射频功率放大器告警功能模拟检测方案

射频功放模块是基站系统中的核心部件,出厂前对射频功放模块的功能进行检测意义重大.设计了一块告警功能测试板,通过观察与射频功放模块相连的测试板上的LED灯,判断射频功率放大器功能是否正常.实践证明,该方法能模仿射频功率放大器在实际基站系统中的工作行为,不仅有效地提高了射频功率放大器的良品率,而且适用于商业化大规模批量生产...     

射频功率放大器的线性化技术

本文阐述了射频功率放大器非线性产生的原因，介绍了几种射频功放的线性化技术，以便于射频功放设计者参考。     

射频功率放大器的线性化技术

本文阐述了射频功率放大器非线性产生的原因，介绍了几种射频功放的线性化技术，以便于射频功放设计者参考。     

射频功放数字预失真技术探讨

射频功放是线性技术中的一项研究项目,关系到射频功率放大器的应用效果。射频功放中的核心是数字预失真技术,深入研究数字预失真技术,保障其在射频功放中的应用效果,最主要的是满足射频功率放大器的需求,体现数字预失真技术的优势,因此,本文通过对数字预失真技术进行研究,分析其在射频功放中的应用。     

移动终端射频功放的动态电源管理与控制

本文研究WCDMA移动终端射频功放供电效率问题.分析了射频功放特性和电池放电特性,给出了考虑射频输出功率分布的动态电源管理方案和控制算法,分析结果表明:与常规的电池直接供电方案相比较,按照移动终端在城市的发射功率分布模型,新方案射频功放所需的平均功率降低了3.5倍,可以大大延长手机通话和待机时间.     

一种射频功放记忆效应改善及模型简化方法

研究了一种改善射频功放记忆效应的方法并对所设计的低记忆功放进行了行为级建模.设计了10W峰值功率的射频功放,通过加载漏级低阻抗终端并结合最佳电流偏置的方法来减少功放的记忆效应.在建模过程中应用了Cao方法估计功放的记忆长度并进行了验证.基于上述技术,文中所设计的低记忆射频功放能够用简单模型精确描述.实验结果表明,对设计的低记忆功放,采用仅包含7个复系数的Hammerstein模型就可以得到-48.5dB的归一化均方误差(NMSE)指标.     

基于M57719的射频功放保护控制电路设计与故障分析

重点阐述了电台发射模块中射频功放模块以及APC电路的工作原理,同时对电台射频功放常见的故障现象进行了分析．提出了减少和避免射频功率放大器故障的方法和措施,并对电台的使用和维护提出了有价值的建议。     

功放设计中的检测及保护电路

射频功放作为通信系统的最末级,因大功率而极易损害.由于功率放大器是一种相对比较昂贵,且为比较脆弱的器件,因此在设计功率放大器时,应重点关注如何保护功率放大器,以避免静电、浪涌、过热过温、过压、过流、过载造成功放故障或者失效.本文详细分析了射频功率放大器的失效因为,并列举了工程上常采用的保护方式,通过模型分析,构建了功放的检测电路及保护电路,从而达到保护射频功放的目的.     

HARRIS Z10发射机功放原理及维护

HARRIS Z10CD全固态调频发射机整机由16块功放模块组成,每个功放模块包含两个独立的射频功率放大器(PA),每个射频功率放大器可以输出功率425 W。功放模块是可热插拔器件,能在发射机工作状态时拔下或插上。每块功放模块通常能在环境温度     

射频数字功放技术分析

随着数字技术快速发展的技术和工艺优势,突破了在数字域对射频信号进行功率放大的核心技术,产生了数字体制射频功放(以下简称数字功放),突破了模拟功放在主要性能即频带、线性、效率间的相互矛盾、相互制约,实现了高效、高线性、宽频带。本文主要分析了四种数字功放技术的优缺点,并对技术特点进行了分析总结,对数字功放的设计具有一定的指导作用。     

基于ANSYS的射频功率放大器热特性研究

论文首先仿真设计了一款射频功率放大器,接着构建了该射频功率放大器热特性分析模型,并采用有限元方法分析了该射频功率放大器热特性,然后研究了增加过孔以及不同覆铜层厚度、环境温度、耗散功率四种情况对射频功率放大器的温度、热应力和热形变的影响,最后基于上述分析结论加工制作并测试了该款射频功率放大器.在3.3GHz~3.6GHz范围内其输出功率不低于39.2dBm,增益不低于12dB,功率附加效率为62.6%~69%;在环境温度为21℃下,运用红外温度扫描仪进行测试,该款射频功率放大器最高温度达到90.0℃,测试结果与仿真分析结果相近.论文的研究为未来射频功率放大器的设计及制作提供了重要指导.     

