磁光记录薄膜温度特性测量方法研究

光调制直接重写磁光盘为多层耦合膜,要求各功能厚度很小,同时饱和磁化强度ＭＳ很低,用一般的ＶＳＭ测量系统的测定各功能层的ＭＳ及其与的比较困难。我们采用一多种技术,包括隔震技术、仪器参数综合优化和误差分析等方法,提高了ＶＳＭ测量灵敏度,成功同了磁光记录薄膜各功能层的温度特性及其居里温度,取得了很好的效果。     

光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究

本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。     

光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究

本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。     

光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究

本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性.成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质.     

磁光直接重写技术原理分析

讨论了磁光记录直接重写技术的两种主要机理，即磁场调制直接重写和光强调制直接重写，分析了它闪的优缺点。并对多层膜交换耦合原理及其在光强调制直接重写中各层的作用进行了详细讨论。光强调制技术具有更多方面的优越性，它将是未来提高磁光数据传输率的主要研究方向。     

CoCr垂直磁记录薄膜的温度特性研究

本文利用射频磁控溅射方法制备了CoCr垂直磁化膜样品,研究了其磁光克尔效应及其不同温度下的磁光克尔回线。并利用CoCr膜的磁光克尔效应的温度特性来说明CoCr膜具有很好的温度稳定性。     

光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法

采用FFT方法对光调制直接重写磁光双层耦合膜的磁基本特性进行解耦,得到各单层薄膜在耦合状态下的特性,并用于分析计算磁光双层耦合膜之间的层间耦合能。     

光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法

采用ＦＦＴ方法对光调制直接重写磁光双层耦合膜的磁基本特性进行解耦,得到各单层薄膜在耦合状态下的特性,并用于分析计算磁光双层耦合膜之间的层间耦合能σω。     

测量静态磁光参数的盘温测控系统研制

本文介绍了磁光静态磁参数测量用盘温控制系统的软硬件研制方法。硬件部分以8031单片机为核心包括数据采集、测量处理的温度控制部分，并利用单片机和上位机之间的双向通讯功能实现温度设定及显示；软件部分采用C语言和MCS51汇编语言编制，控温范围为0～1000℃，控温精度为±0．8℃。     

链状纯铁微粉的制备与磁性

利用激光热解法制备了粒度不同的链状纯铁微粉,并由X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）进行了物相分析和颗粒形貌的观察。利用振动样品磁强计（VSM）测量了样品在不同温度下的磁参数。结果显示,可以通过改变制备条件得到不同颗粒尺寸的超细链状纯铁微粉。研究了样品在113～773K温度范围内饱和磁化强度和矫顽力随温度的变化。     

磁功能薄膜材料及其在高灵敏度磁传感器中的应用技术

正一、成果简介高灵敏度磁传感器集磁功能薄膜材料技术、纳米技术与半导体集成技术于一身。由于其对磁场、温度、电压电流、应力应变、压力等的变化敏感,可用于非接触式位置测量、加速度测量、角度测量、速度测量、电流测量、应力应变测量、压力测量以及生物芯片等。其初级产品为高灵敏度磁传感器芯片,目标产品为各类高灵敏度车用传感器、电子罗盘、磁编码器、磁栅尺、电流检测、接近开关、无损检测及各种弱     

掺Tb~(3+)法拉第磁光玻璃研究新进展

Tb3+掺杂Faraday磁光玻璃是一种新型的功能材料,在光纤通信和传感领域有广阔的应用前景。介绍了磁光玻璃Faraday效应的基本原理和Tb3+离子的磁光性能,讨论了入射光波长、电子有效跃迁波长、基质玻璃、外界温度和Tb3+离子浓度对磁光效应的影响,以及Tb3+离子掺杂量对磁光玻璃形成能力和热稳定性的影响,提出了法拉第磁光玻璃研究新方向。     

