低压低功耗CMOS电流反馈运算放大器的设计

通过在输出级采用电阻反馈,以增强负载驱动能力,采用隔离补偿电容,以消除低频零点等方式,设计了一种性能较高的CMOS电流反馈运算放大器。在1.5 V电源电压下,当偏置电流为1μA,负载电容为80 pF时,采用BSM3 0.5μm CMOS工艺进行HSPICE仿真。结果表明,该电路结构达到了76 dB的开环增益、312 MHz单位增益带宽、62°相位裕度,139 dB共模抑制比,功耗仅为0.73 mW。     

低压低功耗CMOS电流运算放大器的设计

设计了一种新型CMOS电流反馈运算放大器结构,通过在输出端采用电阻反馈,增强负载能力,利用MOS管实现串联电阻以消除补偿电容带来的低频零点.使用0.5 μm CMOS工艺参数,PSPICE模拟结果获得了与增益关系不大的带宽.电路参数为:80.7 dB的开环增益,266 MHz的单位增益带宽,62°的相位裕度,149 dB共模抑制比以及在1.2 V电源电压仅产生0.82 mW的功耗.     

一种低压低功耗CMOS ULSI运算放大器单元

基于新型的折叠电流镜负载PMOS差分输入级拓扑、轨至轨(Rail-to-Rail)AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术和Cadence平台的实验设计与模拟仿真,采用2μmP阱硅栅CMOS标准工艺,得到了一种具有VT=±0.7V、电源电压1.1～1.5V、静态功耗典型值330μW、75dB开环增益和945kHz单位增益带宽的LV/LP运算放大器。该器件可应用于ULSI库单元及其相关技术领域,其实践有助于CMOS低压低功耗集成电路技术的进一步发展。     

基于0.5μm CMOS工艺的低压低功耗电流放大器

采用BSM30.5μm CMOS工艺,通过引入电流模式的缓冲级输入输出结构而设计了一种性能较高的CMOS电流反馈运算放大器.在1.5V的电源电压下,当偏置电流为1μA,负载电容为20pF时,对整个电路进行HSPICE仿真.结果表明,该电路结构达到了87dB的开环增益,23.8MHz的单位增益带宽,48°的相位裕度,139dB的共模抑制比,功耗仅为2.09mW.     

低功耗高精度运算放大器

美国微芯科技公司推出MCP603X运算放大器系列，包括MCP6031、MCP6032、MCP6033及MCP6034等多款器件。这些次微安放大器的静态电流仅为900nA，带宽为10kHz，在25℃温度下的最大电压偏移只有150μV。适用于医疗、工业及消费市场的手持式和便携式电子设备。     

1 V低功耗套筒式CMOS运算放大器的设计

介绍了一种用于低电压CMOS模拟集成电路设计的阈值调节思想。利用该思想,在0.35μm标准CMOS工艺条件下,设计出电源电压仅为1 V的套筒结构集成运算放大器(Tele-scopic OPA)。HSPICE仿真表明,与传统结构相比,新型结构在保证增益、带宽等放大器重要指标的基础上,功耗有了显著的降低。     

低压低功耗CMOS电流反馈运算放大器设计

利用电流传输器CCII+作为输入(输出)缓冲器,使用0.18μMCMoS工艺设计了低压低功耗电流反馈运算放大器,模拟结果初步获得了与增益无关的23.3MHz带宽及27.7V/μS的转换速率.     

一种新型的CMOS电流反馈运算放大器

电流反馈运算放大器在高速高频电子领域有广泛的应用，但目前市场上流行的基于互补双极性结构的电流反馈运算放大器的电源电压和功耗都较高。文章主要在文献[1～3]基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器，使用0．51μmCMOS工艺参数（阈值电压为0．7V），模拟结果获得了与增益无关的带宽、极大的转换速率。电路参数为：81db的开环增益、87度的相位裕度、123db共模抑制比，以及在1．5V电源电压下产生了约6．2mW的功耗。     

一种低电压低功耗Class-AB运算跨导放大器

提出了一种新型Class-AB全差分运算跨导放大器(OTA).该OTA基于一种结构简单的电压缓冲器,在大信号非线性工作时,能够输出不受静态偏置电流限制的瞬态电流,提高了摆率和建立速度;同时,该结构还能够增强直流增益、增益带宽积等小信号特性,适合于低功耗开关电容电路的应用.另外,该OTA结构简单,适合于低电压工作.采用0.18μm CMOS工艺进行仿真,结果表明,该OTA结构能够在1V电源电压下工作.     

低功耗CMOS集成运算放大器的研究与设计

基于0.35μm N阱硅栅CMOS标准工艺,设计了一个工作电压为±2.5 V的CMOS两级全差分运算放大器。通过采用密勒电容和调零电阻串联的补偿电路,有效地改善了电路的频率响应特性,提高了转换速度,使该两级运算放大器在获得较大输入共模范围和输出摆幅的同时,还获得了较高的增益及相位裕度,满足便携式电子产品的低功耗、高性能要求。Cadence SpectreBSIM3V3模型仿真结果表明,在10 GΩ负载电阻和1 pF负载电容并联的条件下,该两级运算放大器的功耗为3 mW,开环直流电压增益为73 dB,单位增益带宽达到90 MHz,相位裕度为47°。     

热电式红外传感器中低功耗频域放大器的设计

CMOS低功耗、低噪声频域放大器是热电式红外传感器中的核心部分,其在5 V电源下静态电流必须小于100 μA,且对低频噪声,尤其是50 Hz噪声有较强的抑制能力.经模拟,文中设计的电路在5 V～2.5 V电源电压下均能正常工作,且在5 V下的总静态电流为82.1 μA.该电路在相对通带,即0.2 Hz～5 Hz信号,对50 Hz噪声有200倍以上的抑制能力.     

