超大规模集成电路生产中的超纯水系统

随着集成电路技术的不断发展，对生产所需纯水水质要求理镐，本文系统介绍了超大规模集成电路生产中的超纯水质水质指标，典型制备流程，输送管材以及超纯水制备系统的发展。     

深亚微米工艺用二次纯水系统

本文介绍了深亚微米工艺用二次超纯水系统主要工艺流程及其各部分的作用。比较了一次纯水电阻率,二次纯水电阻率及二次纯水 TOC 含量的相互关系。讨论了半导体集成电路制造工艺对超纯水的水质要求以及水中杂质对半导体工艺的影响。     

集成电路与超纯水

本文以16M位、64M位集成电路工厂纯水为实例，介绍了两套超纯水装置的处理流程与制水特点，它们均已通过一年多运转的考验，处理效果稳定，水质指标分别达到了设计水质要求。     

ELGA全自动超纯水处理系统的工艺和设备特点

在集成电路工业已经进入超大规模集成电路时代的今天,如何使超纯水这一重要基础材料的纯度达到电子级Ⅰ级水准,已成为我国净化技术中超纯水处理领域一个急待解决的技术问题。本文专题介绍英国ELGA公司全自动超纯水处理系统工艺流程和设备的特点,最后介绍了该系统生产的超纯水所达到的质量指标。     

超纯水管道设计及管材选择

随着半导体、集成电路的发展,特别是大规模集成电路发展到超大规模集成电路阶段,电路线宽已小于1μm以下。对生产过程中所使用的纯水水质更加严格(表1)。水质主要指标是电阻率、微粒、细菌和总有机碳     

超纯水中的微粒与去除方法的探讨

一、前言 超纯水在大规模集成电路生产的研磨、抛光、外延、氧化、光刻、扩散等工序中,作为清除器件表面的金属离子沾污和加工过程中的尘埃沾污,保证器件应有的电学性能,提高可靠性等方面都有重要作用。 实验证明,超纯水的水质直接与产品的质量和成品率的提高相关联。对于大规模集成电路的清洗用超纯水,要求有更高的纯度。因为水分子是具有极性的分子,水越纯极性越大,清洗器件表面沾污的能力也就越强。其衡量标准主要有两项,一项是水的电阻率,一项是>0.5μ微粒子的含量。 目前上述标准都是从美国和日本等国家引用过来的。我国尚未制定电子工业用超纯水的     

大规模集成电路工艺用高纯水及其与电路成品率的关系

为了制备大规模集成电路工艺用高纯水,本文描述了我所高纯水制备过程中各部分的水质及控制指标。文章还介绍了用普通的光栅光谱仪、火焰原子吸收分光光度计及万能分光光度计等仪器检测高纯水水质的一系列方法。为了明确高纯水中Na含量对电路成品率的影响,文章给出了在工艺基本稳定的情况下Na含量与电路相对成品率的统计曲线和讨论。     

日本伊藤忠商事株式会社超纯水介绍

半导体集成电路集成度对超纯水水质的要求如下表:超纯水制备主要流程:原水→水槽→快速搅拌→慢速搅拌→沉淀槽→多层过滤→水槽→加酸系统(PH值=5)→脱氧器→加热器→过滤器→RO(反渗透)→水槽→混合床→过滤器→纯水槽→紫外杀菌→非再生磨光器→微过滤→超滤→成品水.一系列的预处理措施,对于延长使用寿命,减少清洗次数都起到了不可忽视的作用,从而维持了RO的日产水量和脱盐率.脱盐率     

超纯水制造装置

由于超大规模集成电路的飞速发展，使超纯水水质要求不断提高。并提出了一些新的项目要求。半导体行业目前是处在64M位时代，不久即将进入256M位的新时代，集成度每前进一步，杂质要求减少到原有标准的1／2～1／10(大约)。水质要求值和水质评价技术的发展，不能超越实际，更不能提出不切实际的苛刻要求，水质分析应以生产要求的下限值做为对保证水质的标准。对水中杂质的存在和对器件影响，以及彼此之间的因果关系不清楚的情况下盲目制定降低杂质指标是不可取的。     

