真空杂志1964～2003年真空热加工技术论文索引

1.真空在冶金及机械工业中的应用龚求初.196 4 (1) :1………2 .超纯合金的真空去气和感应熔炼翁国屏.196 5 (2 ) :2 7……3.日本真空设备综述196 5 (3) :1………………………………4 .日本真空感应炉情况知水.196 5 (4 ) :1……………………5 .日本真空自耗炉考察报告知水.196 5 (4 ) :5………………6 .超纯多晶和单晶制备汤心慎.196 5 (4 ) :2 3…………………7.日本真空脱气情况知水.196 5 (4 ) :2 6………………………8.对日本10个研究单位考察总结韩耀文.196 5 (4 ) :36………9.电子束熔炼、焊接、加工、蒸镀与区域熔炼等装置韩耀文.196…     

日本真空设备综述

在1964年11月间,由冶金部、一机部、科学院联合组成的“中国真空机械访日代表团”,在日本进行了一个月的访问考察,在这期间内共参观了21个工厂和10个研究所,其中属于真空设备制造厂有10个,真空技术的研究单位1个,其余—些单位均属真空设备的使用部门(主要是冶金工厂和金属材料研究所)。 为了使通过考察为今后发展我国真空技术提供参考,因此这次考察的面较广,除了真空获得设备外,其它如真空冶金、真空蒸发、真空冷冻干燥、真空蒸馏等设备均进行了参观。在真空设备方面,所看到的这些制造厂,基本上是日本最主要的并且具有—定代表性的工厂,除了…     

Cu-Al-Ni-Be形状记忆合金单晶制备及其性能特性研究

在自制的单晶高温度梯度定向凝固炉中,用带引晶器的单晶模壳制备出CuAlNiBe四元形状记忆合金系的单晶,并对其性能特性作了系统研究.结果表明,CuAlBNiBe四元形状记忆合金系的单晶比多晶具有更好的力学性能和优异的形状记忆性能.组织的有序化以及合金元素Ni、Be的加入是其性能改善的原因.     

日本其他真空应用工业设备

我国为了要广泛了解真空技术在工业上 的应用,除对冶金、冷凉干燥、单晶制备、 真空泵等制造使用工厂外,也参观了真空蒸 馏,真空蒸镀等应用真空技术工业装置和使 用工厂。现在简略汇报如下: (一)真空蒸镀 日本制造真空蒸镀装置的工厂很多,凡 是制造真空设备工厂都生产蒸镀设备,大都 为小型种罩式,真空度为10-6～10-8,蒸发源 加热方式大都用电阻加熟,也有用感应加热, 电子束加热方式,也生产半连续式工件转动 特种型式蒸镀设备。真空蒸镀应用在光学镜 头镀膜,树脂薄膜,人造革纸金属化、玩 具、装饰品、反光镜蒸镀金属涂料薄膜,微 型电子器件制…     

Interox America建成超纯过氧化氢新装置

美国Interox America公司在其得克萨斯州迪尔帕克联合工厂内,建成一套生产超纯电子级过氧化氢的新装置。超纯过氧化氢在半导体器件生产的各工序中用于清洗硅片。需测定的40种金属杂质在新产品中的总含量低于0.1ppm,而在以往的电子级过氧化氢中的含量为1ppm。新工艺是采用硼硅玻璃装置进行第二步纯化蒸馏,全部管道、设备、连接件都是用1,1-二氟乙烯聚合物制造的。最终产品贮存在高密度聚乙烯容器中,使产品自始至终不     

Cu—A1-Ni—Be形状记忆合金单晶制备及其性能特性研究

在自制的单晶高温度梯度定向凝固炉中，用带引晶器的单晶模壳制备出CuAlNiBe四元形状记忆合金系的单晶，并对其性能特性作了系统研究。结果表明，CuAlBNiBe四元形状记忆合金系的单晶比多晶具有更好的力学性能和优异的形状记忆性能。组织的有序化以及合金元素Ni、Be的加入是其性能改善的原因。     

ZnSe多晶料的合成方法及其工艺研究

简述了单晶生长用ZnSe多晶料的制备方法.分别以颗粒状和粉末状的高纯单质Zn和Se为原料,采用元素直接合成法合成了ZnSe多晶料,分析了直接合成的困难所在.理论分析和实验研究均表明:前期H2-O2焰下高温灼烧(～1500℃)使Zn和Se充分反应,是合成工艺的关键;延长后期恒温时间(不少于2周),使扩散反应进行完全,有利于获得更接近化学计量比的ZnSe多晶料.     

