纳米线织构的多晶硅太阳电池研究

采用无电化学刻蚀技术,通过优化Ag NO_3浓度、刻蚀温度和刻蚀时间,研究在125 mm×125 mm多晶硅片表面制备均匀分布硅纳米线阵列的方法,获得了硅纳米线织构的多晶硅在宽光谱范围内(300~1000 nm)平均反射率约为8%。成功制备了表面具有硅纳米线织构的多晶硅太阳电池,并通过两种改进方法提高太阳电池效率:1)优化硅纳米线阵列的长度(约1.5μm),并利用PECVD方法在硅纳米线阵列表面生长70 nm Si_3N_4薄膜进行表面钝化,纳米线织构的多晶硅太阳电池效率从8.95%提高到了11.41%。2)使用HNO_3和HF混合溶液去除硅衬底背表面的硅纳米线阵列,使铝背电极与多晶硅紧密接触,太阳电池效率进一步提高到13.99%。研究表明:所采用的改进方法能有效提高纳米线织构多晶硅太阳电池的效率。     

通过减反射膜提高太阳能电池的效率

IncreaseSolarCellEfficieneybyAntireflectingCoating在正常的太阳光照射下，一块100mm×100mm的硅太阳能电池可产生1－1．5W的电能，转换效率为10％－15％。1980年，电池效率为10％，每瓦硅太阳能电池的成本为7．5美元，现在电池效率已达到13．5％或更高，成本不到3美元。当然，制造成本与生产批量成反比。提高效率方面已取得成绩：用浅结来提高红光响应，高分辨率格栅以降低阴影系数，更完好的周边绝缘以提高填充因子，更好的导电浆和先进的烧结工艺，背反射将光线反射回前结，用背电场减少光和电子损失，然而上述工艺大部分都很昂贵…     

一种新型太阳电池的设计

为了降低硅太阳电池的造价,近年来再次掀起晶体硅薄膜太阳电池的研究热潮,基于同一个目的,试图研究另一种新颖太阳电池－“硅粒太阳电池”。本文主要从太阳电池的基本原理出发,介绍了这种硅粒太阳电池的设计电路,讨论了它的结构和工艺特点,同时需要地报道了对该电池硅晶粒层的初步研究结果。     

轴瓦“减薄区”模具的一次改进

目前,轴瓦生产厂加工“减薄区” 的模具大多是图1的型式。但当轴瓦直径小,减薄长度短,减薄量又大时,就难以满足工艺要求。如S195连杆瓦,要求两上口平面以下各20°范围内均匀减薄,折合减薄长度10～12mm左右。减薄量为0.05～0.07mm,用原来型式的模具不能满足要求。我们对 “减薄区”模具进行了一次改进,其结构型     

硅太阳电池材料

制造太阳电池的材料很多,其中有元素半导体材料(如硅),也有化合物半导体材料(如68化镉)。由于地球上硅的贮量十分丰富,并且硅太阳电池的制造工艺已比较成熟,所以硅在太阳电池材料中占有重要的地位。为了降低硅太阳电池的成本,目前硅单晶已向大型化发展。采用大直径单晶硅制作太阳电池,可以减少切片损失,节省原材料和加工费。西德一家公司已制成10×10厘米~2的硅太阳电池,效率达9—10％;美     

高转换效率太阳电池

美国加利福尼亚州Varian Associates公司研制成转换效率高达28.1％单结砷化镓太阳电池。该电池是本公司86年完成转换效率26.3％单结型砷化镓电池的基础上开发的。砷化镓太阳电池的大小为5mm×5mm。可用于地面发电系统和搭载在人造卫星上作动力源。如果太阳电池的转换效率提高1％,则可增加人造卫星通讯频道数目,可减少100万美元的制作费用。目前,所用的硅太阳能电池,其转换效率仅为14％。     

RTCVD工艺制备poly-si薄膜太阳电池的研究

报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly-si)薄膜及电池的实验和结果.采用SiH2CL2作为原料气体,衬底温度为1030℃时,薄膜的生长速率为10nm/s.发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关.用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm2的p+n结样品电池,无减反射涂层,其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm2,25℃).     

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究

研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。     

PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究

研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果.分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S＜9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S＜5.6cm/s.     

PECVD氮化硅抗反射膜的研究

采用PEGVD氮化硅作为硅PN结太阳电池的单层抗反射膜,可使光电转换效率增加38％,短路电流增益平均达42％。利用PECVD氮化硅的Si/N元素成份比随工艺条件可变的特点,进行了多层非均质氮化硅抗反射膜的研究,在可见光谱范围内其表面反射率为4.5％。     

研制高效硅太阳电池的新进展

本文报道了我们研制的2×2cm~2、n~ /p硅太阳电池。它采用了绒面、硼背场、铝背反射器、Ti-Pd-Ag电极以及TiO_x-Al_2O_3双层减反射膜。在25℃、AM0条件下的最优样品电池输出功率达80.6mW。 实验表明:(1)硼背场导致电池开路电压增加50-60mV;(2)用1—2％的NaOH水溶液可腐蚀出接近于理想的绒面。这种表面结构与硼背场和TiO_x-Al_2O_3双层减反射膜相结合,使电池短路电流显著提高,与常规电池相比,约增加7.5mA/cm~2。     

