文摘选辑

108 声表面波器件在民用电子设备中的应用——(Takahashi S.et al.)《Japn.J.of Appl.Phys.》22 Suppl.22-3(1983)7—11 介绍了SAW技术的近况及SAW器件在民用电子设备中的应用,主要介绍了磁带录象机用的SAW谐振器和用作电视中频滤波器残余边带滤波器和电视公用天线变频器的SAW横向滤波器,给出了它的特点和性能。(宗)     

文摘选辑

(一)声表面波技术 056 军事通讯、雷达和电子战系统用SAW器件——(Harhmanm C.S.)《Microwave J.》257(1982)73—86 讨论了军事系统特殊应用促进的SAW技术的进展。当前SAW器件有各种应用,从优良的阻带抑制和低插损的带通滤波器到能够完成有效的模拟信号处理功能。这些应用无疑将促进对基片材料、制作技术和器件的物理性能的研究改进。(声)     

文摘选辑

1 声表面波技术 001 通讯用SAW器件——Smith PM.Can J Electr Eng,1990,15(3):97—100 SAW器件市场现在已超过1亿美元。作者介绍了对不同的SAW器件结构的评述,并概括了它们的特性,然后说明了一些与通讯工业有关的应用,包括普通的通带滤波器、Nyquist滤波器、时钟恢复滤波器和插件标定及傅立叶变换等。     

文摘选辑

(一)声表面波技术257 军事通讯、雷达和电子战系统用的SAW器件—(Hartman C.S.et al.)《Mi-crowave J.》25 7(1982)73—86评述用于通讯、雷达和电子战系统的SAW器件的现有水平,概述横向滤波器的工作原理和设计原则及其他SAW器件,总结了现有的性能参数,指出了军用SAW器件研制的原因.     

文摘选辑

一、声表面波技术 118 SAW器件的最新动向——Watanabe T.:NEC Res.Dev.,1988;(88)1—11 介绍了高性能SAW器件研制的最新技术动向,发现了温度系数极小的SAW器件用晶体切割面,制成了可导出最佳解(为获得所期望的频响特性)的计算机辅助设计工具,探明了器件微型化工艺极限。采用电子束注入法试制了光纤通讯系统用3.99GHz定时滤波器,文章还介绍了其他一些SAW器件的应用。     

文摘选辑

(一)单晶和薄膜材料133 声表面波器件用的LiTaO_3单晶的生长——(Fukuda T.)《Jour.Cryst.Growth》462 179—841979已成功地用提拉法生长了φ2.5—3.0时,长4—5时的SAW级LiTaO_3大单晶,并用经济的Pt-Rh坩埚代替昂贵的Ir柑埚,由于Rh的掺入,晶体呈棕色至淡黄色.测定了光吸收、Rh的掺杂浓度和生长条件的关系,并与Ir     

文摘选辑

一、声表面波技术 108 沿两种材料间的ZnO层传播的界面声波——入野俊夫:《电子情报通信学会论文誌(日文),1987:J70-C(1)59—68 研究了在SiOz/ZnO/SiO_2、SiO_2/ZnO/硼硅酸玻璃和SiO_2/ZnO/(z-x)Si等一些三层结构中的ZnO薄膜上传播的SAW与ZnO膜厚的关系。亦分析了不同器件结构中的机电耦合系数,测得了延迟线的临界温度,根据实验结果可选择适于制作SAW器件的ZnO基片。 109 采用ZnO/ AlN/玻璃基片的高耦合高速度SAW—Shiosaki T.:1985 Ultrason Symp.Proc.,186—191 报道了与三层结构SAW器件中的SAW传播有关的各种特性。在Kovar玻璃基片上制作了AlN压     

声表面波器件小型化技术发展概述

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势.着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点.详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势.     

文摘选辑

(一) 声表面波技术 001 用扫描电子显微镜观察SAW器件中声波的传播——(Eberharter, G.)《Appl. phys. Lett.》37 8 (1980) 698—9 用具有频闪观测电压对比度的扫描电子显微镜观察了在Y切LiNbO_3基片上等指长的、重叠的和不等指长的叉指换能器上传播的声波。     

声表面波技术与电子战

本文介绍SAW器件在电子战(EW)系统中的应用。以声表面波滤波器组为核心的信道化接收机可以实现宽频的信道化接收和100%的截获概率(POI),可广泛应用于电子侦察(ELINT);以声表面波Chirp器件为核心的压缩接收机可有数百兆赫的带宽和2MHz—25kHz的频率分辨率,可以用于电子侦察和通信侦察,采用合适的结构亦可获得100%的POI。文章叙述了各种声表面波器件及声表面波声光(AO)器件在ESM、ECM、ECCM中的其它应用。文中还简单介绍了我所为EW研制的SAW器件。     

文摘选辑

(一)声表面波技术051 采用一步制作工艺的低损耗SAW器件——Lewis,M:《1983 Ultras.Symp Proc.》104—108本文叙述单相单向换能器的研制.这种设计用“抽样”换能器使换能器内没有反射器组.制作这样的器件只需要一步光刻即可.原型LiNbO~3器件具有极佳的通带性能,其插入损耗小于3dB.     

