Ag70-Cu28-Ti2活性封接AlN陶瓷

研究了在真空条件下AlN陶瓷真空活性封接的情况,使用的活性焊料是Ag70-Cu28-Ti2熔炼焊片.通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/AlN接头达到了气密性要求(漏气速率小于1×10-10 Pa·m3/s),平均强度值分别为1.49 kN/cm2(抗弯)和2.00 kN/cm2(抗剪切).通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因.通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成.     

Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2活性钎料真空钎焊AlN-Cu的研究

研究了在真空条件下AlN/Cu活性钎焊的情况,使用的活性焊料是Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/Cu接头均达到了气密性要求(漏气速率<1×10~(-10)Pa·m~3/s),平均强度值分别为182 Kg/cm~2(抗弯)和182 Kg/cm~2(抗剪切)。通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因。通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成。     

Ag—Cu—Ti活性法封接AlN陶瓷与Mo—Cu合金

用AgCu—Ti焊料在真空条件下活性法封接了AIN陶瓷和Mo—Cu合金,用EBSD,EDS,XRD等手段分析了界面结构,对封接件进行了强度和气密性测试。结果显示：焊料中的活性组元Ti与陶瓷反应,形成厚2～3μm,紧邻陶瓷连续分布的反应层;靠近AlN一侧,焊层为AgCu共晶组织,靠近合金一侧,焊层以富Cu相为主。整个界面产物主要有TiN,Cu2Ti,AgTi3,AgTi,Ni3Ti等化合物。连接件的剪切强度στ=172．94MPa,弯曲强度στ=69．59MPa,气密性1．0×10^-11=Pa·m^3／s。     

氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响

采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20~150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势。厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284μA/cm2。AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空。     

第40届国际微电子学术会议摘要（选编）

1用于铝金属化碳化硅功率器件的一种新型三维封装方法 通过先制作Au凸点,然后用Au-20Sn焊料进行真空再流焊的方式,研发出一种新型的用于Al金属化SiC功率器件的三维封装方法。使用该方法,可以将功率：枣片的Al金属化电极牢固地组装到AlN／Cu／Ni（Au）基板上。     

微波GaAs功率芯片的低空洞率真空焊接技术研究

文章选用80Au20Sn焊料对微波GaAs功率芯片的焊接技术进行了较为系统深入的研究,通过对共晶焊接设备与真空烧结设备分别对焊接时气体保护、焊片大小、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析。结果表明,以上参数对微波GaAs功率芯片焊接均有显著的影响,在保护气体流量为1.5L·min^-1的氮气保护下,通过施加适当的夹具静压力和金锡焊料熔化时的抽真空应用,AuSn焊料能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量。X射线检测结果表明,微波GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率,焊透率高达90％以上,焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高。     

电子装联技术讲座3 实用电子装联技术

第三讲　整机装焊　　焊接与生产时 ,焊料中会带入一些杂质 ,需要注意和控制这些杂质带来的有害作用 ,表 1列出了焊料中的主要杂质的来源、允许的极限值及对焊接的影响。表 1　焊料中的主要杂质及对焊接的影响元素 允许极限值 (Ｗ % ) 杂质来源影响焊接效果Ｚｎ 0 .0 0 2 被焊材料 (黄铜 )焊接表面易酸化、发白、降低漫流性和润湿性 ,引起桥接和挂锡Ｃｕ 0 .0 8被焊材料 (黄铜 )熔点升高 ,Ｗ(Ｃｕ)为 2 %时产生不溶性化合物 ,增加粘性 ,引起桥接和挂锡Ｆｅ 0 .0 2焊槽材料熔点升高 ,润湿性下降 ,在焊接温度下 ,铁很难溶于焊料中 ,如在焊料中…     

激光器芯片烧结用AuSn薄膜焊料制造技术研究

共晶成分的金锡合金焊料AuSn20,具有较高的热导率、剪切强度、抗热疲劳性和抗腐蚀性,在高功率电子器件和光电子器件封装中应用广泛。本文在AlN陶瓷基板上,通过分层电镀Au/Sn/Au三层薄膜并合金化的方法,在AlN陶瓷表面制备了一种预制AuSn20合金焊料的基板。分析了焊料的成分及性能,结果满足国军标GJB 548B-2005 《微电子器件试验方法和程序》的剪切强度要求。用该基板封装激光二极管后达到设计功率,光功率效率为35%。     