国外柴油机活塞发展的特点及分析

当前,国外柴油机进一步向高转速、高负荷方向发展,最高的燃气爆发压力可达150公斤/厘米~2;平均有效压力达到21公斤/厘米~2;活塞的平均速度已达14米/秒;同时,对于柴油机运转可靠性及寿命要求也不断提高。为此,一些国家对活塞的材质、结构进行了一系列的研究和改进。 一、活塞材料的发展 活塞材料是研究活塞的一个重要内容。随着发动机强化程度不断提高,各国已愈来愈多地采用过共晶硅铝合金,含硅量为17～26％不等。如日本的CHS-3含硅为22～24％,苏联的AЛ26含硅为20～22％。过共     

高效氮化硅抗反射膜MIS/IL及MINP硅太阳电池的研制

本文报道了用常规MIS/IL及MINP硅太阳电池工艺制备的超薄SiO_2膜进行低温、低压氨处理的结果。电池的I—V特性及转换效率明显提高。在氨气中直接制备超薄Si_xO_yN_z膜获得成功。采用简单工艺,分别制出全面积转换效率为13.5％(AM1.5,100mW/cm~2,25℃,面积1.02cm~2)的MIS/IL硅太阳电池及效率为16.1％(AM1.5,100mW/cm~2,25℃,面积1.11cm~2)的MINP硅太阳电池。     

轻烃内氧部分氧化替代外燃蒸汽转化制取合成气的先进技术

我国轻烃资源丰富,是制氨、尿素与甲醇的主要原料。我国现年产合成氨和甲醇近3000×104t,耗用轻烃(折CH4计)近300×108m3/a,大都采用外燃蒸汽转化,其中包括用干燃料的轻烃约100×108m3/a,并燃烧排放出CO2达2000×104t/a。采用我国成功开发的纯氧自热转化替代外燃蒸汽转化,用2m3O2可替代出燃料1m3CH4,免除产生CO2排放2kg/m3CH4,同时将节省下来的轻烃燃料作原料用可增产30%。与外燃蒸汽转化相比,新工艺原料消耗可降低20%～30%,甲醇合成能力可提高20%～100%,减排CO220%～80%,而且新工艺的转化炉体积小、造价低、省去了耐高温贵镍合金材料、使用寿命长。我国近3000×104t/a轻烃制氨、甲醇生产厂,如果应用此新工艺替代传统外燃蒸汽转化工艺,每年可节省轻烃燃料约100×108m3,可用于增产氨、甲醇125×104t/a,减排CO22000×104t/a。我国若在四川苍溪,采用纯氧自然转化、无CO2排放的等压合成甲醇转化制乙烯工艺,建设2×50×104t/a乙、丙烯基地,仅耗用天然气20×108m3/a。     

PVB层压硅太阳电池组件

本文介绍了用PVB作层压材料,封装硅太阳电池的层压技术。采用液体排气法和两段层压工艺,消除气体,防止对硅太阳电池和互联条的损伤,压制成有60只2×2cm~2单体的硅太阳电池组件。组件经过了性能试验,并在室外暴露了一年多,组件中的PVB没有脱层、龟裂和变色等变化。组件功率衰降不明显。     

低速率沉积非晶硅薄膜钝化Cz-Si片的研究

采用PECVD法在低沉积速率(1?/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压i Voc达722 m V。对FTIR测试结果分析表明:非晶硅薄膜中的Si H2与Si H键的相对数量对钝化效果具有重要影响。     

低温制备硅薄膜的晶粒尺寸研究

利用等离子体增强（PECVD）法和快速热处理（RTP）法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜.用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究.结果显示,各种制备参数对增大薄膜晶粒尺寸存在一个最佳点;总的来说,RTP法制备的晶粒尺寸大于PECVD中制备的晶粒尺寸.     

硅胶负载溴掺杂纳米TiO2的制备与光催化性能研究

利用水热法制备了SiO2负载型溴掺杂纳米TiO2光催化剂(BTS),利用XRD、BET和UV-Vis DRS等测试手段对其进行表征,以苯酚的光催化降解为模型反应,考察了其光催化活性.结果表明:700℃焙烧、钛与硅的摩尔比为3∶1时,BTS具有最佳光催化活性.TiO2以锐钛矿相存在,晶体平均晶粒尺寸为45.5nm,负载后催化剂的比表面积为112.8m2/g,BTS对苯酚的降解率从纯TiO2的27.1％提高到85.6％.     

高转换效率的多晶薄膜太阳电池

高转换效率的多晶薄膜太阳电池据《日经新材料和工艺》杂志１９９４年第１４２期报道，三洋电机公司研制成功转换效率达８．５％的多晶薄膜太阳电池。电池结构如图１所示。样品电池的大小为１ｃｍ×１ｃｍ。图１电池结构提高转换效率的主要措施是加大晶粒，减少晶界。与已...     

真正秀外慧中 索尼爱立信T707

索尼爱立信T707,该怎么形容呢？三围93mm×50mm×14．1mm,体重98g,面容姣好,体态轻盈;身披工程塑料材质外衣,红色、蓝色、黑色和绿色依次登场,“炫不惊人誓不休”;320万像素摄像头,凭借支持3．2倍数码变焦、视频拍摄等功能,