电子封装中电镀常见缺陷原因分析

介绍了电子封装中10种电镀常见缺陷,包括漏镀、厚度不足、锡皮、毛刺、起皮、烧焦、变色、沾污、可焊性差和发花.分析了造成这些缺陷的主要原因.     

缓蚀剂在电镀技术中的应用

阐述了缓蚀剂在电镀及其相关工艺中的应用情况。     

电子封装外壳均匀性及差异性电镀方案设计

介绍了电子封装外壳均匀性及差异性电镀的设计方案。通过旋转电镀实现电子封装外壳镀层均匀性的要求,采用双电源方式实现封装外壳镀层差异性的要求。     

先进电子封装技术与材料

概述了目前主要的先进电子封装技术及发展趋势、电子封装材料的发展历程以及随着先进的封装形式和技术的不断更新,封装材料的发展方向;重点阐述了环氧塑封料的性能、性能与组分间的关系、改进方法以及发展趋势;简述了先进封装用的液体环氧封装材料、聚酰亚胺材料等研究情况。     

电镀铜技术在电子材料中的应用

电镀铜层具有良好的导电、导热、延展性等优点,因此,电镀铜技术被广泛应用于电子材料制造领域。本文概括了几种常用电镀铜体系的特点,重点介绍了在电子制造中应用较广的酸性硫酸盐电镀铜镀液的组成和各成分作用。简述了电镀铜在铜箔粗化、印制电路制作、电子封装、超大规模集成电路(ULSI)铜互连领域的应用,并对近年来电子工业中应用的几种先进电镀铜技术,包括脉冲电镀铜技术、水平直接电镀铜技术、超声波电镀铜技术、激光电镀铜技术等进行了评述。     

超声波在电镀中应用的研究进展

阐述了超声波的工作原理,对超声波在电镀中的作用进行了总结,对超声波电镀单质金属、合金以及复合镀层等工艺的国内外研究现状进行了综述,并对超声波电镀的应用前景进行了展望,并提出了有待深入研究的一些问题。     

电子元器件可焊镀层电镀技术现状及发展动态

本文对我国电子工业电子元器件可焊镀层——主要指锡及锡合金镀层——电镀技术的现赦及发展动态作了系统综述。全文分两个部分。第一部分为电镀j匕亮纯锡,第二部分为电镀光亮锡合金。作者认为两者的现状及发展体现了两个趋向:1.基础溶液的开发研究,包括在硫酸亚锡-硫酸基本体系内引入特定金属如铅、铈、铋、锑、铟,电镀锡及其合金,以及从有氟到无氟的发展;2.电镀添加刺的开发研究,在此,作者推荐了近年来推出的 BF 与 DB 添加剂,特别是后者。     

整平剂及电流密度对电子封装用铜微凸点电镀的影响

研究了宏观整平剂、微观整平剂及电流密度对铜微凸点表面平整性的影响,探讨了2种整平剂和电流密度对铜微凸点表面的作用机制.镀液组成和工艺参数为:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,整平剂H和W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.结果表明,宏观整平剂可促进铜的沉积,微观整平剂则可抑制铜的沉积,二者相互配合可改变电镀过程中镀孔的电力线分布,使电流密度分布均匀.在一定范围内提高电流密度可加快铜微凸点的生长.在6 A/dm2下,2种整平剂的质量浓度均为5 mg/L时,可制得结晶细腻、表面平整的铜微凸点.     

超声波在电镀技术中应用

超声波技术应用于电镀中可以强化电镀过程、改善镀层质量和优化镀层性能,获得优质镀层.介绍了超声波在镀前零件清洗中的机理和应用,概述了超声波在电镀金属镀层和纳米微粒复合镀层中的研究进展及其工程应用,指出了超声波电镀技术中需进一步解决的问题,并展望了其应用前景.     

电子封装用环氧树脂的研究进展

介绍了国内环氧树脂的生产现状及其在电子封装业中的发展前景,并概述了现代电子封装对环氧树脂性能的新要求及电子封装无铅化对环氧树脂提出的挑战。     

电子塑封材料研究进展

简述了电子塑封材料的特点.概括了封装材料常用的酚醛树脂(PF)、苯并噁嗪树脂(BOZ)、氰酸酯树脂(CE)、环氧树脂(EP)、聚酰亚胺(PI)、双马来酰亚胺(BMI)、聚苯醚(PPO)等几种树脂基体的性能.并根据现阶段电子封装材料的发展要求,重点叙述SiO<,2>、Si,N<,4>、Al<,2>O<,3>,及AIN等填...     

