存储器件

Numonyx NAND闪存恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gig- abytes)的eMMC存储芯片和高达8 GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储     

恒忆针对无线通信、嵌入式系统和存储器市场推出新系列NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品全部采用先进的41nm制造工艺。     

20nm制程技术：新纳米制程技术

英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

64GB NAND闪存存储器

Toshiba推出64GB嵌入式NAND闪存存储器模块,实现了更高容量。该芯片是6个嵌入式NADN闪存存储器模块新系列中的旗舰产品,完全符合最新e·MMC标准,设计用于各种数字消费电子产品,如智能电话、移动电话、上网本和数码摄像机。     

英特尔携手美光推出业内最小、最先进的20nmNAND闪存工艺技术

英特尔公司和美光科技针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm工艺技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘{SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其它数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

多值闪存驱动便携式摄像机及PND的发展

数码摄像机、PND（个人导航设备）及其它产品也开始采用NAND闪存来提高设备的附加价值。 2009年1月,佳能公司发布了内置32GB NAND闪存的数码摄像机产品iVIS HF20与iVIS HF S10（见图A。1）。与该公司采用HDD的上一代产品iVIS HG21相比,iVIS HF20在小型化及薄型化方面都更进一步。新产品中集成的存储器模块的体积仅为上一代产品中集成的1．8英寸HDD的1／20左右。     

三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存

据外电报道,三星电子表示,该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性,比30纳米制程高50%左     

英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

英特尔和美光近日公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位（相当于8GB）。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。     

存储技术演进进行时

2005年是存储市场特别热闹的一年，DRAM市场低迷；凭借大容量和低成本优势，NAND市场风光无限并盖过NOR闪存；闪存技术厂商Saifun和Spansion（AMD和富士通的闪存合资企业）先后上市；Hynix和美光科技在NAND闪存市场攻城拔寨、瑞萨科技淡出NAND闪存市场，不再开发8-Gbit或更高密度的后续产品；英特尔和ST共推NOR闪存子系统规范。     

手机将会成为NAND闪存市场最大推动力

2005年,NAND闪存凭借面积小、容量大、成本低的优势在市场规模上首次超越NOR闪存,目前,NAND闪存已经被广泛应用于数码相机、MP3等需要大容量存储的产品中。美光NAND闪存产品经理BillLu表示,手机将会成为NAND闪存最大的市场推动力。他指出,目前大部分的2G手机中需要存储的数据量     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

Sun与三星合作开发高性能服务器闪存芯片

三星日前已与Sun开展合作,双方将共同开发用于固态闪存盘的单层颗粒（SLC）NAND闪存芯片。两家公司宣称,与现行标准的SLC闪存芯片相比,新的服务器级SLC NAND闪存的数据写入与擦除速度要比前者快五倍。此外,新设计还将极大地延长高性能数据处理服务器的生命周期。     

Spansion公布未来三年发展规划ORNAND闪存初露锋芒

一直以来,闪存市场硝烟不断,形成了以NOR和NAND闪存相互对垒的两大阵营,关于NOR和NAND的争议也一直没有停止过。而以生产NOR闪存著称的Sparision公司在最近发布了一系列基于该公司MirrorBit技术的闪存产品发展战略和研发计划,其中最引人注目的就是ORNAND架构的推出。结合了NOR、NAND各自优势的ORNAND闪存似乎可以让我们暂时停止关于NOR、NAND架构熟优熟劣的争论。MirrorBit技术     

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3bits／单元（3-bits—per—cell）（X3）存储芯片，共同开发出多层式芯片（MLC）NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。     

Spansion e.MMC存储新品提供更安全可靠的数据保护

近日,嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司宣布推出面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。新的e.MMC NAND闪存提供8GB和16GB存储密度,工作温度范围为-40℃到＋85℃,可满足上述市场对可靠、更高密度存储日益增长的需求。最新推出的Spansione.MMC闪存系列完善了Spansion领先业界的并行和串行NOR闪存以及面向嵌入式应用的SLC NAND闪存产品组合。     

中芯国际推出自主研发的38nm NAND闪存工艺

正中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布38nm NAND闪存工艺已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发,可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求。NAND闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38nm NAND闪存主要面向嵌入     

美光和英特尔率先利用25nm硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND闪存

美光科技公司（Micron）和英特尔公司（Intel）联合推出25nm工艺的3-bit-per-cell（3bpc）NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。     

3-bit-per-cell NAND闪存

美光科技公司（Micron Technology Ine．）和英特尔公司（Intel Corporation）联合推出25nm制程的3-bit．per-cell（3bpc）NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。     

JFFS:日志闪存文件系统

1闪存技术简介 1．1闪存 闪存是电子可擦写只读存储器（EEPROM）的一种，主要有两种类型——传统的NOR闪存和最近出现的价格更低廉的NAND闪存。这两种闪存有一个共同的特征——在被擦除的芯片中，每一个位都被置成逻辑1，可以被写操作置为逻辑0。闪存芯片以块的形式安排，通常NOR闪存一块的容量是128KB，NAND闪存是8KB。     

美光发布行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列

美光科技股份有限公司公布其高密度系列的块抽象化（BA）NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术一将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器／系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。