功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs

通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.     

功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs

通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率（fmax）为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT。该fmax为国内HEMT器件最高值,还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性。     

截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管,这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管,器件直流特性也很优异：跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm,文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发。     

截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.     

88 nm栅长fmax＝201 GHz InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMT器件

我们成功研制了栅长88 nm, 栅宽2 50 μm, 源漏间距为2.4 μm 的InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率器件(HEMT)。栅是使用PMMA/Al/UVⅢ,通过优化电子束曝光时间及其显影时间的方式制作的。这些器件有比较好的直流及其射频特性：峰值跨导、最大源漏饱和电流密度、开启电压、ft和fmax 分别为765 mS/mm, 591 mA/mm, -0.5 V, 150 GHz 和201 GHz。这些器件将非常适合于毫米波段集成电路。     

120nm栅长In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As HEMTs 器件

利用新型的PMMA/PMGI/ZEP520/PMGI四层胶T形栅电子束光刻技术制备出120nm栅长InP基雁配In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As 高电子迁移率晶体管。制作出的InP基HEMT器件获得了良好的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大单向功率增益频率分别达到520 mS/mm, 446 mA/mm, -1.0 V, 141 GHz 及 120 GHz。文中的材料结构和所有器件制备均为本研究小组自主研究开发。     

T形栅In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件

利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/lnGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,138GHz和78GHz.在8GHz下,输人功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74(75.1)%,254(239)mW/mm,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础.     

T形栅In0.52Al0.48 As／In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件

利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/InGaAs MHEMT 器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 138GHz 和78GHz. 在8GHz下,输入功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74 (75.1)%,254(239)mW/mm,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础.     

非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子

我们研究了非对称In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的Rxx双峰间距随倾斜角度theta的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性和特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应。     

In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂

利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱,根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动,提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|,发现Δ0随浓度增加而增大,|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明,|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.     

An 88 nm gate-length In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As InP-based HEMT with f_(max) of 201 GHz

正An 88 nm gate-length In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As InP-based high electron mobility transistor (HEMT) was successfully fabricated with a gate width of 2×50μm and source-drain space of 2.4μm.The T-gate was defined by electron beam lithography in a trilayer of PMMA/A1/UⅧ.The exposure dose and the development time were optimized,and followed by an appropriate residual resist removal process.These devices also demonstrated excellent DC and RF characteristics:the extrinsic maximum transconductance,the full channel current, the threshold voltage,the current gain cutoff frequency and the maximum oscillation frequency of the HEMTs were 765 mS/mm,591 mA/mm,-0.5 V,150 GHz and 201 GHz,respectively.The HEMTs are promising for use in millimeter-wave integrated circuits.     

120-nm gate-length In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As InP-based HEMT

120 nm gate-length In_(0.7)Ga_(0.3)As/In_(0.52)Al_(0.48) As InP-based high electron mobility transitions(HEMTs) are fabricated by a new T-shaped gate electron beam lithograph(EBL) technology,which is achieved by the use of a PMMA/PMGI/ZEP520/PMGI four-layer photoresistor stack.These devices also demonstrate excellent DC and RF characteristics:the transconductance,maximum saturation drain-to-source current,threshold voltage,maximum current gain frequency,and maximum power-gain cutoff frequency of InGaAs/I...     

200nm栅长In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs器件

利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAlAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT 器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,110GHz及72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.