电压检测器及其应用电路(五)——“高电压”欠压、过压保护电路

<正> 近年来,电路的工作电压不断地降低,从5V降到3.6V、3.3V,甚至降到1.8V以下。但仍有一些电路工作电压为9V、12V,少数电路还有15～24V工作电压。电压检测器的检测电压大部分在6V以下,那么工作电压在6V以上时如何来检测呢?这里将工作电压大于6V的称之为“高电压”,本文将介绍提高电压检测器的检测电压的方法及“高电压”电路的欠压、过压保护电路。     

基于电压检测器的电视发射机缺相保护电路

北京广播器材厂生产的1kW电视发射机由于未安装缺相保护电路,在使用中常因三相电源缺相而烧毁冷却风机。为此,曾华跃犤1犦先生在原发射机电路中增加了一个交流接触器构成了简易电视发射机缺相保护电路。该保护电路设计简单,安装方便,但增加的交流接触器势必引起噪声和增加损耗。笔者介绍一种基于电压检测器的电视发射机缺相保护电路。1“高电压”检测电路简介大部分电压检测器的检测电压都在6V以下,采用串接稳压管的方法可提高电压检测器的检测电压(>6V),如图1所示犤2犦。该电路的优点是检测电压范围大,并且容易满足要求。若原检测电压为V…     

一种新型低电压极限电流检测电路

为磁滞电流控制的DC-DC开关稳压器设计了一种新型的极限电流检测器。该电路不借助于专门的电流检测电路,只使用一个检测MOSFET和一个电压比较器来实现极限电流检测,减小了电路的复杂度。针对电流检测器的要求,设计了一种低电源电压、高共模电压的比较器。使用TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺,对电路进行设计。结果表明,电路具有很好的容差特性,并且电路可工作在1.2 V的低电源电压下。     

便携式电子产品用的稳压电源

<正> 便携式电子产品由电池供电,其工作电压一般为3.3～6V,为保证电路工作的稳定性,往往需要稳压电源。本文介绍一种适用于便携式电子产品的稳压电源,该电源用3节电池(镍镉、镍氢充电电池或碱性电池)可输出5V电压,即使电池电压降到3V,输出电流也大于300mA;若采用4节镍镉或镍氢电池,则输出电流可达400mA。该电路具有以下一些特点:输出精度高(可达±0.04V);电路简单,外围元件少;电路转换效率高(可达74％左右);可以输出5～12V任意设定的电压。     

用于高侧开关的短路限流及保护电路

提出了一种用于高侧开关的短路限流及保护电路。电路采用二级保护的方式,当短路检测电压不为零且低于参考电压时,限制栅源电压,对电路限流;当短路检测电压高于参考电压时,则延时一段时间后关断功率管。芯片采用0.18μm 100 V BCD工艺流片。测试结果表明,在先工作后短路和先短路后工作两种情况下,功率管均处于正常工作状态。电路工作电压范围为4～80 V,短路延时时间约200μs,输出最大可持续电流可达80 A。     

利用关键测试点数据检修彩电各部分电路故障

（续上期）６伴音电路伴音电路包括伴音中频信号处理电路和伴音功放电路。６．１外部工作条件①伴音中频信号处理电路工作电压为１２V；②伴音功放电路有的为一组工作电压，其值在１６V以上，有的为两组工作电压，一个为９V，另一个为１６V以上，伴音控制电压要合适；③要引入正常的第二伴音信号；④对多制式机制式切换电压要正确。６．２关键测试点伴音电路的关键测试点有电源、伴音控制端、伴音制式切换末端、伴音功放中点电压。６．３各测试点能说明的问题①电源电压。其值与数据表中给出的值或图标值相比上下不超过１．５V，可视为正…     

一种高精度宽电源范围集成电压基准源设计

在SOC及智能功率集成电路中,对基准电压源的电源电压范围及输出驱动电流都提出了更高的要求.基于csmc 40VBCD工艺设计并实现了一种输出精度高、驱动能力强、电源电压范围宽的5V集成基准电压源电路.设计中通过HV_PMOS实现电源电压和基准核心电路工作电压的隔离,拓宽了电源电压范围,采用双重电流负反馈保证了基准电压的高精度输出.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的各项电参数进行仿真验证,得到电源电压范围9～30V,在-20～125℃范围内温度系数5.688×10-6/℃,启动时间6.369μs,负载电流0～40mA,输出为5V的集成电压基准源电路.     

