Ti对Gd1-xTix合金晶体结构和磁热效应的影响

用真空电弧熔炼炉制备Gd1-xTix(x=0.0005,0.001,0.002)系列合金,并对其晶体结构、居里温度、绝热温变进行研究.室温XRD分析发现:该系列合金仍保持与纯Gd相同的相结构;材料的居里温度比纯Gd的居里温度稍微降低;其最大绝热温变△Tad值有所上升;在低磁场下,Gd1-xTix系合金可以部分替代Gd作为室温磁制冷材料.     

磁热效应及磁制冷材料的研究现状

阐述了磁热效应的基本理论及测量方法。对各种测量方法的精度作出了分析。介绍了具有大的磁热效应具有作为磁制冷工质的材料研究的进展,同时对我国在这方面的发展提出了建议。     

基于巨磁阻抗效应磁场测量传感器研究

针对非晶材料巨磁阻抗效应,设计并实现了一种新型磁场测量传感器,根据非晶丝的双峰特性,分析传感器的工作原理,设计传感器的闭环负反馈结构,建立了传感器的数学模型.在此基础上,通过分析传感器的误差传递函数,提出一种比例积分控制规律,可有效地消除传感器的稳态误差,提高传感器的线性度.实验结果表明：在该控制器的作用下,传感器的线...     

磁热效应及磁制冷材料的研究现状

阐述了磁热效应的基本理论及测量方法。对各种测量方法的精度作出了分析。介绍了具有大的磁热效应并具有作为磁制冷工质的材料研究的进展,同时对我国在这方面的发展提出了建议。     

Co／Pb多层膜的磁电阻与磁光克尔效应

用射频磁控溅射方法制备了一系列Ｃｏ／Ｐｂ多层膜样品,进而研究了它的磁电阻与磁光性质。发现该系统除Ｃｏ子层的各向异性磁电阻外还存在由反铁磁耦合导致的约为０．３％的巨磁电阻效应,以及磁光极克尔效应的增强现象,并对磁光增强的可能机制进行了研究。     

磁电阻效应的原理及其应用

对几种磁阻效应作用机理和磁阻元件在传感器中的应用进行了综述,详细介绍了几种磁阻传感器的工作原理,对几类常用的磁阻传感器的性能进行了比较,并对磁阻传感器的发展进行了展望.     

Gd1-xZnx系合金磁热效应的直接测量

用真空高频磁悬浮炉制备了Gd0.9Zn0.1,Gd0.8Zn0.2Gd0.7Zn0.33种合金,并用直接测量法测量了样品及纯FGd在1.5 T磁场下的磁热效应,发现Gd1-xZnx(x=0.1,0.2,0.3)系合金仍具有较大的磁热效应,且其最大绝热温变△Tadd随x的增加而降低,是一种可供选择的室温磁制冷材料.     

Gd5(SixGe1-x)4合金磁热效应的直接测量

为了选择自适应的磁致冷材料,确立更准确的测量方法,利用永磁体作磁场,采用高灵敏温度传感器,直接测量了Ｇｄ５（ＳｉｘＧｅ１－ｘ）４合金样的△Ｔａｄ－Ｔ曲线,并与文献中相同成分的样品间接测量的结果进行了比较,分析了测量结果以及存在的误差。     

巨磁热效应合金Gd5Ge2(Si2-xMx)的结构和显微组织

通过用热稳定元素Mn和A l代替Gd5S i2Ge2合金中的(S i Ge)后对合金的晶体结构、显微组织和磁性能的影响研究表明,少量的掺杂量不会改变Gd5S i2Ge2的单斜型晶体结构,但它的晶格常数增大,体积膨胀,居里温度提高,然而掺杂样品的磁热效应降低.样品的显微组织随着热稳定元素Mn和A l掺杂量的增加,晶粒在长大,同时第二相析出量也在增加.     