真空开关管

没有排气管的真空开关管,实现真空密封的方法是在绝缘容器和其两端盖之间放置金属焊料,在压力为1.33×10~(-2)Pa 真空炉中,加热使焊料熔化,进行真空密封。金属焊料采用片状或线状。但绝缘容器、金属焊料、端盖在焊料熔化前若直接接触,容器内部的气体就不能排出。所以,一般都把金属焊料做成波浪形状,使容器内部和外部有相通的间隙,内部气体就能排出。     

无铅焊接的板级可靠性

无铅化运动已经占据全球电子封装及电子装联的中心舞台。铅对人体健康有害的观点已经被广泛地报道，这也成为日本、美国、欧洲在电子产品中禁止使用铅焊料的理由之一，三个主导正在进行在电子装联中禁止使用含铅焊料的工作。日本政府已经通过禁止使用铅的法律，日本几个主要电子制造商已经建立这方面的路标规范并已经宣布到2003年底时不再使用含铅焊料。欧盟第6次会议已经通过决议草案，要求WEEE2006年1月1日后禁止使用含铅电子产品。在北美，IPC正在收集所有候选的无铅焊料并准备选出一种能够成功应用的焊料合金。IPCJ-STD-006测试方法将被用来检测焊料中铅含量的等级(自章1)，建议无铅焊料中的铅含量重量比小于0.1％。无铅焊料的选择基于欧洲理想(Ideal)项目(章2)的研究结果和使无铅焊料能够得以成功应用的进一步要求(无铅、低熔点、在预定工作温度下长期运行具有高的抗疲劳特性)。测试了SnAgCu焊料(焊膏)的润湿性、延展性、溶解性、回流焊曲线的优化、与传统锡铅焊膏相比较外观及内部缺陷、比较器件和PCB表面应用传统镀层与无铅镀层的影响、IMc的形成和已经影响到了全世界的供应商和制造商，他们必须找到相应的解决方法。在本中，将讨论良好的环境下焊料与元件不同焊端镀层及PCB表面镀层之间的影响，研究与现有工艺参数的相容性，并与传统焊料比较板级可疲劳特性。绿色装配的挑战之一就是选择和分析新焊料的可制造性(包括焊料和焊膏)、成本、可得到性、同传统焊料合金比较可靠性。     

主动网络报文及应用研究

本文在简要分析主动网络体系结构的基础上,对实现主动报文的两种封装协议进行了比较详尽的阐述,分析了主动报文的装载机制及其在互联网上的处理流程,介绍了主动报文封装协议在网络管理和监控中的综合应用方案--智能包(smart packet)方案,最后讨论了一种基于节点的主动网管模型中的主动报文的结构、封装方式及授权过程.     

有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究

忆阻器是具有记忆特性的非线性电阻器,是物理上新实现的第四种基本二端电路元件.以分段二次型非线性函数描述的有源磁控忆阻器为例,分析了有源忆阻器的伏安关系,研究了有源忆阻器与电容串联电路(简称有源WC电路)的频率响应特性,并与有源RC电路进行了比较分析.结果表明:有源忆阻器的伏安特性曲线为紧磁滞回线,且依赖于其内部初始状态;有源WC电路与有源RC电路均呈现高通特性,但前者为超前网络而后者为滞后网络.基于有源磁控忆阻器的等效电路进行了电路仿真,其结果很好地验证了理论分析结果.     

有源矩阵OLED

介绍了OLED的工作原理、器件结构、有源驱动等,有机发光器件由ITO阳极、金属阴／极和多层有机薄膜构成,其中各有机层分别起电子、空穴传输、复合发光及缓冲作用,讨论了发光效率和器件寿命及可靠性等问题。     

有源电感的应用

介绍了3种由理想运算放大器组成的有源电感电路原理,利用理想运算放大器的特性推导出有源电感电路的等效阻抗。以50比陷波器为例讨论了有源电感的应用,用Multisim10对这3种有源电感构成的50Hz陷波器进行了仿真。仿真结果,证实了有源电感可以代替滤波器中的实际电感,同时分析了有源电感的损耗同滤波器滤波能力的关系。     

