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船底防污涂料用氧化亚铜制备的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用水溶液电解工艺制备出了船底防污涂料用的氧化亚铜粉末。研究了电解液组成及其浓度、电解温度以及电流密度等因素对氧化亚铜产品质量的影响,得到了电解法制备氧化亚铜的优化工艺条件:[NaCl]=250g/L,[NaOH]=0.1~1.0g/L(pH=11.1~12.1),电解温度:80~85℃,电流密度:500~1500A/m2,[Na2CrO4]=0.03~0.05g/L。在此工艺条件下可制备出Cu2O≥97%以上的产品。 相似文献
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冷喷涂Cu-Cu2O涂层防污性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过冷喷涂技术制备了4种不同Cu、Cu2O配比的Cu-Cu2O涂层,涂层组分表征实验及实海防污挂片实验结果表明:在喷涂过程中,Cu粉和Cu2O粉均没有出现大量氧化现象,涂层的主要防污组分Cu2O能够顺利制备到涂层中;在喷涂过程中Cu2O粉不能100%利用,10% Cu2O-90% Cu、20% Cu2O-80% Cu和30% Cu2O-70% Cu粉末制备的涂层中Cu2O实际的质量分数分别为8.35%、15.72%、22.57%;Cu2O对Cu涂层溶解的促进作用和Cu2O自身与Cl-的反应,使涂层中Cu2O含量越高,铜离子渗出率越大.20% Cu2O-80% Cu涂层和30% Cu2O-70% Cu涂层的铜离子渗出率始终保持在50 μg/(cm2·d)以上,可以抑制绝大部分海生物的附着;实际涂层样板在厦门海域分别浸泡1个月、3个月、13个月,各时段防污效果最好的始终是30% Cu2O-70% Cu涂层. 相似文献
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采用简便易行的化学沉淀法制备了花簇状氧化亚铜,通过XRD、FE-SEM、BET等方法对其进行表征。以大肠杆菌为受试菌种,通过与立方体氧化亚铜对比,探究其抑菌过程,研究了比表面积对氧化亚铜抑菌性能的影响。此外,还探讨了氧化亚铜的抑菌机制。 相似文献
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纳米氧化亚铜是一种新型的 p 型半导体材料,具有活性的空穴-电子对和良好的催化活性,因其独特的性质而在诸多领域有着广泛的应用.总结了近年来制备纳米氧化亚铜的方法,比较了它们在粒径、晶型形态控制以及制备条件等方面的优缺点,并介绍了其性质、应用等方面的研究进展. 相似文献
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在FTO(即掺杂氟的Sn O2透明导电玻璃)基底上采用两步恒流电沉积,得到厚度约500 nm的金属Cu薄膜,然后置于Sn O2溶胶中浸渍并经175°C加热氧化,制得由超薄Sn O2修饰的Cu2O多孔薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电镜(SEM)和漫反射–紫外可见光谱(UV-Vis DRS)表征了试样的结构、形貌及光学性质。通过在0.2 mol/L Na2SO4溶液中测试样品在可见光和零偏压下的光电流,分析了薄膜的光电化学性能。结果表明,超薄的Sn O2修饰层能显著增强Cu2O多孔薄膜的光电化学性能。在Sn O2溶胶中浸渍10 s所制备的超薄Sn O2修饰Cu2O多孔薄膜,其光电流密度是Cu2O未修饰薄膜的4倍。 相似文献
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Cu2O/ZnO solar cells with improved performance were fabricated by an inexpensive two-step process. The process involves potentiostatic
deposition of ZnO on NESA glass (tin-oxide-coated glass) followed by galvanostatic deposition of Cu2O to form Cu2O/ZnO/NESA solar cells with a short-circuit photocurrent density of 2.08 mA cm−2,an open-circuit voltage of 0.19 V, a fill factor of 0.295 and conversion efficiency of 0.117%. The performance of the solar
cells thus prepared is discussed in terms of the laminated structure, construction of the heterojunction, and the crystallinity
and optical properties of each semiconductor. 相似文献
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利用酸性CuCl2蚀刻废液制备微米级Cu2O粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
以含CuCl2酸性蚀刻废液为原料,葡萄糖为还原剂,采用液相还原法制备分散性好的微米级Cu2O粉. 实验确定最佳制备条件为:反应温度80℃,终点pH值8~9,反应时间1 h,还原剂和铜离子摩尔比为0.8. 所制Cu2O产品纯度为99.34%,Cu回收率可达99.7%. 进一步采用XRD, SEM, LZS, TG等手段对产物进行表征,结果表明产品为高纯Cu2O,粒径为1.8~2.2 mm,空心多面体结构,且常温下抗氧化性好,有可能用于催化剂、涂料、染料等的制备. 相似文献
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采用电化学恒电位沉积方法在ITO导电玻璃上和在ZnO薄膜上沉积氧化亚铜(Cu2O),并通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对晶体的微观结构和表面形貌进行了分析.在ZnO基底上沉积得到了纳米级的Cu2O粒子并且具有明显择优取向,而在ITO导电玻璃上仅得到粒径为2—5胛的Cu2O粒子,没有明显的择优取向,对薄膜的生长机理进行了讨论. 相似文献