场发射阵列(FEA)阴极的材料及制备工艺

目前，用于场发射阵列(FEA)的阴极发射体材料多种多样，按制备工艺可以分为蒸镀锥尖型、涂覆型和图形化阴极型等。本文概述近年来场发射阵列阴极材料及其制备工艺的研究现状，以及一些新型材料的应用情况。     

场发射阵列阴极在行波管中的应用

场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在：FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题．分析了产生这些问题的主要原因。提出了相应的解决方案,主要包括：提高真空度,选择合适的发射体材料,增加电阻层等,以提高电子发射的稳定性;优化发射体结构参量,改善制作方法等,以增大阴极发射的电流密度;对电子枪结构进行修改,解决电子柬散焦等问题。最后,概述了新型材料——碳纳米管在行波管中的应用现状,目前虽然还不成熟,却表现出了极大的潜力：     

场发射阵列阴极在行波管中的应用

给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法，讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题，对采用场发射阵列阴极的行波管进行了介绍和评论。     

场发射金属尖阴极阵列的制备

本文采用ＳｉＯ２作锥尖的塑模，再利用塑模制备出场发射金属尖阴极阵列，并给出ＳＥＭ金属尖照片，分析了工艺因素对金属尖的影响，同时提出了真空微电子二极管和三极管的设想。     

碳纳米管场发射器件新型阴极的研究

碳纳米管场发射显示器件（CNT-FFDs）中阴极的制备和表面处理一直是其中的关键环节而备受关注,本文通过光刻技术、丝网印刷技术、表面超声等流程制作带有平整电阻层的发射阴极,并对该阴极进行场发射测试,并通过扫描电镜（SEM）照片分析阴极表面,发现开启电场、发射均匀性及电流稳定性比以前未加处理的阴极有很大程度上的改善。此法适合于大面积的碳纳米管场发射显示的阴极制作。     

热敷法制备丝状阴极及其在场发射中的应用

采用热敷法将碳纳米管(CNT)浆料直接热敷在Ni丝上制备成丝状阴极,并在圆柱形灯管中采用二极结构测试其场发射性能.扫描电镜(SEM)测试表明,丝状阴极的表面有一层均匀的CNT材料;场发射结果表明,CNT-Ni丝状阴极与传统的场发射阴极相比具有更优良的场发射性能,开启电场为0.15 V/μm,当电压为2280V时发射电流达到4 mA.在腔体中测试其发光亮度,最高值达到了14000 cd/m2.     

用于场发射阴极的磁控溅射金刚石薄膜的研究

用激光拉曼谱和原子力显微镜等现状分析手段研究了磁控溅射石墨靶制备的薄膜的结构和特性。结果表明：薄膜由金刚石相和石墨相组成，它们的相对含量取决于制备工艺参数，特别是沉积时的基体温度的影响尤为明显。薄膜表面呈现为密度很高的微尖锥，这为制造大面积场发射平板显示器的阴极提供了广阔的前景。     

最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度的研究①

碳纳米管(CNT)作为理想的场发射阴极材料。它在场发射阴极阵列中的密度与阴极的场发射性能有着非常密切的关系。本文通过模拟计算找出了最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度，并通过实验进行了验证。实验证实浓度为2．5％的碳纳米管浆料制得的阴极有最佳的阵列密度。     

太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。     

太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍 了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势 以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子 器件应用前景。     

场发射阴极特性

介绍了场发射阴极阵列的特性。系统地介绍发射体材料的选择以及发射体形状与发射特性关系，获取最大发射电流密度，提高发射性能所采取的措施。     

微波功率器件的应用与进展

微波功率器件广泛应用于无线通信、雷达与电子对抗、军事装备以及医疗电子等系统中.本文介绍了微波功率器件的发展历程和应用领域,重点介绍了LDMOS、GaAs HV-HBT, SiC MESFET 和GaN HEMT等新型微波功率器件的特性与应用,并对下一代电子系统中的新型功率器件应用前景进行了讨论.     

