磁控溅射镀膜织物的电磁屏蔽性能研究进展

磁控溅射作为一种低温高速溅射技术,是新型的织物表面改性方法。通过对镀膜织物电磁屏蔽机理,以及镀膜织物电磁屏蔽效能测试方法的介绍,对利用磁控溅射法制备防电磁辐射纺织品的研究现状进行了分析,探讨了靶材材质、织物厚度、等离子体前处理等因素对电磁屏蔽效能的影响。最后对磁控溅射技术用于制备电磁屏蔽织物存在的问题和发展趋势进行总结,指出多功能化、高效性以及复合化技术是磁控溅射镀膜电磁屏蔽织物未来研究的重点。     

磁控溅射镀膜时间对涤纶长丝力学性能的影响

为研究磁控溅射对纺织材料力学性能的影响,以涤纶长丝织物为基材,采用磁控溅射工艺,在不同镀膜时间下镀钛金属于涤纶织物,然后测试织物中纱线力学性能的变化。研究表明,镀膜对经、纬纱的断裂强度影响较小,而对断裂伸长率和断裂功的影响较大。溅射时间对断裂伸长率、断裂功的影响规律相似,当镀膜时间较短（<150s）时,断裂伸长率、断裂功有所降低,然后随镀膜时间的增加而增加,但当镀膜时间较长（>240s）时,断裂伸长率、断裂功又下降。     

磁控溅射镀膜时间对涤纶拉伸性能的影响

为研究磁控溅射对纺织品性能的影响,以涤纶长丝织物为基材,采用磁控溅射工艺在其表面镀钛金属膜,然后测试织物中纱线的力学性能,研究了磁控溅射镀膜时间对织物中经、纬纱拉伸性能的影响。研究结果表明,采用磁控溅射工艺可在涤纶表面形成一层致密的纳米级钛膜,且未对织物原有结构造成破坏。经、纬纱的拉伸性能随镀膜时间变化呈现出相似的变化规律,断裂伸长率和断裂功明显降低,断裂强度变化较小。断裂功、断裂伸长率随镀膜时间延长其变化规律如下：在0-150s范围内不断下降;在180s处,重新回到一个较高的水平;在镀膜时间>240s时,又迅速降低。此外,由于经纱在织造过程中承受了较为剧烈的机械作用,使其拉伸性能劣于纬纱。     

靶电流对磁控溅射涤纶织物色牢度的影响

采用磁控溅射镀膜技术制备涤纶织物薄膜,探讨靶电流对Cu、Ti、Ss薄膜织物的各项色牢度的影响,比较了3种薄膜织物的色牢度。结果表明:3种薄膜织物的各项色牢度均随着靶电流的增大而呈现上升趋势,当靶电流为6 A时,Cu、Ti、Ss薄膜织物的各项色牢度值均达到最佳,其色牢度大小顺序为Ti薄膜织物Ss薄膜织物Cu薄膜织物。     

结构参数对涤纶长丝织物抗紫外线功能的影响

针对夏装用涤纶面料的抗紫外线问题,以含有功能性母粒添加剂的抗紫外涤纶长丝为原料,通过织物样品织制和测试实验,探讨原料中母粒添加剂含量及经纬密度、织物组织等结构参数变化对涤纶织物抗紫外线功能的影响,认为功能母粒含量越高,经纬密度越大,组织平均浮长越长,织物抗紫外线性能越好,尤其是重组织织物的抗紫外线性能更优越。     

磁控溅射镀膜真丝织物的性能

采用磁控溅射技术在真丝织物表面制备铜和铜/钛膜。通过SEM、EDS、XPS等表征方法对镀膜真丝织物的表面形貌、表面元素、化学价态进行微观表征,并对镀膜织物的颜色特征和防紫外性能进行分析。结果表明:磁控溅射在真丝织物表面成功形成了铜/钛膜,可大幅提高织物的紫外防护性能,UPF值从5.35提升到27.85,T(UVA)从33.92%降低到5.84%;镀膜能在织物表面产生颜色,随溅射时间的延长,织物的K/S值增大,为织物色彩开发提供了理论依据。     

