nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究

本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨．结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对数增长；与漏附近栅氧中的纵向电场有直接的关系；与热空穴的注入效率没有明显的联系．     

LDD NMOS器件热载流子退化研究

对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDD NMOS器件的退化呈现出新的特点.通过实验与模拟分析,得出了热载流子应力下LDD NMOS退化特性不同于常规(非LDD)NMOS的物理机制.并通过模拟对此观点进行了验证.     

2～3微米MOS IC离子注入工艺转换

本文叙述了从西门子、东芝引进的2～3微米MOSIC生产线上，由于离子注入设备的不同，在工艺转换过程中由中方技术人员所解决的几个重要问题。1．用固体（磷、砷）源成功地替代了气体（磷烷、砷烷）源材料．并用国产固体磷替代进口固体磷、用中阻圆片替代高阻圆片顺利完成了注入机的调试和工艺验收。2．通过调整大束流注入机的“T”、“K”因子及中束流注入机的“MASK”面积因子，把注入机校正到符合西门子（2μm）工艺规范；建立了与东芝所用注入机的相关数据曲线。3．首次在MOSIC生产线上采用图片注入后方块电阻分布图形分析法，来判断大束流注入机电子淋浴器工作情况，控制静电破坏，将Z476测试图形成品率由50％提高到98．08％以上。从而保证了IC成品率。离子注入是这条引进MOSIC生产线唯一没有外方专家现场指导的工艺，所有工艺转换及技术改进全部由中方技术人员独立完成，为国家节约专家费5万美元以上。     

包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析

采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点考虑了衬底电流的作用.模拟结果与实验有很好的一致性.该解析模型计算简便,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析.     

包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析

采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 ,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析     

MOS工艺工程技术研究

本文阐述了MOS/CMOS工艺工程技术的特点、研究内容和研究方法,对工艺工程技术进行了全面而系统的分析研究,以提高工艺综合水平,加速MOS和CMOS集成电路向高速化高集成化方向发展,并适应多电路品种的科研开发线和生产线的需要。工艺工程技术研究的核心,就是要解决把单项工艺技术与器件技术综合起来,并转化成集成电路产品的过程中所碰到的关键技术问题。它具有一定的系统性,既要遵循科技发展规律,又要遵循经济发展规律。     

TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压     

NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究

本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.     

基于Taurus Workbench的亚微米n沟MOS器件关键工艺参数的优化

简要介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench。对亚微米n沟MOS工艺的特点进行了分析。在Taurus Workbench环境下进行亚微米n沟MOS器件关键工艺参数的优化，优化结果印证了新工艺条件对器件性能的改善。     

SOI LDD MOSFET的栅电流的模拟

本文介绍一种采用载流子总量方法分析ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序ＬＡＤＥＳ７联解器件内部二维泊松方程、电子和空穴的连续性方案。ＬＡＤＥＳ７可用于设计和预测不同工艺条件、几何结构对器件性能的影响。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件的特性并给出清晰的内部物理图象。本文给出了ＬＡＤＥＳ７软件模拟的部     

热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响

讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ－Ｖ特性曲线畸变，平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔ＾ｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响

讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。     

一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨

本文从技术和技术管理的角度，研究探讨了一条多电路品种的ＣＭＯＳ科研开发线的运行机制。从多方面阐述了为保持这样一条件研开线高水平，高效益运转所必须考虑的一些基本准则。本文阐述了一种自调整高效运筹法，介绍了该方法的基本要点，运算实例以及与习惯方法相相比较所具有的优点。     

超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应

通过对采用0.18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现，短沟薄栅氧LDD nMOSFET（Lg=0.18μm，Tox=3.2nm）在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子（DAHC）应力下的器件寿命要短，这与通常认为的DAHC应力（最大衬底电流应力）下器件退化最严重的理论不一致．因此，这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型（LEM）的框架理论来解释．认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子，在Si-SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域，由Si-SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的．