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1.试说明场效应管开启电压的意义。2.试说明场效应管夹断电压的意义。3.试画出N沟道增强型场效应管的转移特性曲线。     

P沟道MOS典型工艺

在制造大规模集成电路的工艺中,P沟道MOS已成为工业产品的标准件。P沟道之所以比N沟道占优势,是由于P沟道工艺中的二氧化硅表面性质可被控制,易于掌握。表面态密度加工的典型差别(它引起P沟道晶体管阈值电压的不同)常常使N沟道晶体管从增强型转变为耗尽型。N沟道MOS场效应管在理论上虽能提供良好的特性,但P沟道MOS场效应管由于能重现增强型的特性,因此它成为研制数字集成电路的基础。     

1985年北京邮电学院硕士学位研究生入学试题及题解

试题名称:电子电路一、计算下列各题:1.某放大电路的直流简化电路如图1所示,晶体管 BG 的直流放大系数β为50,且工作于放大区。试近似求出 BG 的基极电流 I_B,集电极电流 I_C,集电极至发射极之间的电压 V_(CE)。2.图2(a)为用理想运算放大器组成的电路(略去了各运算放大器同相输入端的直流平衡电阻)。若 u_1(t),u_2(t)的波形如图2(b)所示,试画出 u_0(t)的波形。3.图3为集成运算放大器中某一级的原理电路,各管直流放大系数β都很大(BG_1、BG_2的基极直流接地)。试近似求恒流管 BG_3的电流 I_0。二、某负反馈放大器的交流简化电路如图4所示。已知:h_(ic1)=h_(ie2)=1.5kΩ;h_(fe1)=h_(fe2)=50;h_(oe1)=h_(oe2)=0;h_(re1)=h_(re2)=0;R_8=300Ω;R_(c1)=1.2kΩ;R_(e1)=300Ω;R_(c2)=1kΩ;R_f=2.3kΩ。求电路的电压放大系数 K_(vf)=V_0/V_(?)     

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1.场效应管的开启电压在一定的漏-源电压U_(DS)下,使场效应管由截止变为导通的临界栅-源电压称为开启电压,用U_(GS)(th)表示。2.场效应管的夹断电压当场效应管U_(GS)达到一定负值时,导电沟道内的载流子     

甲类50W/甲乙类130W完全对称型直流功率放大器

完全对称型直流功率放大器的基本电路是从真空管直流功率放大器演变过来的。由于具有两种载流子,两种特性相反的器件,所以半导体放大器在电路的构成方面比真空管放大器更加灵活、应用范围更加广泛。用同样的前置电路可以任意设置输出级的偏置电压,输出级可以用各种功率放大器件构成、包括N沟道MOS—FNT、P沟道MOS—FET、N沟道V—FET、双极型晶体三极管、真空管等。完全对称型功率     

1987年南京工学院硕士研究生入学试题及题解

试皿台称:棋拟电子级路 一、图1(“)、(b)所示电路中,全:和T,、D:和D,、乃和T’具有相同特性,而且马和Ta发射结特性也相同,试求: 1.图1(a)电路的共模输出电压U。:和差模电压增益K。‘一(U似一U。:)/U‘; 2.图1(b)电路的共模输出电压U0“ 3.比较图1(的、(b)两电路的共模输出电压,分别说明刀1和D,、Ta和几的作用。(16分)‘肠1肠:Li又丫遨匕鱼{、 (a)(b) 图1二、图2示出一压控电流源电路,其中口遨1和口通:均为理想运算放大器,全1和全:为特性相同的尸沟道和N沟道结型场效应管。试求: 1.U.二0时的输出电流10; 2.电路的跨导如一刁I。/刁U…     