1.5V低功耗Rail-to-Rail CMOS运算放大器

基于2μm标准P阱CMOS工艺,实现了一种1.5V低功耗Rrail-to-Rail CMOS运算放大器.本运算放大器采用两对跨导器作rail-to-rail输入级,并运用电流折叠电路技术,将最低电源电压降到VT+3VDS.sat.运放同时采用一种适合于低电压要求的对称AB类推挽电路作rail-to-rail输出级,获得了高驱动能力和低谐波失真.芯片测试结果表明,在100pF负载电容和1K负载电阻并联条件下,运放的静态功耗只有270μW,开环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了70dB,2.2MHz和60.     

高性能移动电话音频功率放大芯片分析与设计

文章成功地将一种全差分析叠式共源共栅运算放大器结构应用于移动电话音频功率放大芯片的设计中。仿真表明，该音频功率放大芯片的电源抑制比（PSRR）在20Hz～20kHz频段始终高于60dB；尤其是在217Hz的频率上，其PSRR值达到了82dB。该设计提高了音频芯片的抗电源噪声能力，改善了通话语音质量。芯片采用华润上华（CSMC）0．6μm、3．3V／5V电源电压、2层多晶2层金属CMOS工艺制造。     

一种高精度低失调运算放大器的设计

基于基流自举补偿技术、偏置微调技术、同心圆式的几何布局技术和2 μm双极工艺,设计了一种高精度超低失调运算放大器.测试结果表明,电路直流开环增益为125 dB,共模抑制比120 dB,失调电压18 μV,压摆率0.6 V/μs.该器件可广泛应用于mV量级或更低微弱信号的精密检测、精密模拟计算、高精度稳压电源和自动控制仪表等.     

高性能折叠式共源共栅运算放大器的设计

折叠式共源共栅结构能够提供足够高的增益,并且能够增大带宽、提高共模抑制比和电源电压抑制比.基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种折叠式共源共栅结构的差分输入运算放大器,给出了整个电路结构.Spectre仿真结果表明,该电路在3.3V电源电压下直流开环增益为121.5dB、单位增益带宽为12 MHz、相位裕度为61.4°、共模抑制比为130.1dB、电源电压抑制比为105 dB,达到了预期的设计目标.     

一种新型超低电压运放的设计与仿真

本文详细介绍了一种超低电压运放的设计过程,对低电压运放与传统运放的设计进行了比较。最后,给出了仿真的结果。     

一种高性能CMOS运算放大器的设计

采用Chartered0.35μm工艺,设计了一种开环增益为84dB,-3dB带宽达12kHz,转换速率为400V/μs,相位裕度为60°的高性能运算放大器。其中,通过两级放大器级联的套筒式运放结构的设计,解决了高增益和大输出摆幅的需要;同时,采用带隙电流源作偏置电路,保证了运算放大器的设计精度。     

采用E类峰值放大器的反向Doherty功放设计

为获得更高的功率附加效率,采用了E类峰值放大器代替传统反向Doherty功放中的C类峰值放大器.E类峰值放大器的负载网络由一个阻抗匹配电路和两个谐波抑制电路组成.通过分析,得出了功放的设计步骤,同时为了证明分析的有效性,设计了一个工作在1.96GHz,输出为38dBm的带E类峰值放大器的反向Doherty功放.仿真结果显示,在输出功率为38dBm时,与平衡AB类功放和传统反向Doherty功放相比,带E类峰值放大器的反向Doherty功放分别有11.5%和1.1%的功率附加效率的提升.当输出功率从24dBm到38dBm变化时,测得的二次和三次谐波抑制分别大于36dB和30dB.     

低噪声运算放大器噪声分析

研究了如何从电路结构上减少运算放大器的噪声，以一种低噪声运放为例。着重介绍输入级设计。并借助计算机分析选择合适的输入器件尺寸。最后通过对运放噪声的仿真验证，得到了满意的结果。     

A Linear Power Amplifier Design Using an Analog Feedforward Method

We propose and describe the fabrication of a linear power amplifier (LPA) using a new analog feedforward method for the IMT‐2000 frequency band (2,110–2,170 MHz). The proposed analog feedforward circuit, which operates without a pilot tone or a microprocessor, is a small and simple structure. When the output power of the fabricated LPA is about 44 dBm for a two‐tone input signal in the IMT‐2000 frequency band, the magnitude of the intermodulation signals is below ?60 dBc and the power efficiency is about 7%. In comparison to the fabricated main amplifier, the magnitude of the third intermodulation signal decreases over 24 dB in the IMT‐2000 frequency band.