化合物半导体PbTe单晶的制备及其特性

采用布里奇曼法合成了ＰｂＴｅ单晶,测试了其伏安特性、阻温特性、热电特性及光电导特性．实验发现,所合成的ＰｂＴｅ单晶是Ｐ型半导体,具有显著的温差电动势,对可见光灵敏度较高,是一种性能优良的热电材料．     

碲化铅单晶及薄膜物理特性的研究

PbTe(碲化铅)是一种新兴的化合物半导体材料，它以优良的特性而被用于许多高科技领域。作者用布里奇曼法以高纯的Te(99．9％)和经过5次提纯的Pb合成了5种组分的PbTe单晶，并对它们的物理特性进行了研究。此外，以所制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了5种组分的PbTe多晶薄膜，薄膜呈铜黄色，并对它们的显微结构、导电类型、电阻、电阻率和电导率特性进行了研究。测试结果发现，热处理对薄膜结构和性能影响很大，热处理后晶粒为有明显取向的片状，且晶粒尺寸变大；随Te摩尔分数的增大，薄膜的导电类型由n型转换成p型；热处理后薄膜电阻比退火前小，其电阻率比晶体材料大，电导率随Te摩尔分数的增大先减小后增大。     

玻璃基底上NiTi薄膜制备及特性

研究了真空蒸镀制备的玻璃基底上的ＮｉＴｉ薄膜的特性，并进行了成分分析、Ｘ射线衍射分析、电阻经时变化及电阻－温度特性测定。结果表明：真空蒸镀所得的ＮｉＴｉ膜中Ｔｉ的物质的量分数比蒸发源镀材降低约０．０７；基底温度低于３５０℃时，ＮｉＴｉ膜的电阻－温度曲线呈线性变化；采用镀后热处理，可使ＮｉＴｉ膜晶化，且出现Ｒ相变。同时，ＮｉＴｉ膜相变温度、相变量，电阻经时变化特性与基底温度及热处理工艺有关。     

Pb1-xSnxTe晶体的合成及电磁特性研究

:利用布里奇曼法合成了 Pb1 - x Snx Te单晶 ,测试了其密度、阻温特性、霍尔效应 .实验测得其载流子浓度和霍尔迁移率大约在 ( 3～ 1 6)× 1 0 1 7/ cm3和 1 0 2 cm2 /Vs;随着 x的增加晶体从 P型半导体向 n型半导体转变     

3C—SiC单晶薄膜的干法刻蚀研究

以四氟化碳（CF4）和CF4 O2作为刻蚀气体,对外延3C-SiC单晶薄膜进行了系统的等离子体刻蚀研究。结果表明薄膜刻蚀速率在气体流量一定的情况下与O2/CF4流量比有关：当O2/CF4流量比为40%左右时,刻蚀速率达到量大值;O2/CF4流量比低于40%,不仅刻蚀速度降低而且还在被刻蚀样品表面形成暗表面层,俄歇能谱（AES）分析表明暗层为富C表面的的残余SiC,AES分析还证实改变工艺条件可以消除富C表面的文中还给出了经图形刻蚀后的样品的表面形貌（SEM）照片。     

Cr沉积TiO_2复合薄膜的制备及其可见光催化性能

真空蒸镀法结合溶胶凝胶法成功制备Cr沉积TiO2三层复合薄膜.通过XRD、SEM、UV-vis等手段表征沉积Cr后的TiO2薄膜的结构、可见光吸收性能,以亚甲基蓝溶液为目标物评定其可见光光催化活性.结果表明:该法制备的Cr沉积TiO2复合薄膜,在723 K热处理后,蒸镀的金属层仍然为金属Cr,823 K时被氧化为Cr2O3.不同温度热处理后Cr沉积的TiO2复合薄膜在可见光区均表现出良好的光吸收性.而且随着热处理温度的升高,光吸收性能明显增强.降解实验表明,823 K热处理后的薄膜样品光催化性能最好.在可见光光照射2 h后,对亚甲基蓝溶液降解率接近40%.     

