AgGa0.6In0.4Se2晶体的制备与表征

以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2(x=0.4)化学计量配比配料(富1%Se),在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料.差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃.采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Ф20 mm×60mm、结构完整.的AgGa0.6In0.4S2单晶体.经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为(112)面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836-19.65μm 范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV.结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备.     

掺杂晶体AgGa1-xInxSe2的群速失配对频率转换的影响

为了研究群速失配对掺杂晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响,依据超短脉冲的群速匹配理论和晶体的Sellmeier方程,计算了二次谐波产生(SHG)和Nd3 :YAG(1.06μm)与Ho3 :ILF(2.08μm)激光泵浦光学参量振荡器(OPO)的相位匹配和群速失配.该结果对AgGa1-xInxSe2晶体应用具有指导意义.     

可接受掺杂比对掺杂晶体AgGa1-x Inx Se2频率转换的影响

为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响,依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程,给出了光学二次谐波产生(SHG)和Nd3 :YAG(1.06μm)与Ho3 :ILF(2.08μm)激光泵浦光学参量振荡器(OPO)的调谐曲线可接受掺杂比.该结论可用于AgGa1-xInxSe2晶体生长与应用.     

锶掺杂对钛酸镧钡陶瓷结构相变和拉曼电荷效应的影响

采用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(RS)技术调查了(Ba0.97-x La0.03Sr x)Ti0.9925O3(x=0.015-0.2)陶瓷的结构特征.结果表明:当x≤0.1时,晶体维持在四方结构,当Sr含量增加到0.2时,晶体由四方相变为伪立方相.伴随着结构相变,Sr掺杂对(Ba0.97La0.03)Ti0.9925O3陶瓷的拉曼电荷效应产生影响.     

碘化汞(α-HgI_2)晶体的形貌预测及制备

为了获得应用于核辐射探测器的碘化汞(α-HgI_2)单晶,采用布拉维法则理论,通过Material Studio(MS)软件预测理想晶体形貌,建立了以二甲基亚砜为溶剂,控制溶液初始温度为25℃,每4h升温1℃的近平衡态液相生长工艺.研究结果表明:{001}是最重要生长晶面,理想晶体的最优/大面应为(001);经过4d的生长,获得具有规则自然晶面,与模拟形貌结果比较接近的α-HgI_2晶体,同时X射线衍射检测表明晶体最大晶面为(001).通过理论模拟和实验结果证明在近平衡生长环境下结构因素控制α-HgI_2生长.     

YbBi2单晶的合成及其X射线衍射的实验研究

利用 flux法成功合成了高纯的 Yb Bi2 单晶 .实验发现本文合成的 Yb Bi2 单晶是片状晶体 ,平均面积为 4 8mm2 ,厚度 1 mm,在常温下处于亚稳态 ,容易氧化 .利用粉末法仅有一个衍射峰可以明确判定为 Yb Bi2 的衍射峰 ;利用 Yb Bi2 单晶进行射线衍射实验 ,仅能获得 ( 0 1 0 )面的一系列衍射峰 ,其它衍射峰却很难获得 .本文首次采用了对尺度逐渐减小的晶粒进行 X射线衍射的方法 ,成功获得 Yb Bi2 的 XRD谱 .     

高能晶面TiO_2的可控合成及其光催化性能

利用水热法合成了形貌规则并具有高表面能{101}和{001}晶面的锐钛矿TiO_2单晶,通过X射线衍射和扫描电镜等对样品的形貌和结构进行了表征,系统考察了氢氟酸浓度对所得样品中{001}晶面比例的影响以及后处理对样品性能的影响。光催化降解罗丹明B反应表明,当氢氟酸为58mmol/L、合成晶体{001}晶面比例为48%时光催化效果最强。{001}晶面不是唯一影响光催化效率的因素,{001}晶面与{101}晶面的协同作用也同样重要。     

N,N’,N义-三（3-吡啶基）均苯三甲酰胺的合成及晶体结构

为确定有机晶体中的分子排列,以均苯三甲酸、氯化亚砜、3-氨基吡啶为原料,采用酰胺缩合反应合成N,N’,N″-三(3-吡啶基)均苯三甲酰胺(TPTA),并研究其晶体结构.利用核磁共振氢谱、红外光谱、X射线粉末衍射以及X射线单晶衍射对其进行表征.结果发现:TPTA晶体为三方晶系,空间群为P 3-,晶胞参数a=1.400 48(2)nm,b=1.400 48(2)nm,c=0.848 98(3)nm,α=90°,β=90°,γ=120°,Z=2,V=1.442 05(6)nm3,Dc=1.003 g/cm3,μ=0.07 mm-1,F(000)=450.0,R1=1.101,wR2=0.343,S=1.52.研究结果表明:TPTA分子间通过氢键结合,形成了一种含有孔隙直径约为1.087 nm的有机多孔结构.     