Co/Pb多层膜的磁电阻与磁光克尔效应

用射频磁控溅射方法制备了一系列Co／Pb多层膜样品,进而研究了它的磁电阻与磁光性质．发现该系统除Co子层的各向异性磁电阻外还存在由反铁磁耦合导致的约为0．3％的巨磁电阻效应,以及磁光极克尔效应的增强现象,并对磁光增强的可能机制进行了研究．     

磁导线-磁性散射区-磁导线系统的自旋输运

研究磁性导线-磁性散射区-磁性导线组成的量子系统(FM-FSR-FM)的电子的输运性质，利用Buettiker散射矩阵理论对系统的电子流和电子自旋流进行计算．结果表明，在低温下，不仅粒子电流受控于散射区磁场与两边导线磁场间的夹角，且自旋流随夹角变化也可为正、负或零，系统具有明显的自旋阀效应．     

近室温磁制冷工质的研究现状与发展前景

基于稀土－过渡金属间化合物Gd-Si-Ge系合金及钙钛矿型猛氧化物的磁热应及其巨磁热效应机理，对近室温磁制冷材料的研究现状及材料与磁制冷技术的发展前景进行了分析。     

NiCo／Cu多层膜的巨磁电阻与磁光克尔效应

本文对用射频磁控溅射方法制备的ＮｉＣｏ／Ｃｕ多层膜的层间耦合与磁光克尔效应的内在关联性进行了研究。发现巨磁电阻比与磁光克尔角的幅值（θｋ＾２＋ηｋ＾２）＾１／２随Ｃｕ层厚度作同步振荡。其磁光振荡可主要归结于层间耦合引起的铁磁层中电子的光和磁光跃迁的变化。     

La1-xZnxMnO3和LaL2/3 Sr(1-x)/3 Znx/3 MnO3的磁电输运特性

用固相反应方法制备La1-xZnxMnO3和La2/3Sr(1-x)/3Znx/3MnO3化合物.La1-xZn MnO3在不同掺杂浓度x的研究表明:Zn2 在一定浓度范围内掺杂,具有钙钛矿结构,但掺杂浓度在50%～70%时有ZnO衍射峰,其电阻率在100 K以上随温度而下降,当掺杂浓度为x=0.3时电阻率最低.当Zn2 和Sr2 共掺而保持La3 浓度不变,即载流子浓度不变,维持Mn3 /Mn4 =2∶1,随Zn2 掺杂浓度增大,铁磁-顺磁转变温度降低,磁阻效应增大.低场磁阻效应与Zn2 掺杂浓度无关,而与温度有关;高场磁阻效应随掺杂浓度增大而增大.     

光纤磁液粘度计的研究

研究了稀磁液磁致双折射效应与磁液各参量及磁场的关系，并基于其磁光驰豫特性与载液粘度的关系（爱因斯坦方程），初步研究了磁液光纤磁光粘度特性及其应用的可行性．     

La1-xZnxMnO3和La2/3Sr_((1-x)/3)Znx/3MnO3的磁电输运特性

用固相反应方法制备La1-xZnxMnO3和La2/3Sr(1-x)/3Znx/3MnO3化合物。La1-xZnxMnO3在不同掺杂浓度x的研究表明:Zn2+在一定浓度范围内掺杂,具有钙钛矿结构,但掺杂浓度在50%~70%时有ZnO衍射峰,其电阻率在100 K以上随温度而下降,当掺杂浓度为x=0.3时电阻率最低。当Zn2+和Sr2+共掺而     

光纤磁液粘度计的研究

研究了稀磁液磁致双折射效应与磁液各参量及磁场的关系，并基于其磁光驰豫特性与载液粘度的关系（爱因斯坦方程），初步研究了磁液光纤磁光粘度特性及其应用的可行性。     

快速循环晶化Al／BiGa：DyIG双层磁光膜的磁和磁光性能研究

基于快速循环退火的技术及经验，给出米晶化和增大有效法拉第角的理论公式，通过与实验结果比较能够很好地解释Ａｌ／Ｂｉ，Ｇａ：ＤｙＩＧ双层膜的磁光增强及温度变化特性等原因，同时发现在石榴膜厚０．１－１．３μｍ范围内，双层膜法拉第角比单层膜增大了０．２０度。     

多晶La0.85Na0.17MnOz晶界间自旋相关的输运性质

实验研究了晶粒间弱连接和致密连接的La0.85Na0.17MnOz多晶样品的电磁性质,发现弱连接的样品和致密连接的样品在居里温度以下的输运性质显著不同,弱连接的样品从居里温度到77 K在低场下具有较大的磁电阻,而致密连接的样品在低温的磁电阻几乎为零.结合低温下的电阻率与外磁场的关系,可以得出,晶粒间的自旋相关的隧道效应对低温的低场磁电阻起着重要作用.