美国新型晶体管速度达845GHz

美国伊利诺大学香槟分校的研究者宣布,他们已制造出目前世界最快的晶体管,这种磷化铟与砷化铟镓制造的新型晶体管速度达845GHz,较之前的记录超出约300GHz。这一速度是在-55°C获得的,室温下该晶体管可以运行在765GHz。除了新型材料外,这种晶体管的制造工艺也更为精良,基部仅有1     

微波功率晶体管的金属气密封装

提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装--选极F型封装技术.还介绍了1.5GHz和2.0GHz选极F型封装微波功率晶体管的技术指标和功能特征.     

金刚石微波功率晶体管

本文概述了金刚石的材料特性、金刚石晶体管的结构和工艺。预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下,连续输出功率200W,在100GHz下,连续输出1W。     

一种新型的毫米波亚毫米波固态功率源—渗透基极晶体管(PBT)研究的进展

1978年,美国麻省理工学院林肯实验室Bozler等人发明了渗透基极晶体管(PBT).这种器件的发明被认为是微波晶体管向毫米波亚毫米波发展所取得的新突破.目前,实验管子最大的工作频率已达30GHz,用作放大器时,它在10GHz下具有2.5db的噪声系数和10db的增益.今后、可望将工作频率提高到500GHz,以至1000GHz.由于渗透基极晶体管具有为其     

IBM展示最快石墨烯晶体管

IBM向媒体展示了其最快的石墨烯晶体管,该产品每秒能执行1550亿个循环操作,比之前的试验用晶体管快50%。该晶体管的截止频率为155 GHz,使得其速度更快的同时,也比IBM去年2月展出的100 GHz石墨烯晶体管具备了更多的能力。该晶体管的研制是IBM承接美国国防部高级研究计划局的任务,研发高性     

T形电极晶体管

叙述了一种制作双极型晶体管的T形电极结构自对准工艺。利用该工艺已研制成微波T形电极晶体管(TSET)。最高振荡频率为10GHz,截止频率为6GHz;在3.2GHz下,输出功率1.1W,功率增益6dB。     

英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管

英飞凌公司透露了他们用SiGe∶C工艺技术制造RF半导体器件。这种SiGe∶C技术是英飞凌公司最新一代HBT的基础,它使得硅基分立晶体管的噪声系数在6GHz下仅0.75dB,6GHz下的增益高至19dB。英飞凌的RF晶体管的典型过渡频率为42GHz,1.8GHz下的噪声系数0.5dB,6GHz下0.75dB。这些器件1.8GHz下的最大稳定功率增益Gms为28dB,6GHz下最大可用功率增益Gma典型值为19dB,它们可用于宽RF频段和无线用途,如无线局域网(WLAN)。该公司的HBT芯片还具有金金属化的特点。英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管@陈裕权…     

双极晶体管频率达到210GHz

IBM微电子公司开发了一种SiGe材料的异质结双极晶体管(HBT),可运行在210GHz频率下。开发的成功表明取得了很大进展,它将扩展Si器件进入40Gbit/s以上的通信市场。IBM采取运行在130MHz的0.18mm的SiGe工艺,使晶体管的频率超过了 200GHz,并降低晶体管基极的垂直厚度。IBM的晶体管截止频率(fT)是210GHz,不但比原来的器件快75%,而且比其它SiGe晶体管快得多。例如日立公司去年公布的0.2mm SiGe HBT的 fT是76GHz。其它材料,如InP,由于具有更高的性能,正被看好运用到高速通信中,但是它们的制造成本更为昂贵。IBM声称它的H…     

170GHz的体通导晶体管

日本电信电话公司研制成世界最高速的晶体管,其工作频率为170GHz,比该公司三年前创记录的同类型晶体管快1.7倍。新研制的晶体管是体通道晶体管(BCT)的一种,     

面向100GHz+数模混合电路的0.5μm InP DHBT工艺

本文报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺。发射极尺寸为0.5×5μm2的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350GHz以及532GHz,击穿电压4.8V。基于该工艺研制了114GHz静态分频器以及170GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率处于国内领先水平。     

面向100 GHz+数模混合电路的0.5 μm InP DHBT工艺（英文）

报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率均处于国内领先水平.     

