精缩镜头加工工艺

我所研制的JS—3型精缩照相机上的镜头是从今年三月份开始研制的,此镜头设计精度很高,特别是光学另件的面形和中心厚度公差,镜片的偏心差,空气间隔等等要求很严格。为了达到设计要求我们对此镜头作了一些工作,现将加工试制方面的肤浅的体会汇报如下:     

用于超大规模集成电路的微缩物镜设计

电子工业的迅速发展对微缩镜头的设计和制造起了推动作用,尤其七十年代后期开始的超大规模集成电路,对精缩镜头的视场、分辨率和畸变等则提出了更高的要求。本文就精缩镜头的发展趋势、光学设计结果应该满足的各种要求、评价精缩镜头光学设计结果和镜头质量优劣的依据、设计选型时的指导思想进行了论述;还介绍了一种新的估计精缩镜头焦深的方法;并结合一个具体结构型式阐述了采用不同基准光(e线和g线)的两种适用于超大规模集成电路(线视场为φ14.5mm)的高分辩率-1/10X精缩镜头的设计思想、设计过程和结果;并利用OTF的计算去估计将一个已知的某种谱线(如e线)镜头结构型式改做成另一种谱线(如g线)镜头时所能达到的分辨率等指标。     

JS—3型光栅定位精缩照相机

制版是半导体集成电路生产的第一道工序,掩模的套准精度、表面质量,直接影响电路的质量及成品率。在超大规模之前的中大规模集成电路的发展中,常规的制版,甚至在自动制版系统中,精缩照相机仍然是制版工艺的一项关键设备。 1970年前后,国外精缩照相机已有系列化定型产品,包括单头机和多头机。单元图形面积最大可达10×10毫米,掩模最大面积可达到150×150毫米,线条达到1微米,重复精度达到±0.1微米～±0.25微米(标准误差),其定位方式基本上采用激光和光栅两种形式。这些设备已能满足     

用微机控制二次精缩机制作掩模

本文主要介绍一种用TP—801型单板计算机控制二次精缩机制掩模的基本原理及其实现的方法.采用微机控制具有精度高,操作系统工作稳定可靠,保证掩摸制作的高质量,同时可使精缩机电气控制系统的电路结构简单,体积小,成本低以及操作简便等优点.该微机控制系统可广泛地应用于晶体管、集成电路制造工厂和科研单位.     

为实现精缩机高精度高稳定度采取的措施

<正> 在精缩机整个研制过程中,我们始终把高精度、高稳定、高效率作为主攻方向。为实现以上目标,我们的精缩机采用了激光测长、微动加补偿及微型计算机控制三大技术,为精缩机的研制成功奠定了可靠的基础。在电气设计中也采取了一系列抗干扰措施。下面分别进行叙述。     

JS—3型精缩照象机电控原理

JS—3型精缩机是在JS—2精缩机成功地应用了光栅定位的基础上,为适应中、大规模象成电路制版需要而研制的。它保持了Ⅱ型机的基本方案,但在整机功能上除了可以进行固定程序拍版,还增加了选择程序拍版功能。这样可以为自动光刻制作对位标记、拼图、制备异图掩膜版等等。并采用了行进式曝光,大大地提高了制版效率。     

精缩照相机的精度分析

目前,国内对于精缩照相机的制版精度指标尚无统一规定和确切的定义。国外的同类机器均仅给出了任意一头拍照时的各项精度指标。然而对制版来说,单有这种指标是不够的,更重要的是一套掩膜版的套合精度,也就是常说的异头,不同车、不对号、补版的精度。本文力图以我所最近研制的JS—3型光栅定位四头精缩照相机为例,对一套掩膜版的套合精度作出定量分析。     

激光定位六头精缩机简介

一、机器情况 激光定位六头精缩机是由复旦大学,科学院自动化研究所和我们厂共同设计制造的,是厂、所、校结合的产物。也是社会主义大协作的产物,精缩机的高精度导轨加工,光学玻璃原料和玻璃器件加工、机器调试等牵涉到很多单位,在他们的大力支持下才得完成。 在设计制造过程中,机械和电气设计人员、金工、仪表工、制版工都一起商讨,制订方案,都参加了机器的整个设计过程,使得机器不仅考虑到设计制造,也更多的考虑到维修和使用,所以效果比较好。 除镜头(f28,10倍)用进口件外,其余都是国产品。现将机器的结构简介如下: 1.机器的主要性能指标: 最大拍版面积50毫米×50毫米 最大单个图形面积φ8     

一四四五研究所研制成一批大规模集成电路工艺新设备

我所最近研制成功了一批大规模集成电路专用工艺新设备。这些新设备有QP—3型立式内圆切片机,TSH—1型图形数字化仪,TF—1型图形发生器,GK—4型光刻机,TZ—4型自动多探针等五项整机。另外有JSJT—2型精缩镜头,GX—4型分离视场显微镜两项配套装置及多点光源曝光系统一项科技成果。     

精缩机制版阵列插图研究

介绍了利用3696精缩机进行制版阵列插图的研究工作,总结了插图工艺制作的基本方法、常见问题及解决办法.通过具体应用实例,对多种形式的阵列插图制作进行了有益的探讨,对光掩模版的制造具有一定的指导意义.     