Resources Management in Active Networks

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＷｈｅｎａｒｏｕｔｅｒｆｏｒｗａｒｄｓａｐａｃｋｅｔｉｎｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎ ａｌｎｅｔｗｏｒｋｓ,ｉｔｏｎｌｙｕｓｅｓｆｅｗｓｙｓｔｅｍｒｅｓｏｕｒｃｅｓ ,ｆｏｒｅｘａｍｐｌｅ,ｉｔｕｓｅｓｌｉｔｔｌｅｍｅｍｏｒｙｒｅｓｏｕｒｃｅｓｔｏｔｅｍ ｐｏｒａｒｉｌｙｓｔｏｒｅｔｈｉｓｐａｃｋｅｔａｎｄｆｅｗＣＰＵｒｅｓｏｕｒｃｅｓｔｏｓｅａｒｃｈｆｏｒｗａｒｄｉｎｇｒｏｕｔｅａｎｄｐｒｏｃｅｓｓＩＰｏｐｔｉｏｎｐａ ｒａｍｅｔｅｒｓ.Ｃｏｍｐａｒｅｄｔｏｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ…     

有源降噪耳罩

在密闭型耳罩中,利用有源降噪技术可以较好地衰减低频噪声以使整个可听声频率范围内获得良好的衰减特性。文中讨论了反馈型有源消声耳罩的工作原理和稳定性,给出了一些设计考虑和测量结果。     

主动路由器结构研究

随着因特网的飞速发展。网络应用日新月异。然而，这些新的应用中有相当一部分是为了少量的应用或者少数人的需求而提出来的，仅依靠对现有网络的体系结构进行局部的修补已经不能够很好地解决这些问题，这就要求下一代网络的体系结构必须能够在尽量少地改变现有网络基础设施的条件下．满足不同重要程度的各种需求。本文在介绍了主动网络的产生背景、概念和体系结构之后，提出了主动网络在边缘的观念．并给出了一种可扩展的主动路由器硬件结构。     

采用新型可调谐有源电感的频率可调谐高Q低噪声的带通滤波器

对采用双回转结构交叉耦合差分有源电感(DGC-DAI)的可调谐、高品质因子Q和低噪声差分有源带通滤波器(THQLNA-BPF)进行了研究。输入级,采用差分共基-共射结构,以抑制噪声和获得高频特性;输出级,采用差分共集放大器,以获得高的驱动能力和高的隔离度;有源电感滤波网络,利用DAI电感值可宽范围调谐、高Q值和低的噪声,来分别实现BPF的中心频率的宽范围调节、高Q值和良好的噪声特性;进一步地,利用变容二极管网络改善BPF中心频率的可调性和提高Q值,利用有源可调负阻网络提高BPF的Q值和进行Q值独立调节。基于WIN 0.2μm GaAs HBT工艺,利用ADS对THQLNA-BPF进行性能验证。结果表明:中心频率可在1.68 GHz~4.32 GHz范围内调谐,调谐量达2.64 GHz;最大和最小Q分别达到83.6和33.6;噪声范围为6.04 dB~8.83 dB;在中心频率为3.69 GHz时,输入1 dB压缩点为-7.3 dBm,稳定系数μ>1;静态功耗小于18 mW。     

A High-Speed Active Switch Routing Architecture

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＡｃｔｉｖｅｎｅｔｗｏｒｋｓ[1 ] ａｒｅ ｐａｃｋｅｔ ｓｗｉｔｃｈｅｄｎｅｔ ｗｏｒｋｓｉｎｗｈｉｃｈｐａｃｋｅｔｓｃａｎｃｏｎｔａｉｎｃｏｄｅｆｒａｇｍｅｎｔｓｔｈａｔａｒｅｅｘｅｃｕｔｅｄｏｎｔｈｅｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｒｙｎｏｄｅｓ.Ｔｈｅｃｏｄｅｃａｒｒｉｅｄｂｙａｐａｃｋｅｔｍａｙｅｘｔｅｎｄａｎｄｍｏｄｉｆｙｔｈｅｎｅｔｗｏｒｋｉｎｆｒａｓｔｒｕｃｔｕｒｅ .Ｔｈｅｇｏａｌｏｆｔｈｅａｃｔｉｖｅｎｅｔ ｗｏｒｋｒｅｓｅａｒｃｈｉｓｔｏｄｅｖｅｌｏｐｍｅｃｈａｎｉｓ…