1986年杭州大学硕士学位研究生入学试题及题解

试题名称:电子线路一、问答题:1.图1为串联型基本稳压电路。为了提高该稳压电路输出电压 V_0的稳定性,图中有关元器件的性能和参数应该如何选择? (8分)2.当输出功率为50W 以上时,在负载电阻很大(30Ω以上)或者很小(4Ω以下)的条件下,往往不采用无变压器乙类功率放大电路而采用有输出变压器的乙类功率放大电路。试问这是为什么? (8分)3.为什么调谐放大器中会出现不稳定的问题?要解决此问题有哪些途径? (8分)4.调频广播主要工作在什么频段?为什么? (6分)二、图2为共漏-共发两级混合放大器,请画出中频时的等效电路,并计算中频时的电压放大倍数 A_(VS)。已知元器件参数如下:R_S=1kΩ;R_(?)=2MΩ;R_1=2kΩ;R_2=30kΩ;R_3=20kΩ;R_C=3kΩ;R_L=600Ω。T_1为 N 沟道结型场效     

场效应管应用电路两例

<正> 1.用场效应管的分压式衰减电路 该分压式衰减电路如图1所示。V为结型N沟道场效应管(FET),它与电阻R1组成电阻分压式衰减电路。因FET的漏极D与源极S之间可看成一个由栅极和源极间电压V_(GS)控制的可变电阻。V_(GS)为直流电压,且应为负值。若控制电压为交流电压,则要经过二极管整流、电容器滤波后再加到     

带对数接收信号强度指示器的快速AGC放大器

快速而精确的自动增益控制(AGC)放大器可以用一个压控放大器(VCA)和一个单电源电压反馈放大器配置成积分器来产生(图1).AD603VGA具有“线性(dB)”传递函数.将差分增益控制电压(G_(pos)-G_(neg))从-0.5V改变到+0.5V,则放大器增纹.VCA输出信号的dC表示产生的电流I_(xy),经一10k电阻流入AD8041运放的反相节点(Y).大约—1V的参考电压使一恒流从此节点流经另一个10k电阻(包含在此参考电路的二极管补偿整流二极管的漂移).这些电流(I_(int))之间的差值流经积分器电容.     

示波器偏转放大器

这个电路具有差动输出级和高阻抗结型场效应管输入级的优点.两只硅二极管对场效应管放大器的输入过载有粗略的保护作用.Tr_1和Tr_2同时工作为放大器和电平调节器,Tr_2的静态输出电压由R_1确定,近似为15V.缺点是这个电压也与放大器的增益有关.为此,预作几档可以作到准确的调整.Tr_3和Tr_4组成一差动放大器,能给出大约400V峰——峰电压输出.由220Ω发射极电阻得到反馈,R_2和C获得高频补偿.电阻R_3为Y轴位移调节.     

TPS40000系列低压大电流电源集成电路

<正> TPS40000系列电路是德克萨斯仪器公司最新推出的电源集成电路,它连接两只N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)后,可得到比输入电源电压低0.7V以上的稳定输出电压,并可得到5～10A的输出电流。 其特性如下:1、输入电压范围为2.25～5.5V;2、输出电压为     

一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现

使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(>80 dB)的CMOS运算放大器。模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了320 V,高压隔离超过300 V,从而可以确保其高压放大功能。该运算放大器适用于数字通信,如程控交换机中的高压驱动电路的单片集成。     

恒电压增益的低电压Rail—to—Rail运算放大器

基于 Alcatel的 0 .3 5μm标准 CMOS工艺 (VT=0 .6 5 V) ,模拟实现了工作电压低达 1 .8V、电压增益偏差仅为 3 % (整个输入共模偏置电压范围内 )的运算放大器 ;电路的设计也避免了差分输入对中 PMOS管和 NMOS管的 W/L的严格匹配 ,增强了电路对工艺的坚固性。对输入差分对偏置电流的控制电路、差分输入对的有源负载和 AB类 Rail- to- Rail输出级进行了整体考虑 ,确保电压增益恒定的新型结构 ,使该运放在 2 V电源电压下 ,电压增益达到 80 d B(1 0 kΩ 电阻和 1 0p F电容并联负载 ) ,单位增益带宽为 1 2 MHz,相位裕量 72°     

