点状远红外发射源及其组合的辐照特性

本文先探究3种材料的远红外辐照特性以及质量、辐照面积以及金属对远红外辐照的影响,再以点状远红外发射源为研究对象,研究了点状远红外发射源的不同影响因素及其功率密度分布规律.结果表明:远红外烧结材料的功率密度最高,陶瓷材料次之,玻璃材料最低,并确定了远红外材料功率密度的影响因素有质量、辐照面积以及金属外罩;点状远红外发射源...     

采用低熔点玻璃封装的IC封装技术

<正> 粉末玻璃很早就被用作电子元件的粘接材料和气密封装材料。这是因为玻璃具有以下特点: (1) 金属、陶瓷都容易和玻璃粘合; (2) 不透气; (3) 不可燃,耐热性好; (4) 电绝缘性好。在IC领域中也广泛采用玻璃作为陶瓷封装的气密封接材料以及将硅芯片固定在Al_2O_3基板上的粘接材料。本文将以具有代表性的陶瓷封装的Cerdip为例,就低熔点玻璃封接材料以及几个与封装     

探究多丝正比计数器工作气体压强变化对α、β表面粒子发射率测量的影响

讨论工作气压改变对α、β表面粒子发射率测量情况形成的影响,具体操作是在发射率装置上调整多丝正比计数器工作气压,测量α、β这两类粒子的实际发射率,基于阈值外推修正漏计数率.统计发现,工作气压50～180kP范围变动时,即便是在实验不确定度范畴中,差异化气压条件下α、β表面粒子的发射率测量值维持一致,建模的仿真模拟结果和试...     

VLSI低温合金焊料气密封帽技术

一、概述由于环境条件的恶劣，用于宇宙空间、舰船雷达等领域的IC产品通常要求采用高可靠的气密封装形式。一般说来，气密封装可分为金属、陶瓷一金属和陶瓷一玻璃一陶瓷几大类。按其封帽方式又可分为突缘电阻焊、平行缝焊、激光焊接、冷压焊、低温玻璃封帽（俗称“黑瓷”）和低温合金焊封帽等几种。其中，突缘电阻焊主要用于TO封装系列；激光焊接用于大腔体外壳的混合电路封状；VLSI封装主要采用手行缝焊、黑瓷和低温合金焊料焊接几种方式。由于黑瓷封装是采用玻璃作为封接材料，机械强度不能满足军用要求；尽管平行缝焊有诸多优点，但…     

陶瓷金属密封帮助实现灵活的数据通讯

保护敏感的电子元件和传感器是位于德国Landshut的肖特电子封装业务单元的核心竞争力。该公司在开发和制造密封玻璃一金属封装领域有独特的技术优势。但是有时候玻璃一金属封装并不是理想的解决方案。为了封装那些设计复杂用来传输数据的线路板，陶瓷成为了更有优势的材料。通过使用HTCC（高温共烧陶瓷）技术，肖特的解决方案能够完全满足客户的需求。     

玻璃–莫来石陶瓷复合材料基板的研究

以低介电常数的玻璃粉末和莫来石粉末为原料,制备了玻璃–莫来石陶瓷复合材料基板.研究了烧结温度和莫来石含量对复合材料的介电性能和抗弯强度的影响.结果表明,当莫来石质量分数为50%时,玻璃–陶瓷复合材料经1 000℃、2 h的烧结后,其相对介电常数εr为4.6、介质损耗tgδ为0.008、抗弯强度σ为90 MPa.另外,该复合材料在200～600℃之间的热膨胀系数约为4.0×10-6℃-1,与Si、GaAs等半导体材料的热膨胀系数相近,可望作为优质封装材料应用.     

科技动态

远红外线发热陶瓷日本旭硝子公司研制成功一种具有导电性能发射远红外线的陶瓷。这种陶瓷在通电流后约30s可升温至400℃以上,其导电性最大可达2.6W/cm~2。由于陶瓷本身发热,在家用电器方面可用作电热器的加热材料。现有的陶瓷加热器是用二氧化锆包覆镍铬丝等发热体构成,升温发热需5min以上。用     

封装、互连、连接器组件

Remtec密封无引线陶瓷SMT封装Remtec公司推出无引线陶瓷SMT密封封装,用于PCB直接安装。Remtec无引线SMT芯片载体,现在有完全密封(到10-8)型号,采用独特的过孔插入的“卷绕”互联,密封填充过孔和集成的无源器件。通过过孔低阻抗(1mΩ)插入实现低RF损耗(4GHz时低于.1dB)。包裹和塞紧的过孔适于接地和信号连接;SMT封装可从DC到32GHz工作。过孔的高热传导性(大于200W/M×°C)导致低热阻路径,以此来进行热管理。由晶片尺寸和陶瓷基底厚度可得,热阻只有1-2°C/W,甚至可以更低。陶瓷结构易于塑造,采用PCTF技术在上面镀铜厚膜,可以使…     

导光纤维的一次增强

虽然玻璃常常被认为是一种(?)性材料,但原始的玻璃是人们所知道的强度最高的材料之一,Proctor 等已用实验测得二氧化硅纤维的抗强度超过2×10~6部分(1.4×10~6kg/cm~2)这个数值比强度最高的金属丝还要大些,而通常玻璃纤维表现出的低强度是因为它的     

玻璃-莫来石陶瓷复合材料基板的研究

以低介电常数的玻璃粉末和莫来石粉末为原料,制备了玻璃–莫来石陶瓷复合材料基板。研究了烧结温度和莫来石含量对复合材料的介电性能和抗弯强度的影响。结果表明,当莫来石质量分数为50%时,玻璃–陶瓷复合材料经1 000℃、2 h的烧结后,其相对介电常数er为4.6、介质损耗tgd 为0.008、抗弯强度s 为90 MPa。另外,该复合材料在200~600℃之间的热膨胀系数约为4.0×106℃1,与Si、GaAs等半导体材料的热膨胀系数相近,可望作为优质封装材料应用。     

镀金引线低温玻璃密封失效分析及其改进措施

气密性封装产品的气密性和气密可靠性对产品的长期使用寿命和可靠性是至关重要的.主要分析了镀金引线低温玻璃密封失效的原因,并针对分析中发现的引线与玻璃之间存在微裂纹现象进行了结构优化和验证,解决了产品密封的一致性和可靠性问题,并为相同结构封装的密封可靠性水平的提高提供了一定的参考.     

