亚锰酸盐La0.7-xYxCa0.3MnO3的电磁特性和磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐多晶样品La0.7-xYxCa0.3MnO3,并研究了Y的不同掺杂(x=0.1,0.2)对样品的晶体结构、电磁特性和磁电阻效应的影响.实验结果表明,随着温度的降低,x=0.1样品的R-T曲线没有出现峰值,而x=0.2样品出现了峰值,显示了复杂的输运特性.两种样品的磁电阻Rm都随着温度的降低而升高,但都没有出现峰值.x=0.2的样品在较宽的温区内,磁电阻效应都很显著,而且Y掺杂由x=0.1提高至x=0.2,磁电阻效应增强.     

亚锰酸盐La0.7-xYxCa0.3MnO3的电磁特性和磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐多晶样品La0.7-xYxCa0.3MnO3,并研究了Y的不同掺杂(x=0.1,0.2)对样品的晶体结构、电磁特性和磁电阻效应的影响.实验结果表明,随着温度的降低,x=0.1样品的R-T曲线没有出现峰值,而x=0.2样品出现了峰值,显示了复杂的输运特性.两种样品的磁电阻Rm都随着温度的降低而升高,但都没有出现峰值.x=0.2的样品在较宽的温区内,磁电阻效应都很显著,而且Y掺杂由x=0.1提高至x=0.2,磁电阻效应增强.     

La位Y掺杂对亚锰酸盐La0.7 Sr0.3 MnO3低场磁电阻影响

针对钙钛矿亚锰酸盐在较低磁场下的磁电阻效应,采用固相反应法制备了亚锰酸盐多晶样品La_(0.7-x)Y_xSr_(0.3)MnO_3(x=0, 0.1, 0.2),测量了两个样品(x=0, 0.2)的X射线衍射谱及3个样品(x=0, 0.1, 0.2)在未加磁场和加0.25 T磁场的电阻-温度(R-T)曲线和磁电阻-温度(MR-T)曲线,分析了La位Y掺杂对样品低场磁电阻效应的影响。实验结果表明,样品La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的晶体结构由立方结构向四方结构畸变,样品La_(0.5)Y_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3为立方结构。随着La位Y掺杂量从x=0增加到x=0.2,晶格常数减小。在实验温区内,3个样品的R-T曲线没有出现金属-绝缘体转变峰,呈现出金属电阻温度特性。在相同的温度下,3个样品在加磁场时的电阻比未加磁场时的电阻要小,表现为负磁电阻。3个样品的MR-T曲线没有出现峰值温度T_P,磁电阻的大小随温度的降低而增加。在0.25 T磁场下,3个样品在实验温区都具有明显的低场磁电阻效应。为钙钛矿亚锰酸盐在磁电子学领域的应用研究提供了重要参考。     

亚锰酸盐La0.7-xCexCa0.3MnO3的磁电阻效应

用固相反应法制备亚锰酸盐La0.7-xCexCa0.3MnO3系列多晶样品(量分数x＝0，0．05，0．10，0．15，0．20)，并在零磁场和0．3T磁场下研究了电阻和磁电阻与温度(77-300K)的关系．结果发现：随x的增加，样品的巨磁电阻效应减弱，磁电阻峰有所扩宽，磁电阻峰值出现的温度比无掺杂相对提高了约14K．     

Mn位Cr掺杂对亚锰酸盐La0.7Ca0.3MnO3低场磁电阻影响

为了研究钙钛矿亚锰酸盐在较低磁场下的磁电阻效应,采用固相反应法制备了亚锰酸盐多晶样品La_(0. 7)Ca_(0. 3)Mn_(1-x)Cr_xO_3(x=0,0. 1),测量了两个样品在未加磁场和加0. 25 T磁场的电阻-温度曲线及磁电阻-温度曲线,分析了Mn位Cr掺杂对样品低场磁电阻效应的影响。实验结果表明,随着Cr掺杂量从x=0增加到x=0. 1,样品的金属-绝缘体转变温度逐渐向低温推移,磁电阻峰值温度由T_P≈220 K下降到T_P≈190 K。在0. 25 T磁场下,样品在液氮温区具有较明显的磁电阻效应。     