密闭罐内粉体物料存量的一种确定方法

1问题的提出 甲基氯硅烷单体是有机硅行业重要的原料,它是由硅粉、氯甲烷、催化剂及助剂在流化床反应器内合成的.在硅粉及催化剂、助剂进入反应器前,需要在干燥炉内用氮气流化进行干燥、混合的预处理过程,即所谓的触体制备过程.实际生活中,一般每天制备4炉,每炉1.5t,每炉耗2h,分三班制备,一天共制备6t触体原料供流化床反应器生产使用.     

保定市华宇新型电子材料有限公司的混合气通过鉴定

1999年 1 2月 1 2日 ,保定市华宇新型电子材料有限公司邀请有关专家组织召开了该公司研制的硅烷混合气的鉴定会 ,鉴定委员会认真听取了厂方所作的《研制工作报告》、《技术报告》、《经济效益分析报告》、《用户使用报告》等 ,参观了生产现场 ,并对厂方提供的技术文件及工厂生产条件进行了审查 ,经过讨论 ,一致认为 :1 .技术文件齐全、正确、统一、清晰 ,符合国家有关标准要求 ,可以指导生产。2 .硅烷混合气从钢瓶处理、管道清洗到用分压法配制混合气采用多项先进技术。提高了配气精度和速度 ,具有创新性 ,处于国内领先水平 ,整体技术居国内…     

日本超高真空技术概况

日本超高真空油扩散泵及冷阴极钛泵已有系列,超高真空蒸发设备亦有商品出售,其它如热阴极针蒸发离子泵及冷凝泵等均处于试验研究阶段。日本真空技术株式会社(以下简称为日本真空)在超高真空的生产研究方面在日本可居首位,该公司除了研究改进现有些户的超高真空设备外,其它的各种超高真空的获得方法及测量均在进行试验。日本电子株式会社,神港精机株式会社,和岛津制作所等,虽然亦生产了超高真空油扩散泵及超高真空蒸发设备,但所见到的产品不多,而且在研究方面花的力量亦是不大。日本电气试验所在超高真空方面主要是围绕电子零件的蒸发来进行,…     

晶体材料及设备

重庆大学单晶炉科研组,遵循伟大领袖毛主席关于“备战、备荒、为人民”的教导,根据社会主义建设的需要,充分发挥群众的积极性,以艰苦奋斗,自力更生的革命精神,在三年多的时间内,先后研制出了半导体材料大直径硅单晶,片状硅单晶(硅蹼晶体),晶体激光材料钇铝石榴石,及其相应三种类型的单晶炉设备。并为工厂和科研     

高温形状记忆合金Ni54Mn25Ga21相变及其形状记忆效应的研究

主要研究了马氏体相变温度Ms高于居里温度Tc的Ni54Mn25Ga21合金的相变及其单晶的形状记忆效应.采用真空电弧炉熔炼,然后用磁悬浮区熔晶体生长炉进行Ni54Mn25Ga21合金的单晶生长,成功制备了Ni54Mn25Ga21单晶.对多晶粉末样品进行了原位X射线衍射变温分析,结果表明Ni54Mn25Ga21合金具有可恢复的热弹性马氏体相变性能.对Ni54Mn25Ga21单晶进行的形状记忆效应实验结果表明,当总预应变不超过6%时,压缩变形后残留的应变可在随后的加热过程中完全回复.     

