谷氨酸生产提取工艺的改进研究

谷氨酸生产提取工艺一直是各厂家关注的生产环节,目前工艺中,谷氨酸变晶母液一般用来蒸发浓缩后水解,水解液与离交高流混合后进入等电系统.本文对谷氨酸变晶母液及味精精制过程产生的味精母液的生产利用进行改进,以提高生产效率,降低生产成本.     

浅谈影响谷氨酸结晶的因素

在氨基酸生产中,谷氨酸作为目前市场上销售量最大的氨基酸,在企业生产中占有重要位置。L-谷氨酸晶型分α-晶型和β-晶型两种,α型为斜方六面晶体,结晶体纯度高(90%以上),颗粒大,易沉淀分离;β型为粉状或针、鳞片状,颗粒小,质最轻,结晶时常悬浮于发酵液中,纯度低(50～80%),不易沉淀分离,大大影响提取收率并影响后道工序(浓缩结晶)的收率.如何使生产晶型更适合提取,从而提升提取质量,是企业都十分重视的问题。对谷氨酸提取过程中影响晶型形成的因素进行总结,通过生产控制期望得到满意的谷氨酸结晶。     

转换晶型提高谷氨酸纯度研究

采用小麦淀粉生产葡萄糖用于谷氨酸生产，生产的谷氨酸杂质多，研究谷氨酸晶型由α型转为β型工艺，使α型谷氨酸转晶为β型谷氨酸析出杂质，提高谷氨酸的纯度。     

活性炭对谷氨酸转晶的影响及机理阐述

文中重点研究了活性炭对谷氨酸在等电点转晶的影响及其机理。结果表明,供试的7种活性炭均能有效缩短转晶时间,以木制活性炭ZK-200型号最佳,在添加量为1.2%时,转晶时间从31 min缩短为19 min,转晶后谷氨酸的色价仅为0.003,透光率达83.9%,脱色率高达94.6%。进一步研究了代表性杂质丙氨酸在转晶过程中对β型晶核的成核速率及转晶时间的影响规律,阐明了添加活性炭加快转晶速率的机理。添加活性炭实现等电点原位转晶,不仅避免了Na+的引入,还有利于改善转晶后谷氨酸晶体质量。     

氨基酸组成和调酸速率对谷氨酸结晶的影响

对不同工段谷氨酸发酵液及多次结晶母液的氨基酸含量进行了测定 ,并探讨了谷氨酸浓度和调酸速率对谷氨酸结晶的影响。结果表明 ,正常形成α型结晶和结晶异常———出现β型结晶的谷氨酸发酵液、超滤液和四效浓缩液中的氨基酸摩尔组分无显著性差异。脯氨酸极易掺入到α型晶体中。谷氨酸浓度和调酸速率是影响晶型的主要因素 ,适当降低浓缩液流加结晶和调酸速率可有效防止 β型晶体的产生。     

谷氨酸转晶后的技术分析

采用谷氨酸转晶工艺替代传统的结晶工艺可提高味精质量，降低生产成本，提高产品的市场竞争力，谷氨酸转晶后结晶工艺，实现味精降耗增效、提高生产产能。     

二次结晶谷氨酸纯化工艺研究Ⅰ:转晶条件优化

从等电母液中蒸发结晶得到的二次结晶谷氨酸,其硫酸铵、色素等杂质含量高,不能直接精制生产味精,转晶是提高二次结晶谷氨酸质量的途径之一。实验研究了转晶温度、pH值、转晶料水比等因素对谷氨酸转晶的影响,得到比较理想的转晶条件:转晶温度95℃,pH值4.5,转晶料水1∶2.5,活性炭添加量为1%(1g活性炭/100g二次结晶谷氨酸)。     

