飞利浦开始大批量生产90nm CMOS产品并完成专用测试芯片工艺试验

皇家飞利浦电子公司宣布有3款关键的90n m C M O S产品正式在法国Crolles的Crolles2联盟晶圆生产厂投入大批量生产,其中一款产品每月的发货量已经超过100万片。飞利浦公司的这三款产品是用于高度集成的系统级封装(System-in-Package(SiP))连接解决方案的基带芯片。通过这三款产品,飞利浦展示了90nmCMOS工艺在缩小此类解决方案在尺寸、降低功耗以及使其保持价格竞争力方面的优势。快速进入90nmCMOS产品大批量生产阶段意味着飞利浦公司不久就可将生产转移到台湾半导体制造公司(TSMC)的工厂。根据飞利浦和TSMC达成的联合开发计划协…     

飞利浦采用65nm低功耗CMOS工艺实现一次成功的消费产品SoC

飞利浦宣布已实现一次成功的65nmSoC,可以满足3G手机和液晶电视在内的下一代移动多媒体和家庭娱乐产品对复杂设计的需求。新芯片是面向消费产品、65nm低功耗CMOS工艺的S o C,采用具有I E M(智能能量管理)技术的ARM1176JZF-S处理器、512K字节高速低功耗可擦写存储器(scratch-pad     

飞利浦推出65纳米低功耗CMOS SoC

飞利浦电子公司日前宣布已成功实现一次成功的65纳米片上系统（SoC），可以满足诸如3G手机和高性能液晶电视在内的下一代移动多媒体和家庭娱乐产品对复杂设计的需求，从而巩固了自己在消费产品应用低功耗CMOS技术上的领先地位。     

飞利浦推出基于ARM9的90nm MCU

飞利浦电子公司日前推出首个基于ARM9系列的90nm 32位微控制器系列。LPC3000系列基于飞利浦的Nexperia平台，采用飞利浦、飞恩卡尔半导体和意法半导体在法国建立的Crolles2鞋盟先进的300mm试验设备开发的90nm工艺技术制造。通过采用90nm工艺技术和ARM926EJ-S内核，飞利浦可以降低生产成本，减少功耗，并提高其先进的32位微控制器的运行速度。     

飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器

飞利浦电子公司今天宣布其0．18微米CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其0．14微米嵌入式闪存／EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。飞利浦表示，这两项最新的发展是飞利浦产品发展规划中的重要里程碑，表明其低功耗闪存／EEPROM技术已扩展到90纳米CMOS及更先进的水平。     

飞利浦的90nm ARM处理器将高性能与低功耗融为一体

皇家飞利浦电子公司的LPC3000系列微控制器基于ARM9内核，采用飞利浦、飞思卡尔半导体和意法半导体在法国建立的Crolles2联盟先进的300mm试验设备开发的90nm工艺技术制造。通过采用90nm工艺技术和ARM926EJ-S内核，飞利浦可以降低生产成本，减少功耗，并提高其先进的32位微控制器的运行速度。因为90nm技术支持1V运行，使功耗仅为3V器件的1／9。ARM9系列还提供其他功率管理功能，     

利用系统级封装技术提升产品市场竞争力

随着集成电路制造工艺水平的提高,器件的集成度也越来越高,“接催生了系统级芯片（SoC）的普及。SoC将处理器、存储器、接口、驱动与控制电路以及其它周边应用电路整合到一个芯片上,可以说是集成电路技术的一大进步,对提升电子产品性能、缩小体积起到了重要的作用。然而随着摩尔定律的延续,集成电路线宽缩小已接近极限,     

系统级封装帮助消费者在途中实时收看电视节目

皇家飞利浦电子公司日前推出能够在2005年第四季度实现手机电视的系统级封装(SiP)。该解决方案基于DVB—H标准，将一个完整的数字电视接收器具备的所有功能集成在只有指甲大小的空间中。它能帮助消费在路途中实时接收电视节目、图片、电影及音乐。     

飞利浦发布业内最快的32位ARM微处理器

皇家飞利浦电子公司日前推出LPC2130系列5款具有512K片上闪存的32位MCU系列产品。此系列MCU具备现有32位ARM。MCU双倍的速度和4倍的性能。LPC2130系列面向嵌入式系统应用而设计，包括工业控制、计算机外设和医疗市场，它提供了速度最快的闪存，采用了0．18微米CMOS技术、可进行超低功率运转，并有内置纠错功能。     

MCM(MCP)封装测试技术及产品

1、简介南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导     

O.16微米CMOS工艺技术

和舰科技自主创新研发的0.16微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩(实际尺寸为0.162微米),大大降低了芯片的面积尺寸;且能与现有的0.18微米制造工艺相互兼容,大幅度缩短了新产品达到量产的时间,具有低成本、高效能、高良率、工艺成熟的优点;可以为客户生产更具有技术和价格竞争力的产品,并填补了国内晶圆厂在该领域的空白.