精密双电压检测器LTC2909

<正> LTC2909是凌特公司最近推出的一种能检测两个电源电压,并能检测器件供电电压有无欠压的新器件。它适用于多电源供电的系统中,例如笔记本电脑、网络服务器、微处理器的内核及 I/O 端口的电压检测、汽车电子装置等。该器件的主要特点:可检测两个低电压(最低为0.5V):可检测正电压或负电压;可检测是否过压或欠压;保证阈值电压精度在±1.5%范围内;器件有2.5V(LTC2909-2.5)、3.3V(LTC2909-3.3)及5V(LTC2909)三种工作电压供电,另外,它也可以工作于高于6.5V 的高电压(如72V);低功耗,静态电流典型值为50μA;内部有经     

一种高电源抑制比带隙基准源

介绍一种基于UMC0.6μmBCD工艺的低温漂高PSRR带隙电路。采用Brokaw带隙基准核结构,针对温度补偿和PSRR问题,通过改进的线性曲率补偿技术,对温度进行补偿;并利用零点技术提高电路的整体PSRR。HSPICE仿真分析表明:电路具有很好的高低频PSRR,在-40℃到125℃的温度范围内引入温度补偿后,温度系数降为3.7×10-6/℃。当电源电压从2.5V变化到5.5V时,带隙基准的输出电压变化约为670μV,最低工作电压仅为2.2V。     

集成电路

低功耗微型电压检测器 5引脚SOT-23A封装的TC53电压检测器在2V输入时消耗电流1μA。该器件有精度为±2％的电压检测临界值设定。 工作电压为1至10V。可供应CMOS和开路漏极输出结构的器件。(现货。单价0.45美元,1000只起。) Telcom Semiconductor 传真:001-650-967-1590 http://www.telcom-semi.com 查询号:389     

A High Voltage CMOS Voltage Level Converter for a Low Voltage Process

Russian Microelectronics - A new high-voltage CMOS voltage level converter designed for manufacturing in low-voltage technological processes is presented. The features of the construction,...     

低压CMOS带隙基准电压源设计

基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度。阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源。并基于CSMC 0.5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果。     

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。     

埋层低掺杂漏SOI高压器件的击穿电压

提出一种具有埋层低掺杂漏(BLD)SOI高压器件新结构。其机理是埋层附加电场调制耐压层电场,使漂移区电荷共享效应增强,降低沟道边缘电场,在漂移区中部产生新的电场峰。埋层电中性作用增加漂移区优化掺杂浓度,导通电阻降低;低掺杂漏区在漏极附近形成缓冲层,改善漏极击穿特性。借助二维半导体仿真器MEDICI,研究漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径。在器件参数优化理论的指导下,成功研制了700V的SOI高压器件。结果表明:BLD SOI结构击穿电压由均匀漂移区器件的204V提高到275V,比导通电阻下降25%。     

A Breakdown Voltage Multiplier for High Voltage Swing Drivers

A novel breakdown voltage (BV) multiplier is introduced that makes it possible to generate high output voltage swings using transistors with low breakdown voltages. The timing analysis of the stage is used to optimize its dynamic response. A 10 Gb/s optical modulator driver with a differential output voltage swing of 8V on a 50 Omega load was implemented in a SiGe BiCMOS process. It uses the BV-Doubler topology to achieve output swings twice the collector-emitter breakdown voltage without stressing any single transistor     

基于CMOS阈值电压的基准电路设计

在数/模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一.针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点,提出一种新的设计方案,电路中不使用双极晶体管,利用PMOS和NMOS的阚值电压产生两个独立于电源电压和晶体管迁移率的负温度系数电压,通过将其相减抵消温度系数,从而得到任意大小的零温度系数基准电压值.该设计方案基于某公司0.5 μm CMOS工艺设计,经HSpice仿真验证表明,各项指标均已达到设计要求.     

SVPWM教学研究之相电压与线电压

SVPWM是电力电子技术教学中的重要内容,SVPWM教学中存在若干难点,目前的教材中都没有提及相电压和线电压的波形,难以给学生直观的印象,学生也难以了解SVPWM的工作机理。本文简洁地推导了SVPWM的相电压和线电压,画出相关波形,并对波形进行了分析,对SVPWM的教学有积极参考价值。     

用作高压电力开关的高压继电器

在实际的强电电路设计中,通常不用直接用开关而是用继电器的触点来控制电路的通断。这就是通常所说的“电力开关”和“热开关”,即利用继电器触点来断开电源或是接通电源。当继电器用作电力开关时,在触点开始闭合瞬间以及之后的触点抖动中都产生电弧。电弧会使触点腐蚀,若不采取一定的预防措施,可能会导致触点熔结,轻则也会引起相当严重的触点损伤。因此,电弧的持续时间以及电流电压的等级都是决定继电器寿命和可靠性的决定因素。     

一种二阶补偿的低压CMOS带隙基准电压源

设计了一种利用不同材料电阻的比值随温度变化的特性进行二阶补偿的低压带隙基准电压源。通过温度补偿电阻进行电平平移,提高运放的共模输入范围,以降低运放对电源电压的限制。仿真结果表明,该电路输出电压为1.165 V,在-40~125℃范围内,温度系数为4.5 ppm/℃,电源抑制比达到60.6 dB。电路工作在1.5 V的电源电压下,最大消耗15μA电源电流。     

零电压开关全桥转换器设计降低元器件电压应力

采用直接控制驱动同步整流技术,能够提高转换器的整体效率,不再需要解调电路,并能在二次侧针对两个同步FET生成栅极驱动信号。本文详细介绍了全桥转换器的工作情况。