糖蜜淀粉发酵味精处理末次味精母液的工艺研究

本文研究了在α-型谷氨酸转晶生产上处理末次味精母液的工艺，pH4，6、谷氨酸含量为45％的α-型谷氨酸晶体、末次味精母液与水的混和悬液升温至70℃，并恒温搅拌38min可完成α-型谷氨酸转晶过程，经过滤及60℃左右的水洗涤可得到洁白的β-型谷氨酸晶体，其一次转晶收率达到83％，转晶母液再经一系列处理进行循环回收，达到有效去除因发酵过程中添加糖蜜带来的色素和母液因温度升高增加的色素，提高结晶收率的目的。     

冷却速率对聚合物熔纺纤维结构及性能的影响

本文综述了聚合物熔纺过程中冷却速率对纤维结晶和力学性能的影响。冷却速率影响着初生纤维的结晶速率、晶型以及晶粒尺寸,而初生纤维的微观结构影响纤维的后拉伸工艺及成品纤维的力学性能,其冷却速率是影响纤维力学性能的重要因素之一。     

微波技术在谷氨酸转晶工艺中的应用

从等电母液中得到的结晶谷氨酸杂质含量高,转晶是提高谷氨酸质量的重要途径之一。在谷氨酸转晶工艺中引进微波技术,进行了α-谷氨酸溶液的微波低温转晶实验,结果表明:微波技术不会影响β-谷氨酸晶体的质量,并且可以促进α-谷氨酸向β-谷氨酸转型。     

六水氯化锶结晶过程分析及优化

从提高晶体粒度角度出发,使用间歇冷却过程,在夹套式结晶器内研究了六水氯化锶结晶过程,通过正交试验,确定了影响氯化锶晶体粒度的因素和最佳结晶工艺条件.主要影响因素为降温速率、养晶时间、搅拌速度,最佳条件:降温速率5℃/h,养晶时间20 min,搅拌速率200 r/min,在该条件下氯化锶的粒度可以达到657.3 μm.     

晶种法对植物甾醇结晶的影响

通过对植物甾醇结晶过程原理的分析,提出以晶种法提升植物甾醇产品收率的工艺路线.这种方法主要考察加入晶种的温度、晶种的量、降温速率和搅拌速率等因素,从而达到控制晶核数量和提高晶体粒径目的,最终实现提升产品的收率.研究结果表明,加入晶种的温度为57℃、晶种的量为1％、降温速率为1℃/h、搅拌速率为5 r/min的条件下,植物甾醇的收率可以提高到97％,这对实际生产具有重要的意义.     

L-谷氨酸晶种制备新工艺的研究

在研究超声波刺激下溶剂及添加剂对谷氨酸（Ｌ－谷氨酸）过饱和溶液成核晶型、粒度的影响的基础上，研究得出一条制取谷氨酸晶种的新工艺。用本法制得的晶种与目前工业上常用的粗晶种相比，具有粒度均匀、晶形完整、纯净（均为α型晶体）的优点。     

连续等电点应掌握哪些关键?

连续等电点工艺的主要控制要点有:1由于连续等电点是在大量晶种存在的情况下结晶,因此选择起晶罐(池)内谷氨酸的晶种质量是非常重要的。如果起晶罐(池)内谷氨酸晶体粒度均匀,为α-型结晶,则连续等电点获得谷氨酸亦基本为α-型结晶。该工艺操作中如果不重视这一点,将会导致整个过程的失败。     

提高L- 谷氨酸产量的后期发酵工艺参数研究

以谷氨酸生产菌S9114 为供试菌株,利用50m3 发酵罐研究了L- 谷氨酸的发酵过程,确定发酵后期产酸速率过低是影响L- 谷氨酸产量的主要原因。优化发酵工艺的参数以提高L- 谷氨酸后期发酵的比产酸速率,结果表明：采用溶氧控制的葡萄糖流加方式,控制发酵后期的pH 值,在发酵的适当时期流加一定量的生物素和KCl 等措施可有效提高L- 谷氨酸的后期产酸水平。在最优条件下,单罐最高产量可达148g/L,糖酸转化率为60.5%。     