涤纶织物表面沉积银膜的特征研究

在室温下采用射频磁控溅射法在涤纶平纹织物上制备纳米银膜,利用原子力显微镜(AFM)分析不同溅射工艺参数对纳米银膜表面形态、颗粒直径的影响,同时研究了不同溅射工艺参数对银膜导电性能的影响.实验表明:随溅射功率增加,Ag粒子直径增大,导电性能先减弱后明显增强;随气体压强增大,Ag粒子直径变小,银膜的导电性能下降;随镀膜时间的延长,Ag粒子直径增大,银膜导电性明显增强,在溅射时间达到15 min时银膜导电性能最佳.     

涤纶织物涂胶复合工艺研究

采用正交设计试验法，以试样的手感和复合层面的剥离强度为指标，试验研究四种涂层胶用于生产涤纶复合织物的方法和工艺条件，得出满足复合织物手感和复合层面剥离牢度的最佳工艺条件。     

磁控溅射Ag/ZnO纳米薄膜涤纶织物的制备及其性能

为探讨织物结构对表面沉积纳米复合薄膜形貌及性能的影响,采用直流射频共溅法,以不同组织结构纯涤纶织物为基材,分别以金属银(Ag)与锌(Zn)为靶材,制备Ag/ZnO纳米薄膜.对表面沉积Ag/ZnO薄膜的涤纶织物的形貌结构,沉积颜色、防紫外线性能及电磁屏蔽性能进行表征.实验结果表明:非织造布表面薄膜颗粒分布较为均匀,机织布...     

导电涤纶涂层织物的制备及其性能

为制备导电涂层织物,采用研磨分散法制备导电炭黑,研究了导电炭黑的用量、导电炭黑的粒径、涂层次数、黏合剂用量、焙烘时间以及温度对导电涤纶涂层织物性能的影响。对涤纶涂层织物的表面电阻、耐水洗牢度、耐摩擦牢度、断裂强力和断裂伸长率等性能进行测试。结果表明：当涂层胶中导电炭黑含量为 15%,导电炭黑粒径为 200nm,涂覆次数为 4 次,黏合剂相对导电炭黑分散体质量分数为40%,焙烘温度为150℃,焙烘时间为 3 min时制备的导电涤纶涂层织物的表面电阻最小, 导电涤纶涂层织物的干摩擦、水洗牢度均可达到 5 级,水洗后涤纶涂层织物的表面电阻变大。     

涤纶和锦纶织物的抗静电整理

为提高合纤织物抗静电性,选择抗静电剂TF-480分别对染色涤纶和锦纶织物进行整理,探讨整理剂用量、焙烘温度、时间、交联剂的加入及其用量对抗静电性能效果的影响,优化整理工艺.通过测量静电电压峰值和半衰期,分析织物抗静电性能;检测经20次洗涤后织物抗静电性能的耐久性;测定整理前后及水洗前后织物的K/S值,观察色变情况.结果表明:抗静电剂TF-480质量浓度为30～40 g/L,焙烘温度为170～180℃,时间为30～40 s时,抗静电整理效果较好;尤其是整理的涤纶织物,经多次洗涤后抗静电性能保持良好,色泽变化小,在整理锦纶织物中加入交联剂可提高抗静电性能.     

