镍掺杂W型铁氧体的制备及电磁性能研究

采用固相球磨法,制备了镍掺杂W型铁氧体Ba(Zn1-xNix)Fe16O27粉体。利用XRD及SEM分析了所制粉体的相组成及形貌,用微波网络分析仪对镍掺杂W型铁氧体粉体的微波电磁性能进行了研究。结果表明:1300℃时,生成了W型铁氧体相,形成了较完整的平面六角片状结构。在2～18GHz频段,随着Ni掺杂量的增加,W型铁氧体的ε'、μ'和μ"的值随之增大,在镍掺杂量达到最大时(x=1.0),磁损耗达到最大。     

Sm2O3掺杂对BZN基陶瓷介电性能的影响

研究了Sm2O3掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5–SmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(0≤x≤1.5,BSZN)的结构x和介电性能。实验采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD分析样品的相结构。结果表明:未掺杂的BZN陶瓷其结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(0相似文献   

掺杂Sm2O3对Ba(Ti,Sn)O3的介电性能的影响

以碳酸钡、二氧化锡和二氧化钛等为原料,制备了掺杂Sm2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3(BTS)陶瓷,研究了所制陶瓷的介电性能.结果表明:当摩尔分数x(Sm2O3)<0.60%时,Sm3+主要进入BTS陶瓷晶格A位,随着x(Sm2O3)的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位.Sm2O3的掺杂量对BTS陶瓷的相对介电常...     

掺杂Sm2O3对BZT20介质瓷性能的影响

以碳酸钡、二氧化锆和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制得了Ba(Zr0.2Ti0.8)O3系介质瓷,并研究了其性能,用扫描电镜对试样微观形貌进行了观察.结果表明,当x(Sm2O3)＜0.2%时,Sm3+进入晶格A位后,随掺杂量的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位.Sm2O3的掺杂量对试样介电常数和损耗有显著影响,x(Sm2O3)=0.2%时,试样介电常数最高(约为5 600);随Sm2O3掺杂量继续增加,试样介电损耗得到明显改善,最低降至0.002 1.     

MnCO_3掺杂量对Z型六方铁氧体电磁性能的影响

采用固相反应法制备了Z型六方铁氧体(Ba3Co2Fe24O41)。研究了MnCO3掺杂量对Z型六方铁氧体的显微结构、电磁性能的影响。结果表明:掺杂MnCO3时,Z型六方铁氧体的高频电磁性能得到了显著提高;当w(MnCO3)为0.6%时,Z型六方铁氧体的起始磁导率μi和300MHz时的Q值分别从12.3和6.3提高到了13.6和15.2;同时其ε′和300MHz时的tanδ分别从82.0和0.13降低到了20.4和0.02,有望成为高频电感用材料。     

掺杂Sm_2O_3对BaSrTiO_3介电陶瓷性能的影响

以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷。利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能。结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm2O3掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位。在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4800;随着Sm2O3掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.0070。     

Ba-Bi复合掺杂对Y_2O_3·2TiO_2微波介质陶瓷性能的影响

采用Ba-Bi复合掺杂对Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷进行改性,以降低其烧结温度并改善其介电性能。在固定Bi2Ti2O7掺杂量为质量分数8%的基础上,研究了BaCO3掺杂量对陶瓷微结构、烧结性能和介电性能的影响。结果表明:当w(BaCO3)为1%时,在较低的烧结温度(约1280℃)下保温2h制备了一种新型中介电常数Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷。该陶瓷具有较好的介电性能:在1MHz下,εr≈72.5,tanδ≈2.5×10-3;在微波频率(5.03GHz)下,εr=72.1,Q·f值为2241.0GHz。     

Ca_(0.3)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.7)TiO_3微波介质陶瓷低温烧结研究

采用固相反应法,以Ca0.3(Li0.5Sm0.5)0.7TiO3(CLST—0.7)陶瓷为基料,掺杂质量分数为10%的CaO-B2O3-SiO2(CBS)氧化物和2%～6%的Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3(LBSCA)玻璃料为复合烧结助剂,研究了LBSCA掺杂量对CLST—0.7陶瓷的低温烧结行为及微波介电性能的影响。结果表明,复合烧结助剂掺杂促使CLST—0.7陶瓷烧结温度降低了200～300℃,并保持良好的微波介电性能。掺杂质量分数10%CBS和4%LBSCA的CLST—0.7陶瓷经950℃烧结5h后,其εr=71.84,Q·f=1967GHz,τf=41.7×10–6/℃。     

六角晶系Z型Ba3-x Lax Co2 Fe24 O41铁氧体的制备及其吸波性能

采用溶胶-凝胶法合成掺杂Ia的六角晶系Z型钡铁氧体Ba3-xLaxCo2Fe24O41,并对其吸波性能进行研究。实验结果表明,镧的最大添加量为x=0．3,此时Ba3-xLaxCo2Fe24O41可以形成完整的物相结构,对其吸波性能研究分析表明,适量的掺杂镧可以提高Z型钡铁氧体的吸波特性,最大衰减量为-26．5dB,有效带宽为5GHz。Z型钡铁氧体最佳成相热处理条件是1250℃～1275℃／5h;测试不同烧结温度下的材料吸波特性,1275℃／5h工艺下完成的样品的吸波性能最好,最大衰减量为-19dB,有效带宽为10．5GHz,吸收峰向高频方向移动。     