超纯水终端设备

昆明物理研究所为满足红外材料和器件工艺对纯水的要求,研制出超纯水终端设备,安装在实验     

纳米级集成电路与超纯水

阐述美国《国家半导体技术发展战略》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求。以我国8英寸/0.18微米和12英寸生产线和相关数据与其对照.表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数巳可满足该发展要求，而在SiO2、微粒限定、检测技术以及超纯水耗量降低等方面尚有差距和问题，提出相应的解决方案，讨论了超纯水等项水资源消耗的降低途径。重申了水回收的意义，关注“功能水”和高效，省能的GDI（聚合型电去离子）装置将是有益的。     

纳米级集成电路与超纯水

阐述美国《国家半导体技术发展路线》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求,以我国8英寸/0.18μm和12英寸生产线的相关数据与其对照,表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数已可满足该发展要求,而在SiO2、微粒限定、检测技术以及超纯水耗量降低等方面尚有差距和问题,并提出相应的解决方案,讨论了降低超纯水等项水资源消耗的途径。重申了水回收的意义,关注“功能水”和高效、省能的GDI(聚合型电去离子)装置将是有益的。     

300 mm晶圆线超纯水水质浅析

基于现代超纯水系统的若干实践,浅析现今超纯水水质的难点(TOC、SiO2、微粒的达标),述评300mm线水质要求上的现实性。     

IC工艺用超纯水系统的TOC实验研究

从运行管理角度,以实验方法考察了IC工艺用超纯水制造过程中TOC(总有机碳)的若干问题。通过在线测量一次纯水、二次纯水的TOC含量和相应的数据统计,评估了水平各异的两套超纯水制造系统中各主要装置对TOC的除去效率及其对TOC的影响。     

高纯水制备技术

近年来,随着大规模集成电路研制工作的发展,对高纯水中离子、微粒、细菌和胶体都提出了苛刻要求,这些杂质对MOS器件参数和成品率影响极大。在制备高纯水中,除了严格管理和操作之外,还必须选择合理流程和装置。 为了进一步改善我室水质以满足静态4K RAM和动态16KMOSRAM电路研制工作的需要,八二年分别应用电子工业部第十设计院及江苏宜兴超滤设备作为高纯水的后处理。根据永川地区水质状况,选用宜宾D201多孔树脂、采用多级过滤、微滤,超滤和紫外线杀菌等技术作后处理系统。为我室MOS电路研制工作提供了高纯水。     

半导体生产中的超纯水

许多工业,龙其是制药业和电子工业,消耗的超纯水量与日剧增。虽然在这些工业中使用超纯水的原因不尽相同,但对超纯水质量标准的要求却大抵相同。当低功率 MOS 集成电路开始大量投产时,人们就认识到:通过对作功的晶体表面强去污便可改善这类 MOS 电路(例如手表电路)的工作可靠性和长期稳定性。这种想法就是最大限度地清除离子,特别是碱金属和重金属离子,化学家证实了超纯水是一种最有效的去污剂。超纯水可认为是一种纯度达99.99999~+     

微电子学生产用高纯水的制备

高纯水——在电子工业中常定标为18兆欧——早已成为制作集成电路及类似的单片器件的主要材料之一。现在,几何尺寸变得更小的更高水平集成要求更严格控制工艺水中的微粒物质。为了最经济地生产这种高纯水,每一个特殊的应用需要一个适当的系统设计,该设计不但考虑到源水正常下的水质,而且还注意到它的暂时性的变化。     

电子和半导体行业纯水制备设备分析

电子和半导体行业对纯水水质要求较高,纯水制备过程中需逐级去除各种污染物,最终达到用水要求。文章针对典型种类的污染物,阐述了当前工程中已得到广泛应用的污染物去除设备及典型纯水制备工艺路线,以供相关人员参考。     

利用成批喷雾式方法降低周期时间并提高工艺性能

在集成电路工业中当器件的线宽变得越来越小时,设备制造商必须通过改进现存的应用与发展新的应用来达到或超过不断加严的制造工艺需求.因此,依靠使用臭氧和稀释的氢氟酸来减低化学物品和去离子超纯水的消耗的要求已经被制造商们提出来了[1～3].     

节水技术在半导体制造企业的应用

介绍了集成电路制造中的用水,讨论了节水在该行业中的重要性.详细分析了用水的特征和可能实现的节水手段和方法,特别阐述了如何对生产过程中使用的超纯水进行节流回收和再利用有价值的废水,为实现环保节能的集成电路制造企业提供了现实可行的操作依据.