Y_2O_3改善HfO_2高k栅介质Ge MOS电容的电特性及可靠性

以Y_2O_3薄膜作为夹层,采用磁控溅射法制备了HfO_2/Y_2O_3叠层高k栅介质Ge MOS电容,并对其电特性及高场应力特性进行了仔细研究。结果表明,Y_2O_3夹层能显著地改善Ge MOS器件的界面质量、k值、栅极漏电流特性、频率色散特性和器件可靠性。因此,HfO_2/Y_2O_3/Ge MOS电容表现出较低的界面态密度(6.4×1011 eV~(-1)cm~(-2))、较高的k值(21.6)、较小的栅极漏电流密度(Vg=1V+Vfb时,Jg=1.65×10~(-6) A·cm~(-2))、极小的频率色散以及良好的器件可靠性。其机理在于Y_2O_3夹层能充当阻挡层角色,有效地阻挡了Hf、O与Ge的相互扩散,从而抑制了不稳定低k GeO_x夹层的生长。     

一种基于衬底驱动技术的0.8 V高性能CMOS OTA

基于衬底驱动MOS技术,设计了一种0.8 V CMOS跨导运算放大器(OTA),在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益.在±0.4 V的电源电压下,其直流开环增益为73.8 dB,单位增益带宽为16.4 MHz,相位裕度为53°,功耗为125.4 μW,输出电压范围为-0.337～0.370 V.     

微电子学、集成电路

TN4 2004030437C MOS宽动态范围的可变增益放大器/郑吉华,李永明,陈弘毅(清华大学微电子所)11半导体学报.一2 003,2《s)一871一875采用C MOS工艺,针对超外差结构的无线宽带接收器,提出了一个新结构的可变增益放大器,并对该放大器进行了仿真和测试.测试和仿真结果表明,该放大器能够工作在50~600MHz的频率上,增益为一28、4 ZdB,最大增益的噪声系数为7.65dB,最小增益的IIP3为20dBm,而且具有良好的鲁棒性,在3V的电源电压下,电流消耗只有12mA.图7表1参3(木)的材料如SIC、501等可以用来制作高温压力传感器,但是由于成本较高或加工难度大…     

一种实用的高性能直流稳压电源

<正> 本文介绍一种实用的直流稳压电源,它的特点是:抗干扰能力强,输出电压稳定:输出电流可达2安培,输出电压在5～12伏之间可调,具有过流。过热及自保功能。该电源适用于单片机及一些小型的控制系统。 这种稳压电源的电原理图如图1所示。稳压电路采用典型的串联型晶体管稳压电路,基准电压环节由N沟道结型场效应管3DJ6D和稳压二极管组成。场效应管的栅极和源极连在一起,即栅源电压U_(GS)=0。这样,此管就相当于一个温度特性好、抗干扰能力强的限流电阻。     

适合容性负载的高压大功率放大器

设计了一种适合压电陶瓷等容性负载的双极性可调高压大功率线性放大器,它由简单低廉的低压运算放大器、基于功率场效应管(MOSFET)的功率放大级组成主回路,通过电压负反馈构成闭环控制。对电路中各环节的特性进行了分析,并讨论了放大器的性能。该高压放大器在驱动等效电容为60nF的压电陶瓷时,单端到地输出电压为一600～ 600V,电压增益42dB,大信号带宽800Hz,小信号带宽7kHz,充放电电流可达200mA,静态电流可达1．4mA。实验与分析表明,高压直流放大器采用功率场效应管和电压闭环控制后,可拓展放大器通频带,提高放大器输出能力和长时间稳定性。     

具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器的设计

设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器.根据所希望的IDSat(ZTC)和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路;输入采用差分输入,同时按照泄漏电流匹配的原则,合理选取Dcomp的面积.Si MOS器件电源电压为5 V,采用TSMC 0.25 μm工艺制作.当温度从300 K变化到600 K时,SiC 运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300 K的64 dB降到-80 dB,失去电路的稳定性.但是,由于SiC MOS器件沟道迁移率低,导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si运算放大器.     

SYJ结型场效应管在音频电路中的应用

SYJ 型场效应管是 N 型沟道结型场效应晶体管,其结构如图1所示。在 N 型硅材料的两端引出的电极分别称为漏极(D)和源极(S),在 N 型硅材料的两侧各做一个 P型区,相连引出的电极称为栅极(G)。通过控制栅源之间电压 V_(GS)就可改变漏电流 I_D