Fe_2O_3掺杂的BST/MgO铁电移相器材料

采用传统陶瓷工艺制备了Fe2O3掺杂BST/MgO铁电陶瓷材料。研究了Fe2O3掺杂量对该复合体系εr、tanδ等参数的影响。结果表明,适量的掺杂能有效改善体系的电性能。控制掺杂量x(Fe2O3)为0.1%,陶瓷介质在微波频段(S波段)的εr为100.5;tanδ约为5.3×10–3;4000V/mm偏压下的调谐性可达14.2%。采用极化理论对掺杂机理进行了探讨。     

CNT对BST陶瓷微波介电性能的影响

采用XRD及SEM研究(Ca0.61Nd0.26)TiO3对微波介质陶瓷Ba4Sm9.33Ti18O54的结构和微波介电性能的影响。获得了一些性能较好的微波介质陶瓷(1–x)Ba4Sm9.33Ti18O54-x(Ca0.61Nd0.26)TiO3,其微波介电性能如下:εr=75,Q·f为8985GHz,τf为–8.2×10–6℃–1(x?=0);εr为75,Q·f为9552GHz,τf为–14.4×10–6℃–1(x?=0.2)。     

制备工艺对Co_2Z六方晶系铁氧体电磁特性的影响

采用普通陶瓷工艺,制备了3BaO·2CoO·10.8Fe2O3六方晶系铁氧体。对各种工艺参数进行了正交设计,分析了其对Co2Z六方晶系铁氧体电磁特性的影响。结果表明:在一磨时间2.0h,预烧温度1280℃,二磨时间4.0h,烧结温度1240℃的工艺条件下,材料在2.0GHz下的磁导率的实部为7.4,虚部为7.2,截止频率达到2.0GHz,样品密度达到了4.8g·cm–3。     

掺杂Lu_2O_3对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷性能的影响

以Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Lu2O3进行改性,形成固溶式为Ba4(Sm1–yLuy)9.33Ti18O54的结构。结果表明,掺杂Lu2O3能很好地把Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷的烧结温度降至1 260℃,当y=0.05时Ba4Sm9.33Ti18O54为类钨青铜结构,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:4.33GHz时εr约为76,Q.f约为2532,τf为–42×10–6/℃;y<0.5时生成了类钨青铜结构晶相,y≥0.5主晶相变成烧绿石相,不具备介电性。     

30 nm T-gate enhancement-mode InAlN/AlN/GaN HEMT on SiC substratesfor future high power RF applications

The DC and RF performance of 30 nm gate length enhancement mode (E-mode) InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on SiC substrate with heavily doped source and drain region have been investigated using the Synopsys TCAD tool. The proposed device has the features of a recessed T-gate structure, InGaN back barrier and Al₂O₃ passivated device surface. The proposed HEMT exhibits a maximum drain current density of 2.1 A/mm, transconductance g_m of 1050 mS/mm, current gain cut-off frequency f_t of 350 GHz and power gain cut-off frequency f_max of 340 GHz. At room temperature the measured carrier mobility (μ), sheet charge carrier density (n_s) and breakdown voltage are 1580 cm²/(V·s), 1.9×10¹³ cm^-2, and 10.7 V respectively. The superlatives of the proposed HEMTs are bewitching competitor or future sub-millimeter wave high power RF VLSI circuit applications.     

La0．8Sr0．2Mn0．98-xFexNi0.02O3吸波性能研究

用溶胶-凝胶法制备了La0．8Sr0.2Mn0．98s-xFexNi0.02O3（x=0．08,0．10,0．12,0．14）粉晶,用矢量网络分析仪测量了样品在2～18GH：频段内的微波吸收特性曲线。研究结果表明,样品都有一个吸收峰,峰高及位置随x不同而异。其中,x=0．10,厚度1．80mm,吸收峰高达23dB,在2～18GHz频段吸收带宽6GHz（〉10dB）。掺杂Mn位,可以改变材料的电磁参数,改善材料的微波吸收性能。     

湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体

用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。     

Ca_(0.125)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.875)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结

研究了复合烧结助剂Na2O-CaO-B2O3(NCB)氧化物和Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3(LBSCA)玻璃料的添加量对Ca0.125(Li1/2Sm1/2)0.875TiO3陶瓷相结构、烧结性能及介电性能的影响。当w(NCB)为10%,w(LBSCA)为1%~5%时,该陶瓷为斜方钙钛矿结构。随w(LBSCA)的增加,致密化温度和饱和体积密度降低,εr、Q·f值及τf呈下降趋势。当w(NCB)为10%,w(LBSCA)为2%时,陶瓷可在900℃烧结获得最佳性能:εr为63.00,Q·f为1260GHz,τf为–9.02×10–6℃–1。     

高Q微波介质谐振器材料D_5的研究

研制出新型Ｄ５微波介质谐振器材料。该材料为ＡＢＯ３型钙钛矿化合物。化学组成式为Ｂａ（Ｚｒｘ，Ｚｎｙ，Ｔａｚ）Ｏｎ（式中ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｎ为任意）。该材料具有稳定的工艺特性和良好的微波性能。１０ＧＨｚ下，无载Ｑ值Ｑ０＝９０００，相对介电常数εｒ＝３０，谐振频率温度系数τｆ（１０－６℃－１）在０附近可调。该材料的出现为Ｘ波段乃至Ｋｕ波段微波介质谐振器的应用提供了一种良好的可供选择的材料。