类金刚石薄膜的折射率研究

利用脉冲真空电弧镀方法在硅基底上沉积类金刚石薄膜，研究薄膜折射率和工艺参数以及折射率与薄膜本征硬度的关系，结果表明：无氢类金刚石薄膜的折射率在2．5～2．7之间；不同的工艺参数可以得到不同折射率的薄膜；通过改变工艺条件来制备不同折射率的薄膜，和不同的基底材料的折射率匹配，使其有一定的机械强度。     

PVD镀膜技术研究及进展

叙述了PVD镀膜技术的基本原理,各种PVD工艺和膜分析方法的最新进展,介绍了PVD今后的研究方向。     

单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系

分析了气相同质外延单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系,指出了控制实验条件是确保各晶面薄膜品质的关键。     

ZnO：Al透明导电膜制备工艺及其性能的研究

采用溶胶-凝胶法在载波片上制备了Al^3＋掺杂型ZnO薄膜．所用溶胶以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前躯物,乙二醇胺为稳定剂经反应制得;用甩膜法在基片上甩膜,经热处理后在玻璃基片制备出掺铝ZnO薄膜;利用X射线分析仪、分光光度计、四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究．     

沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

采用RF磁控溅射法，在单晶硅衬底上生长出高质量的（002）晶面取向的ZnO薄膜．利用X射线衍射分析（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光栅光谱仪等技术研究了沉积温度对ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和发光性能的影响．研究结果表明，在射频功率为100W时所制备的ZnO薄膜当沉积温度为500℃时能获得最佳的c轴取向和最小半高宽，此时ZnO薄膜具有较小的压应力和较好的紫外发光性．     

常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜

本文叙述了常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜的方法.通过x-ray衍射和光政发光的测量,表明已生长出高质量的ZnTe单晶膜.为生长ZnSxTel-x固溶体,获得从绿色到紫色的发光材料准备了条件.     

STUDY ON PHOTOCATALYTIC MECHANISM OF SOL-GEL-DERIVED Pb-DOPED TiO_2 THIN FILMS

Pb-doped TiO2 photocatalytic thin films were prepared on a soda-lime glass substrate via sol-gel method using TiO2 sol solution containing lead and characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results showed that besides oxides of Ti(IV) there is a certain amount of oxides of To(Ⅲ) and Ti(Ⅱ) and Pb exists in the forms of PbTiO3 and PbO. The photocatalytic activity of the Pb-doped TiO2 films was evaluated by the photocatalytic decolorization of aqueous methyl orange and photocatalytic mechanism mas also analyzed.     

YbBi2单晶的磁化特性研究

研究了ＹｂＢｉ２单晶磁化强度和温度的关系以及ＹｂＢｉ２单晶在２Ｋ时的磁化特性,实现发现ＹｂＢｉ２单晶在２Ｋ以上没有表现出超导电性;在１．５Ｋ以上ＹｂＢｉ２单晶是一种顺磁质;它在５５Ｋ左右发生了明显的相变。     

丝素/聚氨酯共混膜的制备和性能研究

采用丝素（SF）溶液和阴离子型水性聚氨酯（APU）混合制成透明的薄膜。通过测试，分析了共混膜的IR图谱、X射线衍射曲线、电子显微镜扫描照片和力学性能，研究了不同共混比例的SF／APU共混膜的结构和性能。结果表明：共混膜中的丝素的结晶度由于聚氨酯的加入，β－结构有所提高；随着丝素含量的增加，共混膜的拉伸断裂强力和初始模量提高，拉伸断裂伸长率减小；压缩线性度随聚氨酯含量的增加而减小，共混膜的柔软性提高。     

丝素--PVP共混膜的结构及性能研究

介绍了丝素-PVP共混膜的制备方法.测定了不同配比共混膜的结构及力学性能、吸湿性、透气性等性能.测试结果表明,丝素中加入适量PVP后,可使共混膜具有良好强伸度、柔软性,吸湿性以及良好的透汽性,改善了丝素创面保护膜的性能和应用效果.