温补晶振补偿电压自动测试系统

对温补晶振补偿电压的测试进行了讨论,设计提出了一种温补晶振热敏网络补偿电压的自动测试系统,以计算机为控制核心,结合应用软件,对系统中的程控设备仪器进行操作控制,实现了测试过程的自动控制,补偿电压的自动测量,测试数据自动分析以及数据自动记录存储功能,提高了测试数据的可靠性,提高了生产效率和产品质量。     

一种高精度、低振动相位噪声数补晶振的研制

本文论述了一种高精度、低振动相位噪声数补晶振的研制过程,通过改变补偿方式提高了晶振的精度,并解决了一系列的干扰问题,通过优化设计晶体谐振器、采取减振等几项关键措施有效解决了晶振在振动条件下相位噪声恶化的问题,最终满足了用户的使用要求。     

低噪声晶振16次倍频源

本文介绍了低噪声高次倍频器的设计原理及低相位噪声晶振１６次倍频信号源。     

最佳一致逼近算法在模拟温补晶振中的应用

目前国内外频率控制领域中最常用的近似方法是最小二乘法,但是实际需要的是使频率偏差的绝对值最小而不是频率偏差的平方和最小．而最佳一致逼近算法正是能够求解出使频率偏差的绝对值最小的极大极小解的一种方法。将最佳一致逼近算法首次应用于模拟温补晶振补偿网络参数的计算中,并针对一个具体的例子,通过比较利用最佳一致逼近算法前后的数据,可以看出理论上在利用了最佳一致逼近算法后和最小二乘法相比补偿精度提高11．74％．并进行了验证实验。由于算法本质特性,从统计规律来看,该算法会提高产品的成品率,对于生产实践具有指导意义。     

可编程温度补偿晶体振荡器技术

介绍了一种新型的可编程温补晶振(TCXO),它是在传统的温补晶振基础上,结合锁相技术及新工艺研制而成。该可编程温补晶振输出频率可以根据用户需要进行再设置,不仅具有传统温补晶振的优点,而且使用灵活、方便。通过对10~300 MHz频率范围内的可编程温补晶振的实验,已获得了很好的效果。在-55℃~85℃的温度范围内,频率温度稳定度优于±2 ppm。利用贴装、混合工艺等使晶振的体积做到20.4 mm×13 mm×10 mm(D IP14)。     

基于单片机的晶振温度补偿系统设计

该文设计了一种基于单片机的温度补偿晶体振荡器系统,它具有可视化、高精度和温度补偿模式可调的特点。在-6.9~+72℃宽温度范围内,单片机分别从测温电路、高精度频率计读取晶振的实时温度和频率,并与内存的电压-温度曲线比较,产生相应的控制电压来精确补偿晶体振荡器的频率偏移;在此温度范围外,通过键盘输入信号控制半导体制冷制热器,调节系统内部温度至此温度范围内完成补偿。测试结果表明,通过该温补系统,在-6.9~+72℃宽温度范围内,其频率-温度稳定度由补偿前的±6.25×10-6变为±1.875×10-6,性能提升了70%。     

200MHz高频晶体振荡器研制

研制了一种200 MHz高频晶体振荡器,概述了产品的组成及工作原理,给出了该高频晶体振荡器的详细设计方法.仿真与实测结果表明,该晶体振荡器不仅具有优良的相位噪声,同时也达到了预期的抗振设计要求.     

小型抗振晶体振荡器设计

在现代通信系统中,晶体振荡器的振动性能变得越发重要。文中讨论了振动状态下晶体振荡器的相位噪声性能,并通过采用微型减振器,设计了一种小型抗振晶体振荡器,从而提高晶体振荡器在振动状态下的相位噪声性能。测试结果显示,小型抗振晶体振荡器在振动状态下相位噪声达到-147 dBc/Hz@1 kHz,而相位噪声性能的优化可达40 dB。     

100.450 MHz五次泛音温度补偿晶体振荡器

应用新的温度补偿方法研制了100.450MHz五次泛音温度补偿晶体振荡器,该振荡器由450kHz陶瓷振荡器,100MHz五次泛音晶体振荡器,混频器,晶体滤波器组成。450kHz陶瓷振荡器的输出频率与100MHz晶体振荡器的输出频率混频,滤波,取其和频。直接利用450kHz陶瓷振荡器输出频率对100MHz晶体振荡器进行温度补偿。实验结果表明,在0~70℃该振荡器的频率-温度稳定度<±7×10-7,初步测量相位噪声为-119dBc@1kHz。     

高稳定度和宽电源电压范围晶体振荡器芯片设计

基于0.6μm CMOS混合信号工艺设计了一款高稳定度、宽电源电压范围的晶体振荡器芯片。该芯片片内集成具有优异频率响应的振荡器电容和反馈电阻,只需外接石英晶体即可提供高稳定时钟源。测试结果表明:芯片最高工作频率可达40MHz;在振荡频率12MHz、负载电容15pF、电源电压从2.7V到5.5V变化时其频率随电源电压变化率小于1×10-6;电源电压为5V时芯片消耗总电流小于4mA。     

一种高频低相噪晶体振荡器电路的设计

从李森模型出发,以100 MHz振荡器为例,详细介绍了一种高频低相噪晶体振荡器电路的设计思想和指导原则。考虑了振荡器中的几个关键电路的选用,并给出了电路原理图。采用ANSOFT SERENADE8.7进行计算机仿真得出电路的频谱、波形和相位噪声曲线图,并将其优化。根据仿真结果做出实际的电路,得出实测相位噪声为-154.97 dBc/Hz@kHz-、164.17 dBc/Hz@10 kHz。可以看出,该电路在低相噪方面有一定的特点。     

A 20MHz Low Phase-Noise 0.35μm CMOS Crystal Oscillator

The design procedure of a CMOS process integrating Colpitts cr(ystal oscillator is described in detail by using the tools of Matlab and advanced design system (ADS). The small-signal analysis is performed both in the viewpoint of negative resistance and positive feedback. The analysis of condition for reliable start-up of oscillation and design guides for low phase noise is introduced. The measured phase noise is (172dBc/Hz@10 kHz and the power dissipation is 0.36 mW at power supply 3V.     

一种改进交叉耦合晶体振荡器

设计了一种改进的差分输出晶体振荡器,该振荡器在一般交叉耦合鳍栖的基础上,通过加入RC高通滤波器来改良电路的相位噪声,分析了该RC滤波器对电路的影响并给出了优化方法．基于0．25μm标准CMOS工艺模型的仿真结果表明,该滤波器可有效滤除经过上变频会成为载波附近相位噪声的低频噪声（特别是1／f噪声）,采用普通4MHz晶体谐振器,该振荡器相位噪声可以达到-130．1dBc@100Hz．     

一种高稳定恒温晶振的设计

为了满足对晶体振荡器频率稳定度的较高要求,设计了一种标频为10MHz的高稳定低相噪恒温晶体振荡器。通过分析晶体振荡器的短期稳定度,总结出改善短期稳定度的措施,并根据分析结果进行实际振荡电路的设计,然后借助ADS谐波平衡仿真工具,通过对电路参数的不断优化,最终得到理想的相位噪声仿真曲线并根据优化的最终参数指导设计出实际样品,测试结果表明,频偏在1Hz处的相位噪声为-108dBc/Hz,其1s处的阿伦方差可达1.1E-12,具有很高的稳定性。