偶氮类有机薄膜的光存储与光调剂特性研究

本文利用光致双折射技术 ,研究了两种新型偶氮类光电功能材料的光存储与光调制特性。对比研究结果表明 :含偶氮侧链聚合物具有更好的光存储功能 ,而偶氮小分子掺杂聚合物则更适用于光调制。文中还利用偶氮小分子掺杂聚合物薄膜 ,通过改变附加偏振光的偏振方向得到了一级自衍射的放大和衰减信号 ,从而在 0°～ 90°范围内完成了偏振光调制光学全息技术     

线-圆双偏振态光束抽运有机聚合物全光开关

为了有效降低偶氮苯聚合物薄膜全光开关信号的本底,提高全光开关信号的调制深度,利用线偏振光合成圆偏振光的原理,设计了一种新的线-圆双偏振态光束抽运光路。实验用532 nm光作为抽运光,632.8 nm的He-Ne激光作为探测光。532 nm的光先分为功率相等但偏振正交、相位差为π/2奇数倍的两束线偏振光,然后再合成一束抽运光。通过调制其中的一束来实现线偏振与圆偏振抽运光之间的转换,从而实现样品光致双折射的产生与擦除。以掺杂分散红1(DR1)的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜(PMMA)为样品进行实验。结果表明,用此光路,样品全光开关信号的调制深度达到92%,远远高于传统的单一线偏振光束抽运光路的实验结果。     

偶氮苯聚合物掺杂液晶光栅的研究

将偶氮苯聚合物和向列相液晶以一定比例混合后注入液晶盒,用线性偏振光进行掩膜光照,引发偶氮苯聚合物发生顺反异构,诱导液晶产生光双折射现象,形成偶氮苯聚合物掺杂液晶光栅,样品通过光学显微镜和He-Ne激光器的检测,结果表明该光栅具有清晰的光栅结构,衍射效率高并具有电场可调谐性,更为重要的是驱动电压大幅降低,可与集成电路匹配。     

偶氮苯聚合物薄膜光致表面调制效应研究

实验观测了偶氮苯聚合物薄膜在Ar^ 激光（488nm)激发下的光表面调制效应。给出了488nm激光激发条件下,含有不同偶氮苯侧基的聚合物的光表面调制效应的数值。分析比较了偶氮苯聚合物表面调制效应的强弱及其产生的原因。给出光表面调制效应与聚合物接枝率的关系。     

掺杂偶氮苯聚合物薄膜光致双折射特性

通过改变激励光光强以及激励光偏振方向与探测光偏振方向的夹角θ,研究一种新的掺杂偶氮苯聚合物薄膜光致双折射的特性。实验结果表明该掺杂偶氮苯聚合物薄膜在低激励光强下具有良好的光信息储存性能,是一种很有潜力的光储存材料。对有关实验结果作出了定性的解释。     

偏振光照对偶氮苯侧链聚硅氧烷膜表面能的提高

采用硅氢加成法合成了含偶氮苯侧链的聚硅烷液晶聚合物,用FTIR、DSC和偏光显微镜对聚合物结构及液晶特性进行了表征。采用473nm偏振光对聚合物膜进行了光致取向,用偏光显微镜对取向结果进行了表征,发现偏振光倾斜照射后侧链偶氮苯基团发生了面外垂直取向。采用量高法测量了取向前后膜的接触角,根据接触角计算了膜的表面能。聚合物膜在取向前接触角为94.5°,偏振光照射取向后降低为76.5°,表明光照使聚合物膜从疏水变为亲水,膜的表面能明显增加。结合锥光显微镜观察到的干涉图结果,提出了极性偶氮苯基团面外垂直排列取向提升膜表面能的机理。     

光吸收调制微加工技术中偶氮材料光吸收率的时间变化特性

基于偶氮材料光吸收调制的高分辨率微加工技术近年来引起了极大关注。为揭示该技术中偶氮材料光吸收调制的机制,结合偶氮材料光致异构原理,利用偶氮材料的光吸收理论模型,数值模拟了偶氮材料光吸收率的时间变化特性。以典型偶氮苯染料分散黄7(Disperse Yellow 7-DY7)为例,分别开展了在365 nm光束单独作用和365 nm与532 nm双光束共同作用下,不同厚度DY7薄膜在365 nm光吸收率的时间变化特性实验研究。结果表明,在365 nm光束作用下,偶氮苯材料对365 nm光吸收率因光致异构效应发生了明显改变,而实验中532 nm光束的热效应对偶氮苯材料的光吸收率有显著的影响。     