光调制直接重写磁光多层膜测试方法研究

为了测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能 ,试制了磁光多层膜光调制直接重写特性测试系统。磁光信号检测采用改进差动式检测 ,检测方式仅与磁光克尔角大小有关 ,可以用来作样品的克尔角指示。同时 ,该检测方式由于不受激光功率和盘片反射率变化的影响 ,对光电探测器的温漂特性也有良好抑制作用 ,更适合静态实验的需求 ,可以较好地测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能。     

CAD磁超分辨及磁畴扩大盘的层间现象

为实现面记录密度１０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上的高密度磁光记录／读出，提出了磁超分辨和磁畴扩大盘的解决方案。这种盘需要多层结构，各层间的相互作用至关重要。研究了磁超分辨（ＭＳＲ）及磁畴扩大（ＭＡＭＭＯＳ）盘因各层特性及层间相互作用而引起的读出功率、记录功率、读出信号输出、读出磁场等特性的变化。综合各层与特性的关系，提示了实际磁光盘设计所需的各层膜厚及组成等主要条件。结果得知，热流、交换结合力、静磁结合力、矫顽力及中间非磁性层的膜厚等是主要因素。     

2000～2001年磁记录材料及其应用的新进展

综述了2000～2001年间国内外磁记录材料及其应用的若干新进展,包括垂直磁记录系统、巨磁电阻磁存储器和磁传感器、合成多层膜磁记录介质、磁隧穿型磁头材料、磁光记录介质材料。     

铽镓石榴石陶瓷制备及热光性能

铽镓石榴石(Tb_3Ga_5O_(12),TGG)陶瓷具有大的Verdet常数和高的热导率等磁光性能。利用溶胶-凝胶法合成了TGG多晶料,采用真空烧结法制备出优质的TGG磁光陶瓷。采用X射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计等测试技术,对合成的TGG多晶料和陶瓷的性能进行了表征。结果表明:多晶料中的晶粒粒径小、分布均匀,可用于TGG陶瓷的制备。TGG磁光陶瓷的Verdet常数分别与温度和波长的平方成反比。对热膨胀系数和热光系数等热光性能进行了分析,发现降低温度,可有效抑制TGG陶瓷元件的热光效应。因此,制备的TGG磁光陶瓷可用于替代TGG磁光晶体。     

磁粉磁性测量中的几个问题

<正> 利用振动样品磁强计(VSM)测量磁粉的磁性,主要优点是:(1)外加磁场强度较大;(2)测量灵敏度较高;(3)能够测量样品的温度特性。实际上,影响VSM磁性测量结果的因素较多,必须逐一加以研究。本文仅探讨了仪器时间常数、测量时间、外加磁场强度和样品制备对于测量结果的某些影响。     

2017先进功能材料与原子力显微技术国际研讨会(AFM22017)

正2017先进功能材料与原子力显微技术国际研讨会(AFM2 2017)中国地质大学(武汉)会议中心2017年12月8-10日http://afm~2017.conf.scholarset.com/第一轮通知纳米材料与器件在过去二十余年迅猛发展:一方面,材料性能日益多功能化,常常集力、电、磁、热、光等多场耦合效应于一身;另一方面,材料的微观结构也变得更加复杂而富有层次,对其宏观性能产生深远影响。当前,在纳米尺度调控并测量材料的电、光、磁、力、热及其耦合响应时机已经到来,而这也是推动先进功能材料与器件发展的大势所趋。     

磁法测厚仪测量搪瓷涂层厚度的若干问题

文章围绕《国际标准ISO2178》中提出的技术要求，具体论述了磁法测量搪瓷层厚度中存在的问题，如磁法测厚仪的使用范围、影响测量精度的各种因素和正确的测量方法。     

抗恶劣环境光盘的结构和温度特性研究

分析了磁光记录技术的发展趋势，研究了磁光盘的结构及溅射工艺，研究成功了宽温（使用温度范围-20～＋60℃、高湿60％～95％RH）抗恶劣环境的磁光盘。