谷氨酸转晶后的技术分析

传统的味精生产工艺会导致味精颜色发黄,末道所生产的低含量味精无法销售,精制所产生的母液量偏大,从而影响精制收率,致使各原辅料单耗增加,味精的成本增加,采用谷氨酸转晶工艺替代传统的结晶工艺,通过近五个月的生产实践,味精的晶体亮度比传统工艺有了较为明显的变化,且转晶后各原辅料的单耗下降幅度较大,生产产能,相比较传统的工艺提高幅度很大。要想实现产能,技术指标的最优化,必须控制转晶过程中的各项关键工艺参数,保证系统物料平衡,减少物料积压,维持系统稳定运行。     

有机氮源对谷氨酸棒杆菌发酵L-缬氨酸的影响

以L-缬氨酸生产菌谷氨酸棒杆菌XV0505为供试菌株,研究有机氮源对L-缬氨酸发酵的影响,确定了玉米浆代替豆饼水解液作为有机氮源的发酵工艺,降低了发酵成本;考察不同玉米浆浓度对谷氨酸棒杆菌XV0505发酵生产L-缬氨酸过程中生物量、耗糖速率、L-缬氨酸产量、副产物积累及氨消耗等方面影响,确定了玉米浆的适宜添加浓度;考察了玉米浆与生物素不同配比对L-缬氨酸分批发酵过程的影响,确定了最适生物素添加浓度。与原工艺相比,新工艺的菌体生物量及产酸提高了13.2%和18.5%。     

晶浆黏度对谷氨酸结晶晶习及粒度分布的影响

用不同浓度的蔗糖溶液制备不同黏度梯度的溶液,考察了黏度对谷氨酸结晶晶习及粒度分布的影响,并通过测定不同黏度条件下谷氨酸结晶诱导期时间及生长速率的变化,探寻了黏度对谷氨酸结晶的影响机理。实验表明,在实验所测的黏度范围(1.00～10.30mP·s)内,黏度对谷氨酸的晶习基本没有影响,在相同过饱和度下,黏度增加,谷氨酸结晶诱导期时间延长,结晶成核速率减小,谷氨酸晶体的生长速率减小,使得谷氨酸晶体的颗粒直径减小,但晶体粒度分布均匀性略有增加。在工业生产上可以适当地提高结晶温度,以降低溶液的黏度,缩短结晶的诱导期时间,提高晶体的生长速率,使其更有利于谷氨酸的结晶。     

实现常温等电离交法提取谷氨酸的良性循环生产优质谷氨酸技术探讨

要实现常温等电离交法提取谷氨酸的良性循环、生产优质夫酸,就必须要优化和正确控制工艺技术条件,以提高α-GA的结晶效果,降低上清液GA的含量。要达到理想效果,关键在于系统中的排杂状况,即:(1)优化工艺技术,严把排尾关,实现丰产丰收;(2)变晶母液的水解要彻底,滤渣去除占变晶夫酸的2%～5%;(3)定期置换后流,提高高流质量;(4)正确掌握变晶技术,生产优质变晶夫酸。     

谷氨酸分批等电结晶中晶种表面积及其粒径对产品粒度分布的影响

在谷氨酸分批等电结晶过程中,添加晶种与否直接影响产品的粒度分布(CSD)。通过在谷氨酸结晶过程中添加不同晶种的方法,研究晶种表面积及其粒径对结晶的影响,以期获得谷氨酸分批等电结晶中添加晶种的最优条件。实验结果表明,对于平均粒径不同的晶种,添加的晶种表面积存在临界值Sc使得此时得到的产品粒度分布均匀,中位径(D50)最大。当晶种平均粒径位于67.3～91.9μm,晶种表面积为50 cm2时得到的产品D50最大、CSD最好,即该晶种粒径对应的Sc不大于50 cm2;晶种平均粒径位于103.7～117.7μm时对应的Sc为100 cm2;晶种平均粒径为154.8μm时对应的Sc不小于250 cm2;当晶种平均粒径大于235.9μm时得到的CSD为双峰。表面积相同时,与粒径小的晶种相比,粒径大的晶种破碎率大、吸收溶质的速率小,所以晶种粒径越大表面积临界值越大。