高压烧结AlN陶瓷体材料的微观结构分析

用国产六面顶压机在5．0GPa、1200℃～1700℃条件下实现了以稀土氧化物为助剂的AIN陶瓷体的高压烧结。对制备的AIN高压烧结体进行了高压热处理。用SEM对AIN高压烧结体的微观结构进行了表征。研究表明：高压制备陶瓷体材料能够有效降低烧结温度和缩短烧结时间，烧结温度最低温度达到1200℃，可比传统烧结方法降低400℃以上。在5．0GPa／1400℃／50min条件下制备的AIN高压烧结体出现穿晶断裂模式。高压热处理使得晶粒明显长大，形成了等轴晶粒组织。     

氮化铝陶瓷低温真空热压烧结研究

以自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,Y2O3、Dy2O3、La2O3为添加剂,采用真空热压烧结工艺,实现了含有添加剂的AIN陶瓷体的低温烧结;研究了烧结温度对AIN烧结性能的影响。用XRD、SEM对AIN高压烧结体进行了表征。研究表明：粉体粒径、烧结工艺、烧结助剂对AIN陶瓷低温烧结真空热压烧结性能有很大影响;含烧结助剂的真空热压烧结能够有效降低AIN陶瓷的烧结温度并缩短烧结时间,使烧结体的结构致密。烧结温度1550℃条件下,真空热压烧结90min时,得到的AIN陶瓷的致密度最高。     

AIN陶瓷烧结技术研究进展

氮化铝（AIN）因其具有高热导率，作为基片材料在电子元器件中得到日益重视。本文主要论述了氮化铝陶瓷制备过程中各种烧结参数，包括烧结助剂、烧结气氛、保温时间、常压烧结、热压烧结、微波烧结和等离子烧结等对氮化铝陶瓷性能的影响。并指出可通过合适的AIN粉体制备技术，结合快速烧结方法可得到具有晶粒细小、结构均匀、高致密度和高导热率的AIN陶瓷。     

影响AIN陶瓷热导率的几个因素

本文介绍了几个影响AIN陶瓷热导率的因素,包括杂质、助烧结剂和烧结工艺等。同时介绍了几个提高热导率的相应措施,并对常压烧结和热压工艺进行了某些对比试验。     

添加剂对AIN陶瓷高温氧化行为的影响

研究了热压AIN陶瓷在1200－1400℃的氧化行为,分析了不同的烧结助剂对AIN陶瓷氧化行为的影响。结果表明,AIN陶瓷在空气中的氧化符合抛物线规律,以Ni为添加剂的AIN陶瓷的高温抗氧化性优于以Y2O3为添加剂的AIN陶瓷。     

高导热AlN陶瓷烧结助剂的研究现状

在分析了陶瓷的导热机理的基础上，着重评述介绍了几种复合烧结助剂在制备高导热AIN陶瓷过程中的作用机理，对比了AIN陶瓷样品的热导率值。分析了晶界相的形成和AIN晶格的净化，从而减少了氧缺陷，提高了陶瓷材料的致密度和热导率。     

氮化铝陶瓷的研制及应用

氮化铝（AIN）因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数及其他优良的物理特性，在新材料领域越来越引起人们的关注。此文主要介绍产分析了AIN粉体合成、烧结、性能结构、AIN陶瓷的应用与前景。     

不同AIN含量对液相烧结SiC陶瓷的影响

研究了不同AIN配比对AIN-Y2O3液相烧结碳化硅的烧结致密化行为、烧结体的性能的影响.结果发现:AIN-Y2O3系统均可以使SiC达到致密化,配比为AIN60mol%的组成可在1850℃-2000℃的温度范围能够使SiC致密化,系统失重保持在2%左右.高AIN含量的样品中更容易发现"核一壳"结构,在烧结体中均发现氧氮化物的形成.烧结体断裂方式为沿晶断裂,断裂韧性为6-8MPa·m1/2.     

Si3N4／Al反应烧结制备AIN／Al复合材料

研究了采用Si，N4与Al的混合粉，经压制、烧结制备AIN／Al-Si复合材料的技术方法。试验结果表明：AIN的反应生成机制属于一种连续渐进式反应形成过程，即于高温下液相Al中的Al原予渗入Si3N4的晶体点阵取代Si原予而逐渐使之向AIN晶体点阵转化的过程。被取代的Si原予从固相Si3N4中析出，扩散溶入液相Al中，冷却后形成Al-Si舍金固溶体，一般呈网状分布于AIN晶体相的周围。新生成的AIN与Al-Si合金相之间表现出很好的界面亲和性。     

AIN-BN复合陶瓷制备工艺研究进展

本文洋细介绍了AIN-BN复合陶瓷材料制备工艺的研究状况，包括AIN、BN粉末的合成制备和AIN-BN复合材料的制备工艺，评述了各种方法和工艺的优缺点。最后指出了粉末制备工艺中的自蔓延高温合成法、电弧等离子体法和烧结工艺中的反应烧结、放电等离子烧结是很有价值的研究方向。