一种采用精缩机拼接斜线条图形的方法

提出一种由曝光单元拼接斜矩形线条的数学模型,基于该模型编制了一款数据处理程序。利用该数据处理程序和特制的光栏版,使精缩机实现图形发生器的功能,精确拼接出无锯齿状边缘的斜线条图形,为制作特殊的掩模版提供了一种实用的方法。     

微缩镜头的正确使用与维修保养

<正> 初缩镜头与精缩镜头都属于半导体工业用的微缩制版照相镜头,简称微缩镜头。它的质量的优劣直接影响光刻掩模的质量,继而影响半导体器件平面工艺的质量。近年来,我国半导体工业在迅速的发展。半导体器件的图型结构越来越细,进而对光刻掩模的要求也越来越高。因此,对微缩镜头的要求亦越来越严。微缩镜头应具备的性能光刻质量的高低与光刻掩模版的质量有着密切的关系。质量较高的掩模版应当具备:1、整幅版的图像边缘要清晰,而且在图型阵列中的每一个微小图型的图像也要清晰。2、图型尺寸要准确且不发生变形。     

基于数字微镜的高质量精缩投影光刻系统的研制

文章详细介绍了数字微镜系统总体设计,并进行了实验验证。数字微镜如果结合高质 量的高倍精缩投影光学系统,完全可实现亚微米级衍射微光学元件的制作。最后对系统特点和系统误差进行了总结。     

用于大规模集成电路光刻掩模版的保护膜

一、引言 目前国内不少单位,在制作大规模集成电路光刻掩模版时,都采用国外的高解象力干版,以直接精缩的办法,为生产线上提供光刻版。这样做,虽然在光刻版的几何图形完整率上得到了有效的保证,但是,高解象力干版感光层不能经受在接触式曝光中的摩擦,它的使用寿命受到很大的限制。在具体应用中,仅通过四次以下的接触式曝光,掩模版面的几何图形便出现损坏,随着光刻次数不断增加,版面的几何图形损坏率激增。同时,由于采用精缩方法直接制作掩模版,生产效率很低,不能很好地满足生产线光刻的需要。     

掩模精密分合照相技术在中、大规模集成电路中的应用

一、前言 无产阶级文化大革命和批林批孔运动,激发了战斗在电子工业战线上的广大工人革命干部和技术人员的革命积极性,促进了北京地区的中、大规模集成电路的大会战,推动了我厂中、大规模集成电路的研制和生产。 发展大规模集成电路,扩大电路的功能,不仅要提高电路单元的集成度,而且电路的单元面积也有所扩大。促使电子束,激光扫描、图形发生器等多种自动制版方式的出现。但是,由于设备庞大,造价昂贵,技术复杂,至今较难于普及应用。一般地刻大图照相制版方式,尽管在不断扩大幅面条件,也较难适应(高精度、大面积)发展中的大规模集成电路生产的需要。 一九七四年,中国科学院计算技术研究所开门办所,同我厂四车间工人、技术人员相结合,在车间党支部领导下,研制一种急需的大规模集成电路。由于掩模图纸面积大和电路单元尺寸大,无法按常规制版。针对这个问题,我们认真学习了毛主席关于“破除迷信,解放思想”和“独立自主,自力更生”的教导。决心“在自己力量的基点上”,开展大规模集成电路掩模的制版工作。 我们制版组,在六车间党支部的领导下,得到各兄弟车间的大力协助。立即组成了     

国外彩色掩模研究概况

随着半导体器件向高频、大功率、低噪声方面迅速发展,集成电路向高集成度、高可靠性和高速、低功耗方面发展,这对制版的要求就越来越高了,为此不仅要求有分辨率高的镜头,还要求有分辨率较高、耐磨的掩模。目前在制造集成电路的光刻工艺中,要用一套掩模来确定光致抗蚀剂材料上的图象,以便来形成电路图形。当前一般使用的     

二十四所集成电路设计/测试技术发展历程与展望

回顾了中国电子科技集团公司第二十四研究所各类模拟/混合信号集成电路设计/测试技术的发展历程,简述了二十四所照相制版和计算机辅助设计等从无到有的历程;最后,对二十四所集成电路设计、测试技术未来的发展进行了展望.     

采用气体等离子体制作掩模

一、引言最近,气体等离子体被用于大规模集成电路制片工艺中,其实用性已有许多报导,另外,在照相制版工艺使用的光掩模的制作上也采用气体等离子体,并研究了把工艺的一部分干式化。本报告发表了在使用气体等离子体制作掩模工艺中(尤其是关于图形尺寸的精度和图形缺陷发生率、其曝光条件以及腐蚀条件的依赖关系)的研究结果。     

在半导体光掩模制备工艺中超微粒干版的使用条件

随着半导体中、大规模集成电路的飞速发展,光刻掩模的制备手段和使用材料都发生了巨大变革,乳胶掩模版几乎已全为金属掩模、表面敷有防止反射膜的掩模以及橙色透明金属氧化物的掩模所取代。但是在初缩、精缩的过程中母版的制作及在通常的光学照相系统中,暂时还找不到更理想的替代物。所以,如何提高乳胶干版的质量,找出最佳的使用工艺成为从事制版工作的人们不断探讨的课题。本文仅对乳胶掩模版的制备工艺提出一些方法和意见。     

国外大规模集成电路用的基础材料发展概况

一、前言 随着半导体工业的迅速发展,特别是大规模集成电路在较短的时间内获得飞速发展,对整个电子工业起着推动作用。为了展望大规模集成电路的发展前景,可以认为二十世纪七十年代是大规模集成电路的全盛时代。但大规模集成电路之所以能如此发展,是与集成电路所用的材料发展联系在一起的,尤其是基础材料更是大规模集成电路的基础。由于大规模集成电路功能复杂,对基础材料的要求就更高。倘若在电路生产过程中混入不应有的杂质,就会直接影响到集成电路的性能和成品率。因而近年来,随着器件