超薄硅片倒角工艺研究

在硅片加工的前期工程中,由于切割成型的硅片存在着边缘崩口、裂纹、应力集中等物理特性差的现象,需用倒角机来对硅片进行边缘磨削加工,以改善硅片的物理性能,随着硅片厚度的减小,硅片边缘越来越容易出现崩边,碎片率也逐渐提升,砂轮寿命也在逐渐降低,硅片的倒角技术逐渐变为一个难题。本文通过对砂轮转速、吸盘转速的改变来开展工艺试验,当加工超薄硅片时适当减小砂轮转速,可明显提高硅片边缘倒角质量;吸盘转速一般稳定在15 mm/s左右时,加工速率相对比较高,边缘质量也会得到最大程度的保证。     

硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

利用电学测量方法,给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法.首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到故障的粒径分布.再利用缺陷与故障之间的关系,进一步推导出缺陷粒径分布的参数.结果表明该方法适合于不同的缺陷粒径分布模型,而且得到的参数可以用于集成电路成品率预测.     

硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

利用电学测量方法,给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法.首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到故障的粒径分布.再利用缺陷与故障之间的关系,进一步推导出缺陷粒径分布的参数.结果表明该方法适合于不同的缺陷粒径分布模型,而且得到的参数可以用于集成电路成品率预测.     

大直径硅片的技术趋势

本文分两部份,分析了日本电子工业开发联合会大直径硅片技术趋势专业分会提出的技术研究报告。这份研究报告,加深了对大直径硅片技术发展趋势的了解,增强了对引入16MbDRAM用200mm直径硅片所代来的问题的认识。据估计,采用大直径硅片,在成本方面获得的好处将提高到30％。所要求的基准参考平整度是,20mm×20mm区域内为0.5μm。本文的第Ⅱ部份将介绍热应力考虑,提出对片子的机械损伤和片子与舟之间热性能匹配需要更加留心。可能需要使用立式炉子,片子上粒子含量必须减少至≤10％片,还要求片上金属杂质含量大约为10~(10)cm~(-2)。文章预计了片子电阻率和含氧梯度的改善,还预示了氧浓度的降低。尺寸和其它参数的容限将需要减小;在许多场合,外延硅片仍将被采用。     

自动缺陷检查—一种减少缺陷密度,提高成品率的方法

本文论述了寻代缺陷源的工作，缺陷会导致硅片上的管芯失效。要做这一工作，必须能够在线确定缺陷的类型和密度，以确定缺陷是在工艺中的哪几步产生的。通常有两种方法：一种是用显微镜对产品或测试片进行检查；第二种是使用电测试结构的短流程试验，在作ＶＬＳＩ技术的工程分析时，这两种方法都有明显的局限性。镜检的数据缺乏可重复性，并且，不同操作者的结果有很大降到很低的水平。电测试结构需要一层经光刻和腐蚀的导电薄膜，使     

硅片工艺缺陷复检和自动分类系统

随着半导体技术的不断发展 ,在硅芯片制造过程中应用行之有效的缺陷检测、分类和管理技术 ,以提高成品率、降低生产成本将变得越来越重要 ,其中最为关键的任务即是能够尽可能早地鉴别缺陷类型及其可能的成因。配以LEICAADCNT系统的LEICAINS30 0 0缺陷复检和自动分类系统能根据建立的数据库对硅片上的缺陷进行自动复检、分类和统计。帮助工程师们从缺陷类别的角度来实施缺陷管理 ,加速了诊断工艺问题的进程 ,从而达到提升成品率、降低成本的目的。     

硅片缺陷自动检测分类方法探究

作为电池发电实际效率的重要影响因素,硅片质量具有重要作用。生产硅片的过程中需要综合考虑多种因素,这是因为硅片生产本身具有一定的缺陷。其中,多晶硅片经常性的缺陷主要是纯度不高以及位错缺陷。单晶硅片当中产生的缺陷主要是漩涡缺陷。出现硅片缺陷可能会造成电池片发电能力受到影响,并降低电池的使用寿命。为此,加强对半导体硅片的自动检测分类方法进行研究具有重要意义。     

