使FET输入阻抗实数化,再经λ/4阻抗变换器与信号源获得低噪声匹配.3.主传输线在靠近器件输入处的特性阻抗及其电长度有一合理的数值,使FET与信号源获得低噪声匹配.4.在不清楚器     

在MESFET中畴的形成——器件结构和材料参数的影响

<正> 一、引言限制 GaAs MFS FET 输出功率的最重要的因素中的两点是:低的击穿电压和高的衬底电导。前者主要涉及功率 FET 的几何结构,后者同材料特性有关。本文的目的是报导:(a)所研究的一种新的器件结构,(b)在所掺杂的范围内获得高的击穿电压,和(c)高纯的未掺杂的缓冲层对 FET 静态特性的影响。我们还将报导采用电子束感生电流(EBIC)在漏回路所获得的电场分布,和采用通过场效应晶体管的沟道各点上碳俄歇谱线的移动所获得的表面电压分布。     

X波段介质稳频电调FET振荡器

本文介绍了X波段介质稳频电调FET振荡器(FET DR VCO)的研制。采用反馈型电路结构,获得振荡频率为7774MHz,输出功率Po>10dBm,线性电调带宽>42MHz(功率变化△P<1dB),电调灵敏度为3.0MHz/V,在-20℃～+60℃范围内,频率温度稳定度<±5.7ppm/℃。     

改进的FET设计扩展到毫米波

<正> 虽然通常的FET在求得毫米波性能方面已进行了很多细致的工作,但在满足振荡频率越来越高的工作要求方面,现有的设计是无能为力的。一种完全不同的FET结构,即栅-源对置FET(OGST)的出现,有可能突破现有设计的频率极限。这种新型晶体管结构是将栅和源放置在薄导电沟道的相对的两边。漏则配置在沟道的相对两端,但在晶体管的输出处,它们是电学连接在一起的。这种设计与通常FET相比,有一定的优点:     

一种具有粗细调谐能力的FET VCO

<正>用微波场效应晶体管和砷化镓超突变结变容二极管组成的电压控制振荡器(简称FET VCO),具有调谐速度快,线性好,电路效率高,而且供电简单.使用南京电子器件研究所研制的场效应晶体管(WC59)和砷化镓电调变容二极管(WB62)制成的具有粗细调谐能力的FET VCO,粗调频率在C波段电调带宽600MHz,电调灵敏度的最大最小变化比小于     

场效应管应用电路两例

<正> 1.用场效应管的分压式衰减电路 该分压式衰减电路如图1所示。V为结型N沟道场效应管(FET),它与电阻R1组成电阻分压式衰减电路。因FET的漏极D与源极S之间可看成一个由栅极和源极间电压V_(GS)控制的可变电阻。V_(GS)为直流电压,且应为负值。若控制电压为交流电压,则要经过二极管整流、电容器滤波后再加到     

化合物半导体重要用语选集(四)

<正> 自对准FET(Self-Aligned FET) 作为超过Si的下一代超高速集成电路的关键器件,GaAsMESFET是很有希望的。为了提高其高速性能,还需要增加跨导g_m,其主要的途径是减少源一栅间的串联电阻R_S。作为其技术之一,有相对栅电极能自调整地掺杂高浓度N~+层的方法,这样制作的器件一般标为自对准FET。关于能降低R_S的N~+层掺杂技术,采用多层抗蚀剂的自对准注入N~+层技术(SAINT)等。现在用GaAsMESFET能得到的g_m已为当初的     

C波段30W GaAs功率FET

<正>据日本《东芝评论》杂志1992年第3期报道,在最近的微波通信中,正采用大容量的数字通信系统,迫切需要小失真、大功率的GaAs FET。为此,日本东芝公司已研制成小失真、大功率C波段30W GaAs功率FET。 这种FET比现有20w FET的性能有进一步提高,在管壳内合成4个采用p型杂质离子注     

一种新颖的GaAsFET超高速逻辑电路

<正> 自1974年Liechti等人提出GaAsMESFET超高速逻辑电路以来,国外相继提出了GaAsMESFET缓冲型场效应管逻辑(BFL)、肖特基势垒二极管场效应管逻辑(SDFL)、低夹断电压场效应管逻辑(LPFL)和直接耦合场效应管逻辑(DCFL)。这些逻辑电路以其各自的优点,目前都得到研究,性能也不断得到提高。据报导,最近法国Thomson-CSF中央研究所提出了一种新颖的GaAsFET逻辑电路结构,称之为“平面二维电子云FET”(planar two dimensional electron gas FET)。这种结构的特点是速度快、功耗低。在每一级功耗为900μW/门和62μW/门时,相应的传     