信号处理及移动通信用SAW滤波器综述

声表面波(SAW)器件是利用压电材料将电信号转换成表面波在固体表面传播,在输出端将表面波再转换成电信号从而进行信号处理的器件。由于 SAW 信号处理系统的速度比最快的数字处理系统还要快两个数量级,并且具有非常大的信息容量,所以在信号处理和通信系统中占有十分重要的地位。本文就 SAW 器件中常见的 SAW 滤波器的原理、结构和主要特点,以及 SAW 滤波器的选用和使用注意事项及其应用状况与发展趋势作出了概述。     

信号处理及移动通信用SAW滤波器综述

声表面波(SAW)器件是利用压电材料将电信号转换成表面波在固体表面传播,在输出端将表面波再转换成电信号从而进行信号处理的器件。由于SAW信号处理系统的速度比最快的数字处理系统还要快两个数量级,并且具有非常大的信息容量,所以在信号处理和通信系统中占有十分重要的地位。本文就SAW器件中常见的SAW滤波器的原理、结构和主要特点,以及SAW滤波器的选用和使用注意事项及其应用状况与发展趋势作出了概述。     

文摘选辑

(一)声表面波技术047 制作在Ta_2O_5/熔石英上的温度补偿SAW延迟线——Y.Nakagawa:IEEE Trans.UFFC,1986:33(3)331—32在溅射有Ta_2O_5薄膜的熔石英玻璃上制作了一阶温度系数为零的SAW器件,这种结构的二阶温度系数约为ST切石英的两倍,其符号相反.     

传统SAW离子束调频技术研究

制作传统声表面波(SAW)器件晶圆芯片表面的材料是Al,Al在空气中被氧化,极易生成致密的氧化铝(Al_2O_3)薄膜,由于Al_2O_3薄膜和Al及基底压电材料的刻蚀速率存在差异,会导致SAW的离子束调频过程复杂。该文介绍了一种用于SAW的离子束调频方法,采用该方法对制作的SAW器件进行离子束调频后,实现了目标频率的调高和调低,并进一步提高了频率集中度,从而解决了低频窄带SAW器件及2 GHz以上SAW高频器件频率精度难以提高的工艺难题。     

换能器与固体微声器件

0327700声表面波器件压电芯片粘接工艺的可靠性研究(刊,中]/陈台琼//电子质量.—2003,(6).—89-91(E3)本文对声表面波(SAW)器件失效模式以及SAW器件粘片失效模式进行了初步分类和探讨。通过对粘片工序几种失效模式的对比试验,总结了一套针对该工序的较为完整的粘片可靠性增长率控制措施。     

文摘选辑

(一) 声表面波技术 211 AlPO_4中温度补偿取向的SAW性能研究——(Bailey D. S. et al.)《Electronic~s Letters》18 4 (1982) 168—170 实测了三个单旋转切两个双旋转切AlPO_4中的SAW传播速度的温度变化及电声耦合常数。用获得的最佳数据将实验结果与计算值作了比较,两者一致。指出了用于温度稳定器件的材料的电势。AlPO_4的耦合常数远远大于石英的耦合常数。     

文摘选辑

(一)声表面波技术233 温度稳定的SAW射频延迟线—USP.4,434,383该器件要求基片的功率流角较大,主输出换能器在竖直方向的宽度足以截断整个功率流角范围内的波束.从主输出换能器反射的波朝着竖直排列在另一端的输出换能器阵列(补偿器)传播.补偿器和主输出换能器的输出信号经加法器相加,即为SAW器件的输出信号.输出换能器以功率流方向变化的特点来补偿器件响应中的温度变化.(庆)234 SAW滤波器的安装结构——USP     

文摘选辑

1 声表面波技术 120 SAW器件在扩频通讯中的应用——Feng S.AD Rep(USA),[AD—A—222 958],13 叙述了最近通讯中十分重要的技术——扩频通讯系统中SAW—MSK信号调制器/发生器和SAW卷积器的应用及其实际效果,并示出了良好的性能。     

文摘选辑

1 声表面波技术93001 SAW在有机晶体中传播的首次实验——Gilmour S.Electron Lett,1992,28(6):593～594(一)20α—甲苄氨基—5—硝基吡啶(MBANP)组成是一种对称点群为2的单斜晶体.这种材料具有压电性,因而考虑将其用于制作SAW器件的材料.就作者所知,这种SAW在极性有机晶体中传播的首次实验,表明其是用于信号处理的新型材料.测得[010]方向的SAw速度为1416ms~(-1),比许多无机基片低二分之一.