制造大面积超长钨发射体阵列W－UFEA的光电子学方法

本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控（或门控）超长金属杆状阵列场发射阴极ＵＦＥＡ（Ｕｌｔｒａ－ＬｏｎｇＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＡｒｒａｙ）的初步实验结果。     

电泳法制备场发射阴极的性能优化研究

电泳法是一种新型的大面积碳纳米管场发射阴极制备方法。文章在成功地用电泳法制备了适用于场发射显示器的碳纳米管阴极基础上,通过选用不同的碳纳米管原料、改变电泳条件等方法,进一步优化碳管阴极的性能。使用不同方法制备的碳纳米管配置电泳液,由于制备方法和碳管本身的特性,管子在电泳溶液中呈现不同的分散性。碳管管径较粗时由于表面自由能相对小,所以碳管在溶液中不易形成团聚物,电泳沉积的阴极会均匀平整;管径小的碳管则由于容易团聚,需要加入表面活性剂来改善其在电泳溶液中的分散性。场发射特性和发光显示图实验结果发现,即使得到相同均匀平整的阴极,但是由于碳管本身的发射能力的差异性最终导致电泳沉积得到的阴极的场发射特性的不同。另外,电泳的实验条件也会对沉积的阴极的场发射性能和形貌产生影响。在不同电泳直流电压条件下,碳管薄膜的密度分布和厚度不同,呈现出不同的场发射能力,结果表明当电压值在25V时可以得到性能最佳的场发射阴极。     

硅场发射微尖阵列的制备工艺研究

主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺,实验中在101.6mm(4in)的n型(100)晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层,再用投影曝光的方法光刻出边长2μm,间距4μm的方形掩膜。再分别使用反应离子刻蚀(RIE)技术和湿法刻蚀制备硅锥阵列,干法刻蚀并结合氧化削尖工艺得到了曲率半径为90nm左右且具有良好一致性的尖锥,湿法刻蚀同样得到较理想的结果。     

Layered,Nanonetwork Composite Cathodes for Flexible,High‐Efficiency,Organic Light Emitting Devices

In this work, the application of an aluminum (Al)/multiwall carbon nanotube (MWCNT)/Al, multilayered electrode to flexible, high‐efficiency, alternating current driven organic electroluminescent devices (AC‐OEL), is reported. The electrode is fabricated by sandwiching a spray‐cast nanonetwork film of MWCNTs between two evaporated layers of Al. The resulting composite film facilitates a uniform charge distribution across a robust crack‐free electrode under various bending angles. It is demonstrated that these composite electrodes stabilize the power efficiency of flexible devices for bending angles up to 120°, with AC‐OEL device power efficiencies of ≈22 lm W^?1 at luminances of ≈4000 cd m^?2 (using no output coupling). Microscopic examination of the Al/MWCNTs/Al electrode after bending of up to 1300 cycles suggests that the nanotubes significantly enhance the mechanical properties of the thin Al layers while providing a moderate modification to the work function of the metal. While the realization of robust, high‐brightness, and high‐efficiency AC‐OEL devices is potentially important in their future lighting applications, it is anticipated that this to also have significant impact in standard organic light emitting diodes lighting applications.     

全光学非破坏微波场分布成像

随着技术的进步,微波集成电路的复杂度和集成度都在不断提高,并且其特征线宽也在不断减小,因此非破坏高分辨微波场近场成像技术对芯片的功能和失效分析至关重要,目前尚没有成熟的技术路线。文章提出了一种基于金刚石氮空位色心的固态量子体系作为传感单元,通过分析色心基态自旋在共振微波场中的量子态演化规律,采用全光学的方法,获得微波场分布的一种精密测量方法。该方法通过搭建光学成像系统进行一次宽场成像来获得芯片整体的微波场分布,具有高效、对近场干扰小等优点,有望在芯片电磁兼容测试、微波芯片失效分析和天线近场分布成像等应用上提供一种全新的测量方案。