L波段高效率射频功率放大器的设计与仿真

射频功率放大器是无线通信系统中的重要组成部分,其工作效率直接影响着整个系统的耗能、稳定度和对电源散热装置的要求,提高射频功率放大器的效率,能够节约能源,降低功耗,因此实现射频功率放大器的高效率工作是目前射频功率放大器领域的热点问题之一。本文选用Freescale晶体管MW6S004N,借助ADS2013软件,采用负载牵引技术和源牵引技术得到最佳负载阻抗和最佳源阻抗,并用Smith圆图进行电路的匹配设计,对射频功率放大器进行了仿真和优化。仿真结果表明,在频率为1960MHz的L波段,输入功率为21d Bm时,射频功率放大器的输出功率大于36d Bm,功率附加效率大于50%。这种高效率射频功率放大器适用于WCDMA基站,对基站中高效率功率放大器的设计有着重要的参考价值。     

新型缺陷地结构改善射频功率放大器的性能

提出了一种新型的缺陷地结构,并将这种新型的缺陷地结构应用于实际所设计的射频功率放大器中.这种新型的缺陷地结构,蚀刻在射频功率放大器的偏置线下面的地平面和输出匹配电路后方的地平面,经过最后和不加这种结构的射频功率放大器进行比较和测试验证,证明成功的抑制了射频功率放大器的二次、三次谐波.     

High-Efficiency Power Amplifier Using Novel Dynamic Bias Switching

A novel bias-switching scheme for a high-efficiency power amplifier is proposed. Two voltage levels for the drain bias of the RF power amplifier are generated using a combination of a class E dc/ac inverter and a class E rectifier with offset voltage. When signal peaks occur, the output of the class E dc/ac inverter is rectified and the rectified dc is added to the offset voltage by the class E rectifier, which boosts the drain bias of the RF power amplifier. Except during peaks, the drain bias of the RF power amplifier is connected to the offset voltage directly. Since the efficiency when there are no peaks is very high due to the direct connection between the offset voltage and drain bias, the overall efficiency of the RF power amplifier can be improved dramatically in high peak-to-average power ratio (PAPR) systems. The measured results show that the drain bias of the RF power amplifier is boosted up to approximately 1.8 times the offset voltage when the RF peaks generate. The overall efficiency of the proposed bias-switching amplifier is improved by 62% compared to that of the fixed bias amplifier in high PAPR systems     

CMOS工艺射频功率放大器的实现与验证

射频功率放大器是无线设备的关键器件,GaAs工艺被广泛使用在射频功放的设计制造上。而CMOS工艺在生产成熟度和成本上有很大优势,主要关注用CMOS工艺来做射频功放的问题,介绍世界上第一颗量产的CMOS功放及其所使用的特殊技术。利用一款成熟的手机产品,替换这颗功放及外围器件,最后与原产品进行对比测试。     

基于时域RF-DNA的功率放大器射频指纹识别

射频(RF)功率放大器是辐射源射频指纹特征产生的关键器件之一,是射频指纹(RFF)产生机理和个体识别的重要突破口。设计一种功率放大器射频指纹提取实验方法,利用时域射频独特原生属性(RF-DNA)方法成功提取了功率放大器的射频指纹,并对RF-DNA指纹进行了可视化处理。研究结果表明,功率放大器的射频指纹主要反映在幅度失真特性上,利用瞬时幅度生成的时域RF-DNA指纹能够实现对放大器个体的分类,在信噪比大于12 dB时,分类正确率在91%以上。可视化后,能直观观察RF-DNA指纹及不同功率放大器之间统计特征的相似性和差异性。     

The class BD high-efficiency RF power amplifier

Class B and class D operation of the same RF power amplifier circuit is not normally possible because of constraints imposed by the tuned output circuit and DC power input circuit. The use of square-wave drive in a current switching class D RF amplifier circuit allows the amplifier to move gradually from current source to current switch operation. This amplifier, called class BD, has a linear transfer characteristic (drive envelope to output envelope) and an efficiency 1.23 times that of a class B RF amplifier with the same peak output. The addition of a resistive AC current path to ground in the DC power input circuit of the class BD RF amplifier allows operation with sinewave driving waveforms. While this lowers the efficiency at the peak output, it can raise it at lower outputs, making possible a factor of 1.57 improvement in efficiency in the amplification of signals with large peak-to-average ratios. The class BD RF amplifier may therefore be used as a broad-band replacement for a Doherty-type amplifier.     

A 1.75-GHz polar modulated CMOS RF power amplifier for GSM-EDGE

This work presents a fully integrated linearized CMOS RF amplifier, integrated in a 0.18-/spl mu/m CMOS process. The amplifier is implemented on a single chip, requiring no external matching or tuning networks. Peak output power is 27 dBm with a power-added efficiency (PAE) of 34%. The amplitude modulator, implemented on the same chip as the RF amplifier, modulates the supply voltage of the RF amplifier. This results in a power efficient amplification of nonconstant envelope RF signals. The RF power amplifier and amplitude modulator are optimized for the amplification of EDGE signals. The EDGE spectral mask and EVM requirements are met over a wide power range. The maximum EDGE output power is 23.8 dBm and meets the class E3 power requirement of 22 dBm. The corresponding output spectrum at 400 and 600 kHz frequency offset is -59 dB and -70 dB. The EVM has an RMS value of 1.60% and a peak value of 5.87%.