微波功率场效应晶体管放大器的实验研究

本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。     

8～12GHz FET压控振荡器

<正> 用微波场效应管和砷化镓超突变结变容管组成的电压控制振荡器(简称FET VCO),具有调谐频带宽,调谐速度快,线性较好,电路效率高,加电简单等特点。采用南京电子器件研究所的FET和超突变结变容管制成的宽带FET VCO,其电调频率范围已达4GHz,在X波段覆盖频率为8～12GHz。 整个电路采用集总参数和分布参数相结合的混合结构形式。所用FET和变容管都是封装     

了解MOSFET通态漏源电阻

<正>分立MOSFET数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为RDS (on)。这个RDS (on)想法看起来非常简单：当FET处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至于我们假设电流为零。当FET的栅源电压(V GS)超过阈值电压(V TH)时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于RDS(on)的沟道连接。然而，如果您熟悉MOSFET的实际电气行为，您应该很容易认识到该模型与事实不符。     

GaAs MES FET在辐射环境中的退化

<正> 一、引言 GaAs肖特基栅FET(MESFET)在微波下的低噪声系数已得到了证明,而且很快被用在微波通信和雷达的接收机中。但是,随着科学技术和现代化武器的发展,在某些国防及卫星等的应用中,必须考虑核辐射对GaAs MES FET的影响,考虑该种器件在辐射环境中的性能。为此,美国综合工艺研究所进行了专门的研究,探索了快中子和γ辐射对1μm栅     

提供MSP430微控制器新型快闪仿真工具低成本开发方案

日前，得州仪器(TI)宣布面向超低功耗MSP430微控制器(MCU)推出通用串行总线(USB)JTAG调试接口(MSP—FET430UIF)以及USB Development快闪仿真工具(FET)(MSP—FET430Uxx)，从而进一步提高了代码开发、评估与编程的灵活性。     

GaAs离子注入工艺实验简况

<正>自81年8月份以来,离子注入工艺围绕着GaAs材料开展了在缓冲层上和半绝缘衬底上注入Si和S杂质,以及注入后用SiO_2包封退火和夹片方式退火等方面的实验,目前已经在单栅和双栅FET器件上取得了初步结果.用能量为200keV、剂量为4×10~(12)cm~(-2)的单电荷Si离子,注入缓冲层制作FET的有源层.注入后用SiO_2包封,在825℃的氢气炉中退火30分钟.制出的双栅FET器件,在频率2GHz下,噪声系数为0.9dB,相关增益为14.5dB.另外,为了满足有些器件注入深度的要求,在200keV     

4GHz低噪声GaAs FET和80K FET放大器

<正>为进一步满足国内卫星通信事业发展的需要,使FET低噪声放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧FET及其放大器的研究,最近又取得了新的进展.用该所研制的FET组装的4GHz放大器样机主要性能如下:     

高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET)

本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰值浓度为 0.5-1×10~(13)cm~(-3).在Al栅和GaAs有源层间有一层用阳极氧化制备的自身氧化膜,厚度10~2A|°.MIS SB FET为双栅器件,栅尺寸 2 × 400 μm. 实验所得 MIS SB FET的夹断电压为4V,零栅偏跨导为 25mS,高于本实验室相似结构常规工艺的 MES FET器件(峰值浓度1-2×10~(17)cm~(-3),没有氧化膜). 在二区间模型基础上,计入薄氧化膜影响,模拟计算了 MIS SB FET的直流和微波特性,并与常规工艺的 MES FET作了比较.     

65nm自对准栅PM-Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.20)In_(0.80)As HEMT

<正>《IEEE EDL》1992年3月报道了美国休斯研究实验室截止频率达300GHz的65nm自对准栅PM—Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.20)In_(0.80)As HEMT的工作。 为了提高FET器件的使用频率范围和工作速度,一般采用降低栅长的办法。但是当栅长进入亚0.1 μm区域以后,单靠缩小栅长已不能提高器件的截止频率和工作速度,寄生效应成了限制本征速度的主要问题。近期工作表明,对于栅长小于0.1 μm的FET,提高跨导可以改善