测量单晶硅片晶面弯曲的X射线方法

本文将单晶硅片的弯曲分成硅片整体弯曲和晶面弯曲两种情况,利用X射线多晶衍射仪和单晶体的结构特性,提出通过确定晶体表面和衍射晶面的法向偏差角来测量晶面弯曲的一种新方法。对(111)硅单晶片的测试表明,将此种方法和其它描述硅片弯曲的方法结合起来,可以成为研究硅片弯曲的有效工具之一。     

一种锂锌硼磷酸盐的晶体结构

磷酸盐和硼磷酸盐在非线性光学晶体、催化剂、分子筛等功能材料方面有着潜在的应用前景.利用水热法合成硼磷化合物LiZn(H2O)2(BP2O8).H2O,单晶X射线衍射分析证明化合物属六方晶系,空间群为P6522,Z=6.Mr=1 956.72,a=0.944 67(8)nm,c=1.563 97(13)nm,V=1.208 7(18)nm3,Dc=2.688 g/cm3,F(000)=966,R=0.033 2,Wr=0.073,符合I>2σ(I)的独立衍射点768个.结构中BO4,PO4基团形成1∞[BP2O8]3-螺旋带与ZnO6相连构成八面体-四面体空间骨架,水分子靠近螺旋带通道的内侧,起到稳定骨架的作用.     

柱状晶向等轴晶转变过程的模拟实验研究

通过对NH_4Cl水溶液二维凝固过程的模拟实验,研究了柱状晶向等轴晶转变的条件及规律。结果表明,液相区内晶体形成后,在重力和液流作用下运动,其主要运动趋势是重力作用下的下落。不同凝固面接受下落晶体的能力不同,发生柱状晶向等轴晶转变的条件和机理不同,因而柱状晶区的长度也不同。文中提出了各凝固面柱状晶区长度的估算方法和利用“晶雨”促使柱状晶向等轴晶转变的措施。     

光学晶体加工中的定向方法

晶体的定向在晶体加工中是一项很重要的工作。本文介绍了几种不同的定向方法,每一种方法都有自己的特点和用途。文章还对常用的定向方法从原理和使用上作了分析和讨论。     

KDP晶体生长工艺研究

利用水溶法生长了KDP单晶体,系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程.指出生长均匀、无缺陷KDP单晶体工艺过程中的注意的事项.实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高,会造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核;pH值过高,生长的晶体会出现楔化现象,过低则影响生长速率,实验测得pH值为2.2;50℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力,提高晶体的光学均匀性.同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的生长层、晶面花纹等缺陷.     

对平晶衍射强度公式的讨论

本文利用耦合方程推导了平晶衍射公式,并通过数值计算与W.H Zachariasen公式作了比较,最后讨论了入射宽度的影响。     

定向凝固纯铜组织性能研究

采用高真空多功能定向凝固及悬浮熔炼设备,以不同凝固速度制备纯铜试样,并对定向凝固纯铜试样的显微组织和机械性能进行了分析研究.通过实验获得了定向凝固纯铜的组织性能.当凝固速度小于500μm/min时,定向凝固的纯铜试样横、纵截面的晶粒形貌都是等轴晶,晶粒内存在孪晶,凝固速度较小时,其孪晶组织数量较多.当凝固速度大于500μm/min时,定向凝固的纯铜试样横截面的晶粒形貌是等轴晶,而纵截面的晶粒形貌是柱状晶,晶粒内基本不存在孪晶组织.定向凝固纯铜的室温机械性能是:当凝固速度在50μm/min的条件下,试样的抗拉强度约153 MPa,较普通铸造纯铜试样的低,而屈服强度约91.8 MPa,延伸率约80.12%,都优于普通铸造纯铜试样.透射电镜分析表明,纯铜定向凝固过程中形成的孪晶B=[110].     

Ti^3＋：Al2O3单晶光纤生长

本文用LHPG法生长了Ti:Al_2O_3单晶光纤,并探讨其生长规律。证明少量掺杂离子对宝石光纤生长规律影响不大。同时作者用自制的光纤吸收和荧光谱仪对Ti~(3+)离子在光纤拉制过程中的改价问题进行了研究。     

单晶物理性能随空间方向的变化

单晶晶格的各向异性导致单晶物理性质的各向异性,单晶的物理性质(如:材料热膨胀系数、弹性模量等)随空间方向变化。通过方向相关函数描述单晶物理性质随空间方向的变化,推导出单晶物理性质方向相关函数的一般形式,给出立方单晶和3m单晶物理性质方向相关函数的具体表达式,并将其     

对甲氧基对硝基二苯基乙炔的晶体结构与多型性

用对甲氧基苯乙炔铜与对碘硝基苯反应，定量地合成了对甲氧基对硝基二苯基乙炔，用溶剂法生长了它们的单晶．用Ｘ射线衍射结构分析和测定ＳＨＧ效应方法研究了这些晶体，发现从不同的溶剂中生长的单晶体具有不同的晶体结构，并且具有不同的光学性质．讨论了晶体生长、晶体结构与其光学性质的相互关系．     

热液型水晶晶体形貌标型特征研究

利用微分干涉显微镜等测试手段，对不同类型的水晶晶体各族晶面的形貌特征进行观察和描述，采用编码统计方式定量表达晶体形态与生长环境条件的关系．测试了水晶晶体中包裹体的均一温度、盐度等参数，水晶晶体各族晶面c：R：r的生长速率比例主要与环境温度、过饱和度有关：低温、低过饱和度时，晶体以柱状晶习占优势；温度及过饱和度升高，晶体生长速度加快。晶面之间生长速率差异相对减少，则以菱面体状晶习占优势。     

东方钽业4英寸LN晶片的研究开发

通过检测图片,直观地介绍了衡量晶片加工水平各主要参数的意义;同时,介绍了宁夏东方钽业4英寸LN(LiNbO3)晶片研发的进展,并和目前国外4英寸LN晶片加工水平进行了对比.结果表明,宁夏东方钽业的4英寸LN晶片加工已达到了国际水平.