昭和电工拟建上海第二工厂增产电子化学品

正昭和电工株式会社1月8日宣布,为了强化电子材料用高纯度气体事业,决定在上海的生产基地-上海昭和电子化学材料有限公司的旁边取得第二工厂建设用地,建设高纯度一氧化二氮和高纯度八氟环丁烷的生产设施,以及高压气体危险品仓库。第二工厂拟于2021年下半年投产。海第二工厂计划面积约10,000 m~2,计划高纯度一氧化二氮年生产能力1,000 t,计划高纯度八氟环丁烷年生产能力600 t。     

昭和电工拟建上海第二工厂增产电子化学品

昭和电工株式会社1月8日宣布,为了强化电子材料用高纯度气体事业,决定在上海的生产基地-上海昭和电子化学材料有限公司的旁边取得第二工厂建设用地,建设高纯度一氧化二氮和高纯度八氟环丁烷的生产设施,以及高压气体危险品仓库。第二工厂拟于2021年下半年投产。海第二工厂计划面积约10,000 m 2,计划高纯度一氧化二氮年生产能力1,000 t,计划高纯度八氟环丁烷年生产能力600 t。     

应用市场

正昭和电工拟在上海新建高纯度气体工厂1月8日消息,为了强化电子材料用高纯度气体事业,昭和电工株式会社决定在上海的生产基地-上海昭和电子化学材料有限公司旁边取得第二工厂建设用地,建设高纯度一氧化二氮和高纯度八氟环丁烷的生产设施,以及高压气体危险品仓库。第二工厂拟于2021年下半年投产。第二工厂计划面积约10,000平方米,计划高纯度一氧化二氮年生产能力1,000吨,计划高纯度八氟环丁烷年生产能力600吨。另     

Rb3C60单晶薄膜制备及Rb3C60/C60相界面稳定性研究

通过控制蒸发源电流、源和样品间距及扩散时间,室温下在C60单晶(111)解理面上制备出Rb3C60.用低温同步辐射角分辨光电子谱测量了样品的能带结构.观察到的能带色散表明样品为单晶薄膜.用X光电子谱首次研究了Rb3C60与C60相界面的稳定性.结果表明温度低于约420 K时界面是稳定的.     

硅纳米管的理论及制备研究进展

硅纳米管在晶体管等纳米电子器件、传感器、场发射显示器件、纳米磁性器件及光电器件、储氢及电化学等领域有着广阔的应用前景.综述了近年来硅纳米管在储氢能力、热稳定性、量子限制行为及力学性能等理论方面的研究成果,以及采用水热法、模板法、电化学溶液沉积过程、化学气相沉积法、热蒸发、电弧法及激光烧蚀等方法制备单晶、多晶及非晶硅纳米管的最新研究进展,并提出了硅纳米管可能的研究方向.     

生产工艺与设备

902148关于一种新单晶带生长方法的理论研究 -一(H .Rodot等),《J .Eleetroni。Ma· terials》,1981,10,沁3,481一500(英文) 文中提出一种新方法来从原材料中得到单晶带材。从一个旋转的多晶材料圆柱体上的生产线L形成的狭窄熔区中,垂直于生产线方向可以连续拉出狭窄带材。作者用此法已生产硅带。并研究了热流和温度分度图,指出了熔区结构、电源功率和旋转速度之间的关系。在研究了熔区流体静力学平衡结构和它们对带材生长特性和稳定性的影响的基础上改进了以前的结果。并讨论了此法用于生产硅太阳电池和在空间冶金领域中应用的优点.〔铣…     

液封直拉技术及其应用

一、前言目前,工业及科学技术上所使用的人工单晶材料近200种,其中80％是由熔体生长的;直拉法(亦称提拉法,引上法,立拉法等)则是熔体生长中使用最为广泛的一种方法。比如,英国皇家雷达研究中心实验室用直拉法制备的材料就有100多种。从熔体中用直拉法生长晶体是波兰人Czochralski于1918年提出的。因此又通称为CZ法,Czochralski用这个方法制备了Sn、Pb等低熔点金属单晶。1950年Teal和Littele用这个方法制备成功Ge、Si单晶。目前,重要的电子材料Si单晶有75％是用CZ法生长的。近20年来随着电子工业,激     

直接法制备三甲氧基硅烷的正交实验研究

为提高产率、降低成本,采用反歧化法制备了催化剂氯化亚铜,研究了硅粉和氯化亚铜经过微波预处理直接法合成三甲氧基硅烷,利用XRD、XRF、SEM对催化剂进行了表征.用正交实验方法探索了不同工艺条件对硅粉转化率、产物选择性和产物收率的影响.正交实验表明,各因素对产物收率影响的由大至小顺序为：硅粉占溶剂质量比例、反应温度、甲醇...