准气密空腔型外壳的封装技术

基于非陶瓷、金属等材料的空腔型封装是近年来兴起的一种非气密或准气密封装技术。这种封装技术采用环氧树脂或液晶聚合物等塑料材料制作空腔型外壳,相对于陶瓷、金属等无机材料而言,基于塑料材质的空腔型外壳具有重量轻、介电常数低等优势,目前已经在射频电子、便携式产品中得到了应用。介绍了3种类型的空腔型外壳及相应的盖板密封技术,并对空腔型外壳的准气密封装技术在国内的应用进行了展望。     

（Li,Nb）掺杂SnO2压敏材料的电学非线性研究

研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非线性性能.掺入x(Li2CO3)为1.0%的陶瓷样品具有最高的密度(P=6.77g/cm3)、最高的介电常数(ε=1851)、最低的视在势垒电场(EB=68.86V/mm)和最高的非线性常数(α=9.9).对比发现,Na+由于具有较大的离子粒半径,其掺杂改性性能相对较差.提出了SnO2@Li2CO3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型.     

高压大功率芯片封装的散热研究与优化设计

针对单片高压功率集成电路芯片,利用Flo THERM软件,建立三维结构的封装模型,并对各模型进行了仿真。研究了在不同基片材料、不同粘结层材料、不同封装外壳条件下封装模型的温度变化情况,分析得出一个最优的封装方案。结果表明,当基片材料采用BeO陶瓷、粘结层采用AuSn20合金焊料、封装外壳采用金属Cu时,该封装模型的温度最低、散热效率最高。     

高强度平面安装石英谐振器的研究

本文阐述了平面安装石英谐振器对军用和民军电子设备发展的重要性。介绍了支架结构对降低振动、冲击灵敏度的作用；比较了金属、玻璃、陶瓷等封闭材料，以选择比较理想的封装材料，还介绍了陶瓷盒的结构设计、石英谐振器的制造与装配、密封方法等；最后经给出了满意的振动试验结果。     

热处理对氧化铈粉体3～5μm波段红外发射率的影响

在600℃以内,氧化铈粉体在3～5 μm波段的红外发射率随着测试温度的升高而降低.通过设计关于热处理的正交实验和单因素实验,发现采用以4℃/min的升温速率升至1300℃保温4h后,氧化铈粉体在常温下的发射率最低,可降至0.37;测试温度升至600℃时,发射率则可降至0.3,可以考虑作为发动机用红外低发射率耐高温涂层的...     

CNT-FED背光源中支撑体高度的优化研究

利用丝网印刷技术制备碳纳米管阴极并真空封装碳纳米管场发射(CNT-FED)背光源原型器件,研究了支撑体高度对碳纳米管背光源发射性能的影响,实验表明:支撑体高度增加,开启电压随之增加;达到同样的发射电流密度,支撑体越高,亮度也越高.支撑体高度为1 000 μm和2 000μm时,CNT-FED背光源发射性能较好,在电流密度为4 mA/cm~2情况下,支撑体高度为1 OOO μm时,亮度为1 800 cd/m~2;支撑体高度为2 OOO μm时,亮度为3 100 cd/m~2.选用支撑体高度为2 000 μm,制备出86.4 cm液晶平板显示器(LCD)用CNT-FED背光源,亮度最高可达8 000cd/m~2,发光均匀性为82%,稳定发射30 h,发射电流无明显衰减.     

Ca_(1-x)A_xMnO_3(A=La,Bi)陶瓷的制备和红外辐射性能

采用传统的固相烧结工艺制备得到Ca1-xLaxMnO3(CLMO),Ca1-xBixMnO3(CBMO)(x=0.0～0.2)陶瓷样品,通过XRD和FT-IR对样品进行表征,研究了晶体结构,温度和不同波段下的红外发射率之间的关系。研究结果表明:CLMO和CBMO陶瓷样品具有单一物相。晶格畸变产生了新的红外吸收带。CLMO和CBMO陶瓷在8～14 m波段的红外发射率随着温度的升高而升高,在400℃左右红外发射率发生突变。在3～5 m波段的红外发射率随着温度的升高而缓慢升高。CLMO和CBMO陶瓷样品在8～14 m波段具有作为热控制材料的潜在应用前景。     

(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究

研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i 对 Sn4 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2 O5晶界缺陷势垒模型     

白光LED封装用Ce:YAG荧光微晶玻璃的研究

以CaO-Al2O3-SiO2-Y2O3玻璃作为基础玻璃(添加微量Ce),采用不同的热处理方法制备了白光LED荧光微晶玻璃。通过对比样品的测试数据,总结出了较为理想的热处理工艺。研究表明,采用整体析晶工艺,在1150℃、热处理1h,得到了主晶相为Ce:YAG的荧光微晶玻璃。其激发波长为462.2nm,发射波长为530.2nm,适合作为白光LED的封装材料。