BiCMOS—硅片加工的新浪潮

目前,有股新的浪潮正在与CMOS加工技术进行激烈的竞争,这就是Bi CMOS技术。明智的人都将乘着它进入新的世纪;而那些忽略了它迅速聚积起来的力量的人,将像八十年代初期忽略了CMOS强人力量的半导体公司一样被淘汰掉。     

半导体硅片清洗工艺发展方向

对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向。     

超薄硅双面抛光片抛光工艺技术

MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求.介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法.通过对硅片抛光机理[1],抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光...     

探索晶圆级芯片贴装薄膜和芯片制备集成工艺的新挑战

分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装薄膜贴覆工艺,芯片制备以及后序工艺中所遇到的巨大挑战。     

用于3D集成中的晶圆和芯片键合技术

3D集成技术包括晶圆级、芯片与晶圆、芯片与芯片工艺流程,通过器件的垂直堆叠得到其性能的提升,并不依赖于基板的尺寸和技术。所有的报道均是传输速度提高,功耗降低,性能更好及更小的外形因素等优势使得这种技术的名气大振。选择晶圆或芯片级集成的决定应基于几个关键因素的考虑。对于不同种类CMOS、非CMOS器件间的集成,芯片尺寸不匹配引发了衬底的变化(如300mm对150mm).芯片与晶圆或芯片与芯片的堆叠也许是唯一的选择。另外,当芯片的成品率明显地不同于晶圆与晶圆键合方法时,在堆叠的晶圆中难以使确认好芯片的量达到最大。在这种情况下,应将一枚或两枚晶圆划切成小芯片并仅将合格的芯片垂直地集成。只要适当地采用晶圆与晶圆键合工艺便可实现高成品率器件同类集成。晶圆间键合具有最高的生产效率,工艺流程简便及最小的成本。满足选择晶圆级或芯片级工艺总的工艺解决方案应结合对准和键合细节来考虑决定最终的设备选择和工艺特性。所有这些工艺的论证证实对于多数产品的制造3D集成是可行的,而且有些也已成为生产的主流。     

Mechanism of Wafer Bonding Process

The basic force and bonding energy in wafer bonding have been revealed in this study.The basic cause for bonding contributes to the interatomic attractive forces between surfaces or the rduction of surface energies.The amplitude of roughness component can not exceed the criterion if wafer pair is bondable.The bonding behavior and challenge during annealing have been investigated.     

InP/Si键合技术研究进展

InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景。概括地介绍了近年来InP在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展,并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析。降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势。比较几种键合技术,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径。     

微机械加工中的图形硅片键合技术

重点介绍了在微机械加工中碰到的带图形硅片键合工艺,测量了不同表面处理和不同退火条件下的表面能,估算了封闭腔内的剩余压力和腔体薄壁的形变。这对研制和开发新颖的微机械结构提供了一种重要的途径     

线切割硅片表面探究

硅片的表面损伤层,关系到切割后破片率及面的形状等。通过对硅片表面分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成机理研究,发现通过以下调整可以减小表面损伤和提高表面质量:一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数,圆度系数,堆积密度。     

Wafer temperature measurement in PVD systems using the Co–Si reaction

It is becoming increasingly important to control the wafer temperature during IC processing, e.g. PVD. To measure the wafer temperature in PVD systems it is possible to use the Co–Si reaction. The difference in sheet resistance of the Co–Si phases, which form at different temperatures, is used to measure maximum wafer temperature in a PVD chamber. The maximum wafer temperature and the time it takes to reach this temperature are determined by the heat transfer between wafer and chuck. Wafer temperature measurements have been performed using different clamping configurations. Spring clamping of wafers and electrostatic chucks give the best results.     

全自动晶圆划切设备之可靠性分析

介绍了半导体全自动晶圆划切设备的总体结构和功能以及提高可靠性的一些方法,通过采用这些方法,将整体系统内各部分彼此的关系用图示表现,进而以表示出来的关系计算出可靠性。