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本文提出了一种无需检测电感电流及其过零点的简单数字控制方案,实现了临界连续模式功率因数校正器的控制。取得了功率开关管的ZVZCS,消除了整流二极管和快恢复二极管的反向恢复带来的损耗,提高了变换器的效率和可靠性;另外,数字控制器克服了模拟IC控制器的开关频率限制问题,消除了输入电流的低频畸变,提高了功率因数;同时,也降低了输入电感的值,降低了成本的同时提高了功率密度。为实现中小功率数字控制功率因数校正器的产品化提供了一个良好的解决方案。 相似文献
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铝电解电容器技术的新进展 总被引:3,自引:3,他引:0
详细讨论了电子技术的发展对铝电解电容器的性能要求,提出了其技术对策,分析了存在的技术瓶颈,找出了它的技术出路,探讨了它的技术难点,给出了当前我国铝电解电容器行业的技术现状,指出了未来发展方向。 相似文献
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分析了小波压缩的相关理论知识,着重对JPEG2000系统中的ROI功能进行了研究,实现了ROI的构思和实用算法,给出了性能分析,进而分析了目前ROI算法的局限性并给出了ROI的改进算法,做出了相应的实验结果分析. 相似文献
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在当今的社会中,人们已经离不开电子通信了,其作为了一个新兴产业,并得到了良好的应用,对各行各业起到了促进作用,同时,传统的产业收到了冲击。我国的电子通信发展较快,达到了先进的水平,不过,由于发展时间较短,存在很多不足之处,拉低了整体水平。特别是干扰问题,严重影响了电子通信的发展。本文对电子通信进行了概述,探讨了干扰要素,并且,提出了相关的应对策略。 相似文献
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针对采用芯片nRF905的LED屏无线通信,分别给出了上位机和下位机的系统框图,分析了系统的功耗,比较了无线模块和串口通信的通信速率,验证了系统的可行性,设计了串口通信协议,为保证数据质量,设计了数据通信协议,针对串口数据的nRF905分包转发,设计了无线芯片通信协议,例举了状态机的5种状态,介绍了状态间的转换条件,巧妙地编程设计了通信数据的定时器检查,论述了基于状态机的嵌入式单片机软件编程。 相似文献
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“我有一个梦想:某一天三大运营商员工不摆摊了,不打架了,员工年收入差距缩小了,前端营业员待遇提高了,后端装维与资源矛盾化解了,服务质量提高了,恶性竞争消除了,重复建设停止了,不再破坏对手广告了,不互挖墙角搞策反了,不再零元购机了,不打价格战了,都能活的有尊严了”. 相似文献
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使用铁氧体生料和堇青石生料,在合适的工艺制度下,制备了堇青石红外辐射复相陶瓷.用红外辐射测量仪测定了样品的红外发射率,用XRD方法分析了样品的物相组成,用电子探针分析了样品中元素的面分布和其显微结构特征,并综合分析了影响制品红外发射率的因素,结果表明:复相陶瓷的主晶相为堇青石和铁氧体共存,和复合前铁氧体的发射率值相比,复合体陶瓷的全波段红外发射率和光谱发射率均得到了一定程度的提高,全波段红外发射率提高了4%-5%,光谱发射率提高了l%-5%;复相陶瓷中,铁氧体含量的变化,对复相陶瓷的红外发射率没有影响. 相似文献
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应用化学方法去除神经中的细胞成分并经γ射线辐照后进行家兔同种异体移植实验,分别对移植后6、8、12周再生的神经进行超微结构观察。结果表明:去细胞神经中的雪旺氏细胞成分基本缺失,仅残存一些膜状结构碎片。有髓神经纤维髓鞘明显破坏,神经纤维外周胶原纤维及其组成的膜结构基本保持完整。移植术后植入物内可观察到增生的雪旺氏细胞包裹再生的轴突形成有髓神经纤维和无髓神经纤维,其轴突内可见线粒体、神经微管、微丝。再生神经纤维的形态、结构及直径均与正常神经相似。表明植入物逐渐被新生的神经纤维所取代。 相似文献
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概述绕接工艺技术的基本概念、技术术语及其在电子电气连接中应用的领域和可靠性,论述绕接技术中使用的材料、工具选用的技术要求和对绕接点的技术要求,介绍了检验绕接点的几个最基本的检验方法,对实际应用中常常容易出现的几个问题进行了阐述,并提出解决问题的方法和效果. 相似文献
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DMD红外动态场景模拟器是红外半实物仿真系统的重要组成部分,其时间性能参数决定了模拟器能否将仿真图像正确投射到被测系统。介绍了DMD红外动态场景模拟器工作原理,深入分析了DMD驱动方式和工作时序。讨论了半实物仿真实验对DMD红外动态场景模拟器调制时间、同步和帧频等时间性能参数的需求。提出了DMD红外动态场景模拟器调制时间、同步和帧频测试方法,搭建了测试平台。对现有DMD红外动态场景模拟器调制时间、同步和帧频进行了测试,分析了测试中发现的模拟器相关问题,并提出了改进建议。为模拟器的研制、应用及性能评价提供一定的依据。 相似文献
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微波组件典型质量问题分析及对策 总被引:1,自引:1,他引:0
总结目前微波组件生产的特点,通过对微波组件生产中典型质量问题的案例剖析,论述微波组件质量问题具有的滞后性和隐蔽性的特征,分析主要失效模式及失效机理,从产品设计、工艺过程控制、元器件质量等方面对影响产品质量的因素进行探讨,并在技术方法上提出具体的解决对策. 相似文献
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用二维OMA系统对He-Ne激光管的侧光辐射进行了空间分辨光谱测量,得到了He-Ne激光器可见激光辐射的小讯号增益及增益饱和的空间分布,研究了增益饱和性质,推算了活体积的大小和饱和光强等参量。 相似文献
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InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度和二维生长模型解释了台阶聚集现象的形成。对外延材料进行化学腐蚀,通过双晶X射线衍射(DCXRD)分析发现异质结界面存在应力,用异质结界面岛状InAs富集解释了应力的产生。通过严格控制InGaAs材料的晶格匹配,并优化MOCVD外延生长工艺,制备出厚层InGaAs外延材料,获得了低于1×1015cm-3的背景载流子浓度和良好的晶体质量。 相似文献