偏振光下向列相液晶(5CB∶C_(60))取向光折变特性的研究

通过实验研究了外加电场对C60掺杂的向列相液晶(5CB)的取向光折变特性及水平和竖直偏振光对样品二波耦合和自相位调制现象的影响。通过测量样品的增益系数和光束耦合率可以看出,在水平偏振光照射下两束透射光有较强的能量转移而在垂直偏振光照射时几乎观察不到明显的能量耦合现象。可见,液晶盒中的分子取向与光束的偏振方向有很强的依赖关系。     

偏振光下向列相液晶(5CB:C60)取向光折变特性的研究

通过实验研究了外加电场对C60掺杂的向列相液晶(5CB)的取向光折变特性及水平和竖直偏振光对样品二波耦合和自相位调制现象的影响。通过测量样品的增益系数和光束耦合率可以看出，在水平偏振光照射下两束透射光有较强的能量转移而在垂直偏振光照射时几乎观察不到明显的能量耦合现象。可见，液晶盒中的分子取向与光束的偏振方向有很强的依赖关系。     

偶氮侧链聚合物液晶薄膜光致双折射及其光存储实验

本文实验研究了偶氮侧链聚合物液晶薄膜（P-CN）的光致双折射和光存储性质。在连续 532nm激光作用下,该液晶薄膜（P-CN）表现出显著的光致双折射（△n～10-2）。基于光致双折射效应,实验中获得了长久的、高对比度的光信息记录。     

载流子迁移率测量的光电方法

本文评述了载流子迁移率测量的各种方法,着重介绍了光电测量的渡越时间(TOF)方法,并对几种新的含偶氮基、硝基及咔唑基的光电功能材料进行了测量,给出了迁移率的测量结果.     

High-gain, V-band, low-noise MMIC amplifiers usingpseudomorphic MODFETs

State-of-the-art, 60-GHz, low-noise MMICs based on pseudomorphic modulation-doped FETs, with 0.25-μm×60-μm gates offset 0.3 μm from the source ohmic, are discussed. Single-state low-noise amplifiers (LNAs) exhibited minimum noise figures of 2.90 dB with 4.1 dB of associated gain at 59.25 GHz. Dual-state MMICs had minimum noise figures of 3.5 dB and 10.8 dB of associated gain at 58.50 GHz. Cascaded four-stage LNAs (two dual-stage MMICs) had minimum noise figures of 3.7 dB and over 20.7 dB of associated gain at 58.0 GHz. Finally, when biased for maximum gain, the four-stage amplifier exhibited over 30.4 dB of gain at 60.0 GHz     

X-band 0.5, 1, and 2 watt power amplifiers with markedimprovement in power-added efficiency

Very efficient X-band MESFET power amplifiers, showing greater power-added efficiency over a wider bandwidth than any X-band amplifiers of comparable output reported to date, are discussed. The amplifiers were designed with attention given to optimum bias, proper harmonic termination, and efficient power combining. These device and design issues are discussed, and a straightforward design method which achieved the increased levels of efficiency is described     

vol. 15, no. 1, Cover

vol. 15, no. 1, Cover     

双频CO_2激光多光子离解CF_3CHCl_2分离氘

本文研究在双频CO_2激光辐照下CF_3CDCl_2-CF_3CHCl_2混合气的多光子离解。所获得的氘的一步浓缩系数β_(产物)达1600,比单频CO_2激光辐照下离解的浓缩系数大。     

Realization of Finite Impulse Response Filters Using Coefficients +1, 0, and -1

New classes of nonrecursive linear digital filters are proposed as alternatives to conventional methods for digital signal processing devices. In fact, the traditional approach, where signal samples are represented by 8-15 bit words, can be very expensive to implement due to the complexity of multibit multipliers and adders. Filter structures consisting of a transversal filter with tap coefficients restricted to - 1, 0, or + 1 and cascaded with simple recursive sections are proposed. Using a mean square error criterion, dynamic programming methods to select optimum sets of coefficient values for the taps are presented and evaluated. It is shown that these structures lend themselves to very simple hardware implementations and offer a valid alternative to the conventional filtering approach. Designs for several example filters are presented, and their implementation complexity is examined.     

为微控制器提供振荡器的LED驱动电路

白光LED驱动器的主要构件是一个振荡器，一个电荷泵和一个稳流电流源。美国国家半导体公司（WWW.national.com）生产一种在高度集成的LM2791/2型IC内包含以上三种构件的器件。白光LED驱动器通常与手机基带控制器或微控制器串联使用。你可以方便地采用LM2791／2来提供一个时钟源：你只要考虑到在快速充放电电容器（C1）两个引脚上有一个伪方波，就可以实现一个简单而有用的电路。