负载纳米TiO2织物的制备及甲醛降解

 为提高室内装饰织物对甲醛的吸附能力及过滤纺织材料对甲醛的过滤能力,采用射频磁控溅射方法,在纯棉机织物和涤纶针织物表面负载二氧化钛(TiO₂)功能纳米结构层。利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别分析其表面形貌和晶态结构,对2种负载TiO₂织物光催化降解甲醛气体的性能进行了对比分析。实验表明,在相同制备工艺条件下,TiO₂功能层的结构形态有较大区别,且负载纳米TiO₂的棉织物光催化降解甲醛气体的性能优于负载纳米TiO₂的涤纶织物。     

化学气相沉积制备自清洁涤纶织物

为制备自清洁涤纶织物,采用碱液对涤纶织物进行碱减量处理,再利用烷基氯硅烷对处理后的涤纶织物进行化学气相沉积。结果表明,采用20～30 g/L的NaOH溶液对涤纶织物进行碱减量处理,可提高化学气相沉积反应后织物表面的接触角;当烷基氯硅烷混合溶液总体积分数为30%,DDS与MTS体积比为1∶5,化学气相沉积120 min,可制得接触角高达154.9°的超疏水涤纶织物。集灰试验表明,该涤纶织物表面具有良好的自清洁功能。     

涤纶基布磁控溅射铜膜及其电磁屏蔽性能

以不同组织结构的涤纶织物为基材,采用射频磁控溅射技术沉积纳米铜膜,研究织物结构对金属薄膜表面形貌、粗糙度和晶态结构的影响,并测试分析了表面磁控溅射纳米铜膜的涤纶织物电磁屏蔽性能。结果显示,非织造布、纳米纤维膜表面沉积的纳米铜膜颗粒平均粒径及其表面的粗糙度值较大,Cu(111)晶面上结晶度较高;在孔隙率较小且纤维紧密连接的非织造布表面沉积纳米铜膜,其纤维表面形成连续导电网络,表现出优良的屏蔽效果。     

涤纶长丝仿毛织物的设计要素分析

在经历了几十年的发展历程后,涤纶仿毛产品在外观、手感、穿着舒适性和使用性能上有了长足的进步.文章通过对性能较优异的涤纶长丝仿毛产品的深入剖析,总结出涤纶仿毛产品设计的原则.研究表明,涤纶长丝仿毛产品正从原料多元化、纱线织物结构合理化、工艺规范化等几方面着手,逐步完善织物的综合特性,向多维结构、多功能以至超真方向发展.     

羊毛角蛋白的制备及其对涤纶织物的整理

针对涤纶织物吸湿透气性差、易产生静电等问题,将不同质量分数的羊毛角蛋白溶液涂覆于经化学刻蚀处理的涤纶织物上,获得角蛋白涂覆涤纶织物。借助红外光谱及扫描电子显微镜等测试仪器对整理前后织物的结构及形貌进行表征,考察了整理前后织物的吸湿透气性、力学性能、抗静电性、耐水洗及悬垂性等的变化。结果表明：碱减量处理后涤纶织物的透气率提高57.7%;角蛋白整理后涤纶织物的回潮率增加3.3 倍,断裂强度和断裂伸长率略有降低,织物的悬垂性变差,且静悬垂性较动悬垂性好;整理后织物的静电压峰值和静电压衰减时间几乎为0,改善了织物的抗静电性能。若作为服饰用织物,质量分数为20%的角蛋白溶液处理的织物较柔软舒适,且其涂覆质量增加率为9.7%。     

涤纶面料在服装粘衬过程中的缩率变化分析

取三种粘合衬与涤纶面料粘合,测试不同的粘合温度和放置时间条件下缩率的变化,并且进一步分析了这一变化.     

聚吡咯/银导电涤纶织物的制备及其性能

为拓展聚吡咯/银(PPy/Ag)导电涤纶织物的应用领域,在等离子体预处理涤纶织物的条件下,以硝酸银为氧化剂,采用一锅法制备PPy/Ag导电涤纶织物。借助傅里叶红外光谱仪、X 射线衍射仪和扫描电子显微镜等对导电织物进行表征,通过电阻仪测试导电织物的方阻值,采用琼脂平皿法测试其抑菌效果。结果表明:制备的PPy/Ag导电涤纶织物具有良好的导电性,并对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌具有明显的抑制作用;导电织物的导电性与等离子体预处理涤纶织物的次数呈正相关,且在等离子体预处理4次时,其方阻达到最小值0.22 kΩ/□。