基于Simplorer晶闸管驱动电路的建模与仿真

为直观了解晶闸管触发驱动电路特点,采用Simplorer软件对晶闸管驱动模拟整流器进行建模与仿真。设计并构建了系统各个功能模块,根据结构化和模块化的方法进行建模及数字仿真。仿真结果与理论分析一致,为解决晶闸管触发驱动电路难以一体化建模与仿真的难题提供了方法和思路。     

缓冲电容对IGBT变流器特性的影响研究

在IGBT构成的变流器主电路中常采用并联缓冲电容的缓冲电路来抑制开关管关断过程中引起的过大电压冲击,保护IGBT和变流器.基于IGBT的动态模型,从理论上分析了缓冲电容对IGBT关断时产生的电压冲击规律,比较了不同缓冲电容对IGBT关断时的电压冲击情况及负面影响,得出缓冲电容在降低IGBT关断过冲电压的同时也会引起母线上电流电压振荡的结论.给出了IGBT关断时由缓冲电容引起振荡的仿真和实验结果,并指出了减小缓冲电容的方法.     

IGBT驱动模块的研究

介绍了IGBT的驱动特性,对IGBT专用集成驱动芯片EXB841和M57962AL作了比较研究.根据EXB841在应用中存在的问题,提出了一种优化设计电路.并介绍了IGBT与M57962AL两种驱动模块的优缺点.     

基于MC33153的IGBT驱动电路设计

在分析IGBT的保护设计要求和MC33153的驱动特性基础上,设计一种基于MC33153的IGBT驱动电路。该电路采用光电隔离、延时消隐和负载检测等方法使其具有短路保护和自锁功能,既能满足IGBT的外围保护设计要求,又能克服MC33153内部无隔离电路、存在保护盲区和短路不能自锁的不足。实验结果表明,该驱动电路能够对IGBT进行有效驱动和保护。     

IGBT驱动保护电路的研究

介绍了 IGBT驱动集成电路的过流保护原理 ,讨论了 IGBT保护电路的设计思路 ,同时 ,对几种 IGBT驱动集成电路的性能进行了比较     

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用

分析了功率绝缘栅双极性晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题，概述了IGBT驱动电路的常用类型，并给出了几个具有实用意义的典型电路。     

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用

分析了功率绝缘栅双极性晶体管IGBT 对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题,概述了IGBT驱动电路的常用类型,并给出了几个具有实用意义的典型电路.     

基于IGBT特性的电路改进

绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换流晶闸管(IGCT)和门极可关断晶闸管(GTO)的特性各不相同，因此对它们的过电流保护方法也不相同．IGCT或GTO的过电流保护一般在主电路中实现，使主电路复杂、成本高、体积大．IGBT的过电流保护一般在自身的驱动电路中实现．而主电路相对简单、体积小．用IGBT改造已有的IGCT或GTO主电路，可使主电路得到简化．减小体积．保证过电流保护的同时，还提高了开关频率，减小了输出谐波．     

基于CPLD的IGBT驱动信号封锁保护电路设计

介绍了一种基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)的绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动信号封锁保护电路的设计, 该电路以ALTERA公司MAX Ⅱ系列CPLD芯片为核心, 采用了EDA软件Quartus Ⅱ对电路进行了软件仿真, 并在永磁同步电机三相逆变调速控制试验平台上进行了功能验证实验, 结果表明该电路设计符合实际工作需求.该电路设计方案具有开发快、集成度高、抗干扰能力强、响应速度快和可靠性好等特点.     

同步电机电枢电阻对功率角特性的影响

对同步电机功率角特性的讨论一般不考虑电枢电阻的影响。作者在考虑电枢电阻的情况下，导出了输出功率及电磁功率的表达式，并讨论了电枢电阻对功率角特性的影响。     

同步电机电枢电阻对功率角特性的影响

对同步电机功率角特性的讨论一般不考虑电枢电阻的影响．作者在考虑电枢电阻的情况下，导出了输出功率及电磁功率的表达式，并讨论了电枢电阻对功率角特性的影响．     

基于EXB841的IGBT驱动保护电路的设计

分析了IGBT驱动保护模块EXB841的工作原理,设计了三相三线制的无功功率发生器主电路IGBT模块驱动信号的预处理电路和保护电路,通过对电路及其参数在静止型无功发生器中进行的实验调试研究,结果证明电路设计的正确和可行。     

压接型IGBT芯片动态特性影响因素实验研究

压接型IGBT器件内部具有复杂的电-热-力环境,直接影响了其内部IGBT芯片的动态特性,进而决定了整个器件的安全工作能力。为此,研究不同影响因素下的压接型IGBT芯片动态特性具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性,利用所研制的具有多因素解耦、灵活调节能力的双脉冲实验平台,针对一款3.3kV/50A压接型IGBT芯片,测量获得了不同母线电压、负载电流、驱动电阻、温度及机械压力下的双脉冲实验波形。分析了不同影响因素对双脉冲波形的影响规律,对比了不同影响因素对IGBT动态特征参数影响程度,结果表明母线电压主要影响关断过程,负载电流、驱动电阻和温度主要影响开通过程,机械压力对开通关断过程的影响很小,研究结果对IGBT芯片建模及压接型IGBT器件安全运行具有重要的指导意义。     

基于1ED020I12FTA芯片的IGBT驱动电路研究

因输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好等一系列优点,IGBT在电机控制、逆变器、UPS等系统中有着广泛的应用。随着IGBT功率的增加,对其门极驱动电路的性能要求也日益增加。基于英飞凌公司的新型IGBT驱动芯片1ED020I12FTA设计了完整的IGBT门极驱动电路,经过实验验证,系统运行稳定可靠。     

IGBT的驱动与过流保护电路

本文介绍了一种ＩＧＢＴ的驱动与过流保护电路，该电路可靠性高，能很好地ＩＧＢＴ的驱动与过流保护问题。     

IGBT的ZVC/ZCC驱动模式

对IGBT的工作特性及存在的问题进行了深入探讨,详细介绍了用于提高大功率IGBT电桥的开关效率和安全性的ZVC/ZCC驱动模式。该模式利用IGBT的反向雪崩特性和电荷转移法实现IGBT的零电压切换和零电流切换,从而有效地抑制了器件内部的电流拖尾和自琐效应,大大地减小了开关损耗,提高了功率IGBT的工作效率和安全性。     

GTR和IGBT动态特性测试的研究

研究一种采用通用示波器测试GTR和IGBT动态特性的简易装置 ,介绍由intel80 98单片机硬软件技术构成PWM信号脉冲源 ,给出了进口GTR模块 2DI50D - 1 0 0 (50A/ 1 2 0 0V)和IGBT模块 2MBI50L - 1 2 0 (50A/ 1 2 0 0V)的测试结果     

GTR和IGBT动态特性测试的研究

研究一种采用通用示波器测试ＧＴＲ和ＩＧＢＴ动态特性的简易装置,介绍由ｉｎｔｅｌ８０９８单片机硬软件技术构成ＰＷＭ信号脉冲源,给出了进口ＧＴＲ模块２Ｄ１５０Ｄ－１００（５０Ａ／１２００Ｖ）和ＩＧＢＴ模块２ＭＢ１５０Ｌ－１２０（５０Ａ／１２００Ｖ）的测试结果。     

一种新型的IGBT驱动保护电路

介绍一种新型的性能较完善的IGBT驱动保护电路。实验结果表明,该电路能快速、安全、可靠地实现保护功能。     

IGBT驱动电路M57962L的剖析

章分析了M57962L对IGBT的驱动与保护原理。