电子组装中胶黏剂及其涂覆工艺的选择(待续)

胶黏剂在混装及双面回流焊接工艺中主要是把元器件固定于电路板底面,以便进行波峰焊或双面回流焊工艺.常用的胶黏剂涂覆方法包括针转移法、点涂法和丝网印刷法/模板印刷法.模板印刷法近年来在大批量高速流水线生产中得到了较为广泛的应用.主要介绍了胶黏剂的涂覆工艺及选择、胶黏剂的性能及选择和胶黏剂的相关工艺设计,并对其进行了较为详细的分析.     

电子组装中胶黏剂及其涂覆工艺的选择（待续）

胶黏剂在混装及双面回流焊接工艺中主要是把元器件固定于电路板底面,以便进行波峰焊或双面回流焊工艺.常用的胶黏剂涂覆方法包括针转移法、点涂法和丝网印刷法/模板印刷法.模板印刷法近年来在大批量高速流水线生产中得到了较为广泛的应用.主要介绍了胶黏剂的涂覆工艺及选择、胶黏剂的性能及选择和胶黏剂的相关工艺设计,并对其进行了较为详细的分析.     

含氟紫外纳米压印光刻胶的研制

从主体树脂性质、光引发剂的选择、助剂的选择、溶剂的设计等多个方面论述了含氟纳米压印光刻胶的研制工艺。在纯有机材料为主体的光刻胶中引入了全氟丙烯酸酯助剂,解释了含氟助剂在光刻胶中的作用。使用接触角法评估了全氟丙烯酸酯对光刻胶表面性质的影响,并通过接触角数据预测了光刻胶的脱模能力。通过旋涂、压印、刻蚀等实验验证了光刻胶的性能,并通过实验数据筛选出了最佳配方。研制出的光刻胶样品图形保真度高、分辨率好,对底材有良好的黏附力,且具有良好的脱模能力。     

AZ5214光刻胶及像反转特性的实验研究

通过实验研究了ＡＺ５２１４光刻胶分别用作正型抗蚀剂和负型抗蚀剂的光刻工艺，给出了抗蚀剂厚度为１μｍ的最佳光刻工艺参数，介绍了ＡＺ５２１４像反转特性的实验研究结果。     

新型高抗粘紫外纳米压印光刻胶的工艺研究

为了减少紫外纳米压印技术脱模过程中的接触粘附力,开发了一种新型高流动、抗粘的紫外纳米压印光刻胶。光刻胶以BMA为聚合单体,添加特定配比的交联剂和光引发剂配置而成。紫外纳米压印实验在本课题组自主研发的IL-NP04型纳米压印机上完成。实验得到光刻胶掩膜膜厚为1.21μm,结构尺寸深246nm,周期937.5nm。实验结果表明,在没有对石英模板表面进行修饰的情况下,该光刻胶依然表现出高可靠性和高图形转移分辨率,有效减少了紫外纳米压印工艺中的模板抗粘修饰的工艺步骤。     

光刻胶成分优化对彩膜预烘烤工艺升华物的改善

随着彩膜产线几年的运营,预烘烤工艺升华物带来严重的设备和玻璃基板污染,容易造成曝光工序失败,导致成本浪费。为解决该问题,本文针对8.5世代线红、绿、蓝三条生产线,进行了预烘烤工艺升华物成分分析和改善。经分析,升华物来源于光刻胶中单体和光引发剂,通过将分子量在190～300之间的小分子结构的单体和光引发剂替换成分子量在380～600之间的大分子结构,得到改善型光刻胶,成功将红、绿、蓝3种光刻胶热升华物降低了91.8%,98.5%,93.1%。改善型光刻胶制成的产品光学、信赖性均满足要求,导入量产后,预烘烤升华物导致的玻璃基板曝光工序失败率由3 500×10-6降低为1 600×10-6。在此研究过程中,提出了一种红绿蓝光刻胶材料预烘烤升华物量化评价指标,可应用于后续光刻胶的开发和选用,对产线长期稳定运营具有参考借鉴意义。     

大面阵锑化铟探测器芯片背减薄工艺技术开发

为实现大尺寸锑化铟混成芯片的高质量、高成品率背减薄,介绍了一种单点金刚石车削与磨抛相结合的背减薄工艺。该工艺采用单点金刚石车削技术实现锑化铟芯片大量厚度去除,然后通过旋转磨削工艺进一步去除车削损伤,最终实现了1280×1024元(25■m)大尺寸锑化铟混成芯片背减薄(材料表面的半峰宽值约为8.20～11.90 arcsec)。与传统磨削工艺相比,该工艺对尺寸大、面型差的半导体芯片兼容性强,解决了大尺寸芯片在传统磨削工艺中因面型带来的裂片率高、减薄厚度不均匀的问题。     

锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究

设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术,包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺,针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响, 改进后的工艺在脱水处理后 采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件。     

纳米压印光刻胶

光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介绍了热压印光刻胶、紫外压印光刻胶、步进压印式光刻胶和滚动压印式光刻胶的特点以及碳氧类纯有机材料、有机氟材料、有机硅材料做压印光刻胶的优缺点。列举了热压印、紫外压印、步进压印工艺中具有代表性的光刻胶实例,详细分析了其配方中各组分的比例和作用。介绍了可降解光刻胶的原理。展望了压印光刻胶的发展趋势。     

VLSI线宽的自动工艺控制

描述了光刻胶喷雾显影和搅拌显影中线宽加工的工艺线自动控制方法。所使用的设备也可用于工艺诊断,评价诸如光刻胶溶解速率或显影实际开始前的初始时间一类的光刻胶参数。讨论了这种方法对于光刻胶的全自动处理的意义。     

烘箱HMDS预处理程序优化

烘箱HMDS预处理系统在提高光刻胶与硅片的黏附性方面具有很多优越性。文章通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、PRIME时间、PRIME后保持时间等参数的优化实验,得到了最佳的烘箱HMDS预处理程序。通过提高烘箱工作温度（150C）、减少PRIME时间（0．5min）和增加PRIME后保持时间（5min）,最终降低了HMDS处理后的硅片接触角,进而降低了光刻胶28％的用量。本方法已经验证在本次开发中,其工艺稳定,完全适用于生产线量产。     

光刻胶段差对光刻图形的影响与改善

TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明:对于极限分辨率为2.41μm的投影光刻机,要使厚0.52μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显著改善沟道长为2.5μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。     

利用多层光刻胶工艺的准LIGA技术

ＬＩＧＡ技术在微机械结构的制作中具有很重要的作用。针对ＬＩＧＡ技术所存在的缺点,提出了一种利用多层光刻胶工艺的准ＬＩＧＡ技术。利用此技术,可以用普通光学曝光机将光刻图形转移到较厚的光刻胶上,而且深宽比可以做得很大。     

表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用

叙述了表面活性剂的性质、分类、分子结构特点,重点介绍了表面活性剂在光刻工艺的涂胶、显影、湿刻工序中的应用.适当加入表面活性剂,在现有设备的条件下可极大地提高光刻质量,对双极电路以及CMOS电路制作都有着重要的现实意义.     

Level-specific lithography optimization for 1-Gb DRAM

A general level-specific lithography optimization methodology is applied to the critical levels of a 1-Gb DRAM design at 175- and 150-nm ground rules. This three-step methodology-ruling out inapplicable approaches by physical principles, selecting promising techniques by simulation, and determining actual process window by experimentation-is based on process latitude quantification using the total window metric. The optimal lithography strategy is pattern specific, depending on the illumination configuration, pattern shape and size, mask technology, mask tone, and photoresist characteristics. These large numbers of lithography possibilities are efficiently evaluated by an accurate photoresist development bias model. Resolution enhancement techniques such as phase-shifting masks, annular illumination and optical proximity correction are essential in enlarging the inadequate process latitude of conventional lithography     

表面传导电子发射显示器微细结构光刻工艺的优化

研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响.借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数.结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40～50 mJ/cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础.     

Investigation of the Photoresist Pattern Profile Contrast Improvement in Interference Lithography Technique Using 488-nm Laser

The interference lithography technique at 488 nm is explored theoretically and experimentally, and the effect of photoresist pattern profile contrast improvement is presented. In order to produce high contrast photoresist patterns using interference lithography, the system setup and process have to be optimized strictly, and process optimization can be facilitated by simulation. In the proposed simulation method, the absorption coefficient of photoresist varying with wavelength is considered by using photoresists with lower absorption coefficients, or, for the same photoresist, using laser sources with longer wavelengths. The visibility of aerial fringe patterns of the photoresist can be improved greatly. However, after developing, the contrast of photoresist patterns was not improved. The reason is that the photo sensitivity and etching rate V of photoresist decrease at 488 nm. This offsets the effect of lower absorption coefficients even though a 488-nm argon ion laser source is useable for some photoresists. This opens up a new window for the interference lithography technique.      

抗蚀剂AZ4562曝光参数的变化趋势分析

针对厚胶曝光参数随不同光刻胶厚度及工艺条件变化的特点,在原有Dill曝光模型基础上,建立了适合于描述厚胶曝光过程的增强Dill模型,并将统计分析的趋势面法引入到厚胶曝光参数变化规律的研究中,给出了厚胶AZ4562曝光参数随胶厚及工艺条件的变化趋势,为开展厚胶光刻实验研究和曝光过程模拟提供指导性依据。     

用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。