电刷镀Ni-PTFE复合镀层工艺研究

采用电刷镀技术,在不同工艺参数条件下,制备了Ni-PTFE复合镀层,并研究了各工艺参数对PTFE复合量,以及PTFE复合量对摩擦系数的影响。结果表明,PTFE加入量和镀液温度对复合量的影响较大,而电压和相对运动速度对复合量影响较小;摩擦系数随PTFE复合量的增加先减小,然后保持不变;PTFE加入量为10mL/L、镀液温度为40°C、电压为8V、相对运动速度为12m/min时,可获得PTFE复合量较高且分布均匀、表面形貌好的Ni-PTFE复合镀层。     

功能性多层电镀的发展

综述了多层电镀层的结构特点、腐蚀机理、镀层组合形成、分类及应用。     

日本电子电镀工业中的化学镀金工艺(二)

文章第二部分论述了提高硼氢化钾和DMAB体系镀液稳定性的方法,并介绍了新型化学镀金体系:NaAuCl4的胺硼烷镀液体系、亚硫酸盐镀液体系和硫代硫酸盐镀液体系。通过金配离子的稳定常数和阴、阳极极化曲线的对比,讨论了亚硫酸盐镀液体系和硫代硫酸盐镀液体系中金的析出速率。     

Electrochemical co-deposition of ternary Sn–Bi–Cu films for solder bumping applications

This paper reports the co-deposition of Sn–Bi–Cu films using stannic salt bath which has good stability for up to a week. The effect of current density and bath stirring on the film composition and microstructure has been studied. The deposited films are rich in the more noble metal Bi at current densities up to 5 mA cm⁻² but stabilize to about 49 wt. % Bi, 47 wt. % Sn and 4 wt. % Cu at 10 mA cm⁻² and beyond, indicating the effect of limiting current density. There is improvement in the microstructure with stirring or aeration, but the film composition reverts to the Bi rich state, with close to 90 wt. % Bi for deposition at 5 mA cm⁻². This is attributed to the dispersion of Sn²⁺ ions generated at the cathode during the two-step reduction of Sn⁴⁺ ions, due to stirring. The bath is suitable for near eutectic compositions of Sn–Bi with <5 wt. % Cu content.     

Thermally conductive polymer composites for electronic packaging

Polyurethane composites filled with alumina or carbon fibers were prepared to study the thermal conductivities and dielectric properties of polymer composites under humid environments. The thermal conductivities of these polymer composites in relation to filler concentrations and filler sizes were investigated and it was found that the thermal conductivities can increase up to 50 times that of pure polyurethane. The results were analyzed using Agari's model to explain the intrinsic reasons to affect the thermal conductivities of composites. The dielectric loss of these polymer composites were also measured to estimate the influence of moisture under various humid environments. © 1997 John Wiley & Sons, Inc. J Appl Polym Sci 65: 2733–2738, 1997     

无铅纯锡电镀晶须产生的原因和控制对策

开发无铅化纯锡电镀技术必须首先解决锡须问题。讨论了锡须形成的影响因素及机理。开发出一种能有效防止锡须生成的无铅纯锡电镀添加剂,该添加剂具有结晶细致、可焊性好、消耗量低、使用维护容易等优点,从而建立了一种抑制锡须的有效方法,同时解决了纯锡电镀中的其它难题。介绍了控制锡须的其它一些有效措施及锡须生长加速试验。     

食品接触材料中污染物分析技术的研究进展

对食品接触材料中可能产生的食品污染物及其分析技术进行综述,重点介绍了抗氧化剂、有意添加物、非有意添加物（NIAS）、低聚物、挥发性气味物质等污染物,以及其定性分析技术（挥发性有机化合物、非挥发性有机化合物）、表面分析技术及定量分析技术,以期为食品接触材料的质量管控及食品安全的监管提供技术参考。