用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Si nPn异质结双极晶体管

用气态源分子束外延法制备了Si/SiGe/Si npn异质结双极晶体管.晶体管基区Ge组分为0.12,B掺杂浓度为1.5×101 9cm-3, SiGe合金厚度约45nm.直流特性测试表明,共发射极直流放大倍数约50,击穿电压VCE约9V;射频特性测试结果表明,晶体管的截止频率为7GHz,最高振荡频率为2.5GHz.     

氮化物晶体管在亚毫米频段实现了前所未有的输出功率

位于日本东京的半导体制造商NEC公司开发出了一种基于氮化物的单片功率晶体管样品，这种晶体管创记录地把30GHz信号放大至2.3W的功率水平。而单片氮化物器件以前能够达到的功率水平只有0.72W。亚毫米频段——微波与毫米波长之间频率的通称——被狭义定义为25GHz以上至30GHz，但也被广义定义为20GHz 至40GHz。无线设备和网络对更高的容量及速度的需求——诸如多电平调制等推进技术——使得人们希望采用20～40GHz的频段。目前市售的工作偏压在5～8V之间的GaAs晶体管无法提供所需的较大输出功率余量——10～15dB——以改善发送器的功…     

硅双极晶体管和集成电路继续在发展

硅双极晶体管是现在公认的最佳微波器件,被广泛用于直到6GHz的各种小信号和功率放大器以及直到18GHz的振荡器。制造技术的较大进步使成本显著降低,同时改善了分立硅晶体管的均匀性,使应用于1GHz以上频率的实用的微波单片集成电路(MMIC)和高速数字集成电路能大批生产。本文提供了市售微波晶体管的设计、一般特性和性能的概述,并且给出能用于微波频率的实际硅单片集成电路状况的最新资料。     

一款应用于Wi-Fi 6E设备的GaAs HBT功率 放大器

针对WIFI 6E频段的设备需求,设计了一款工作在5.9 GHz～7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构,采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益及线性度恶化的问题。测试结果表明,在5.9 GHz～7.2 GHz频段内,功率放大器增益>27 dB,输出饱和功率>1 W,附加效率>24 %,芯片面积：1.24 mm×1.27 mm。     

美国IBM公司研制成75GHz的SiGe合金晶体管

<正>据日本《电子材料》1990年第6期报道,美国IBM公司已研制成最高工作频率为75GHz硅和锗合金的双极晶体管,其速度比通常硅双极晶体管快两倍.异质结双极晶体管(HBT)采用IBM公司发明SiGe合金的 UHV(Ultra-High-Vacuum)CVD法中沉积工艺来制作.该工艺比现在的生长工艺温度低.据IBM公司报道,SiGe HBT的功能早在1987年已确定.1989年SiGe晶体管的工作频率为40GHz.     

硅锗晶体管突破500GHz

来自IBM和佐治亚技术学院的一个研究小组展示了运行频率超过500GHz的异质结S i G e(硅锗)双极晶体管。该研究小组表示,尽管这一结果是用液态氦将晶体管冷却到4.5K(-451°F)获得的,但同样的器件在室温条件下可工作于350GHz,而且晶体管若经优化可接近太赫的室温速率。I B M在200m     

通信卫星使用的信道放大器和功率放大器

业已研制出功率放大器,在3.7-4.2GHz频率范围给出8.5瓦功率,在12.2-12.7GHz频率范围给出1.5瓦功率,可以代替通信卫星应答器中的行波管放大器。20GHz激励放大器(包括波导至微带的发射器)的初步研制表明:该放大器能为行波管放大器提供50mW激励。12GHzGaAs场效应晶体管信道放大器(采用自动电平控制和场效应晶体管限制技术)在有信号变化存在时提供恒定的行波管射频激励。     

具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管

采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能。实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90nm左右,电流增益截止频率f_T达到13.5GHz,最大振荡频率f_(max)达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力。     

S波段硅脉冲功率晶体管

报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率70W，增益8.5dB，集电极效率50％。