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本文针对压阻式压力传感器的温度特性,提出了对其零位温度漂移和灵敏度温度漂移的补偿方法在传感器芯片上加做温敏电阻和加热电阻对其零位温度漂移和灵敏度温度漂移进行补偿,并通过试验证明这种方法是非常有效的. 相似文献
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X型横向压阻式硅压力传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍一种新型压力传感器的基本结构、特性参数,提供了三种简单的温度补偿线路,以扩宽传感器的工作温度范围.最后还介绍了一种波传感器的应用实例。 相似文献
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利用空气炮对研制的箔式镱应力传感器的动态压阻特性进行了校准,给出了传感器响应的校准拟合直线方程和线性误差,表明该传感器具有量程范围宽、频响高、线性度较高、温度系数小等特点,可广泛应用于强冲击荷载下混凝土或岩石等介质中的应力测试. 相似文献
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高雅许高斌朱晓萌张宇关存贺冯建国 《真空科学与技术学报》2023,(11):947-953
针对飞机供氧、液压、环控和燃油等系统故障预测与健康管理(PHM)对小量程压力传感器的重大需求,设计了一种新型梁膜复合结构微电子机械系统(MEMS)压阻式压力传感器,该研究通过小量程、高灵敏度的压力传感器力学机理分析和力学仿真建模,提出一种具有弧形膜和米字梁复合型结构,采用弧形硅杯支撑,通过结构和尺寸的优化设计以及压敏电阻位置的确定,在-2~12 KPa的量程内具有较高的灵敏度和线性度。利用ANSYS软件仿真分析得到设计的压力传感器灵敏度为21.801 mV/KPa,非线性度为0.02%。然后基于MEMS加工工艺设计了SOI表压压力传感器的工艺流程。 相似文献
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本文介绍了传感器信号处理器MAX1457的主要功能及其用于对硅压阻式加速度计进行温度补偿的系统组成、补偿方法等。并通过实际补偿结果表明.利用MAX1457对硅压阻式加速度计进行热零点漂移补偿和热灵敏度漂移补偿.有效提高了压阻式加速度计的温度稳定性。 相似文献
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热、压环境下压阻变换压力传感器的性能可以通过有限元方法预测.这里研究了简化的1/8模型,模型考虑了二氧化硅和氮化硅生成过程及堆阳极键合和胶粘结合过程.结果发现有限元预测结果和实验数据具有可比性.范例研究表明,硼硅堆导致产生一定的非线性,但它隔离了硬环氧树脂的非线性.在包装过程中最好使用柔性环氧黏合或软黏胶性结合.黏合材料的黏弹性和黏塑性将会导致传感器输出的滞后和漂移误差.然而,在相对稳定的环境下。软黏合剂对传感器的影响可以忽略.此外,详细的设计和过程信息有助于提高模型的适用性. 相似文献
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从光纤布拉格光栅温度传感模型出发,对光纤布拉格光栅温度传感的理论进行了分析,并通过实验对裸光栅的温度特性进行了研究,推导出了光纤布拉格光栅温度传感的一阶有效线性灵敏度系数的解析式.实验结果表明,光纤光栅在所测温度范围内具有良好的线性特性,与理论结果基本一致.表明光纤光栅温度传感的理论模型具有良好的实验基础. 相似文献
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以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同.由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件.但是有些区域的斜率过大,以至于压阻效应失去线性及稳定性而变得没有实用价值.另外,在某些工作区域由于共振隧穿结构本身具有的双稳态特性,而使其完全失去压阻特性.本文对这些问题进行了系统分析,并对一个具体的结构,分析其工作区域及特性,给出最高灵敏度可达700左右. 相似文献
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Piezoresistance of top-down suspended Si nanowires 总被引:1,自引:0,他引:1
Koumela A Mercier D Dupré C Jourdan G Marcoux C Ollier E Purcell ST Duraffourg L 《Nanotechnology》2011,22(39):395701
Measurements of the gauge factor of suspended, top-down silicon nanowires are presented. The nanowires are fabricated with a CMOS compatible process and with doping concentrations ranging from 2 × 10(20) down to 5 × 10(17) cm(-3). The extracted gauge factors are compared with results on identical non-suspended nanowires and with state-of-the-art results. An increase of the gauge factor after suspension is demonstrated. For the low doped nanowires a value of 235 is measured. Particular attention was paid throughout the experiments to distinguishing real resistance change due to strain modulation from resistance fluctuations due to charge trapping. Furthermore, a numerical model correlating surface charge density with the gauge factor is presented. Comparison of the simulations with experimental measurements shows the validity of this approach. These results contribute to a deeper understanding of the piezoresistive effect in Si nanowires. 相似文献
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