亚锰酸盐La0.7-xCexCa0.3MnO3的磁电阻效应

用固相反应法制备亚锰酸盐La0.7-xCexCa0.3MnO3系列多晶样品(量分数x＝0,0.05,0.10,0.15,0.20),并在零磁场和0.3T磁场下研究了电阻和磁电阻与温度(77～300K)的关系.结果发现随x的增加,样品的巨磁电阻效应减弱,磁电阻峰有所扩宽,磁电阻峰值出现的温度比无掺杂相对提高了约14K.     

Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响

研究了Cu掺杂对Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的Fe/Si多层膜中,发现在Si的标称厚度tSi =1.9nm附近存在一较强的反铁磁耦合（AFM）峰和与之相对应的负磁电阻峰,在Si层中掺入6％的Cu后,发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低,峰宽变窄,峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的宽和峰位变化与AFM峰相似,而磁电阻峰值则略有下降,在液氮温度T＝77K下,掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品阻率都降低,而磁电阻效应和饱和场均增大,实验结果表明,用磁控溅射方法制备的Fe/Si多层的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属／非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。     

La0.2Ba0．8Co0．8Fe0．2-xZrxO3-δ陶瓷的相组成与导电性能

用固相反应法制备了La0.2Ba0．8Co0．8Fe0．2-xZrxO3-δ（x≤0．10）系列陶瓷样品（简称LBCFZ）,对其相组成和电性能进行了表征。研究表明,常温下的LBCFZ为立方钙钛矿相结构,且当0≤x≤0．08时,其晶胞常数随着Zr掺杂量的增加而线性增大。LBCFZ陶瓷样品的电导率随温度的变化存在明显的转变温度（Tp）：当温度低于Tp时,样品的电导率随着温度升高而增大;当温度高于t时,样品的电导率随着温度升高而减小。另外,LBCFZ样品（x=0．02的样品例外）随着Zr含量的增加,电导率减小,转变温度Tp降低。     

中温固体电解质Ce_(0.8)Gd_(0.2-x)Y_xO_(2-δ)(x=0,0.05,0.10)的制备与性能研究

用溶胶-凝胶法合成了固体电解质Ce0.8Gd0.2-xYxO2-δ(x=0,0.05,0.10).用X射线衍射谱、拉曼光谱分析了样品的微观结构,用交流复阻抗谱研究了样品的电学性能.结果表明:800℃焙烧的所有样品均为具有氧缺位的单相立方萤石结构,晶胞参数随钇(Y)掺杂量增加而减小.钇掺杂量x=0.05的样品Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ的电导率最高,导电活化能最小,(σ700℃=5.58×10-3S·cm-1,Eα=0.92 eV),高于未掺杂Y的Ce0.8Gd0.2O2-δ样品的电导率(σ700℃=5.38×10-3S·cm-1Eα=1.09 eV).说明适量双掺杂Y提高了Ce0.8Gd0.2-xYxO2-δ的电导率并且降低了其活化能.     

Sr离子含量的减少对于La0.60Sr0.25Na0.15Mn3材料性能的影响

利用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了稀土锰氧化物多晶样品La0.60Sr0.25-xNa0.15MnO3发现随着Sr离子含量的减少,样品在室温附近庞磁电阻效应有了明显的改善.在1.8 T的磁场下,对于x=0.05的样品,其CMR值在240～320 K的温区范围内均保持在5.3%(±0.2%),温度稳定性有显著改善.     

Ti掺杂对La1.2Ca1.8Mn2-xTixO7磁电阻的影响

研究层状钙钛矿结构锰氧化物 La1 .2 Ca1 .8Mn2 - x Tix O7( x=0 .0 0 ,0 .0 5,0 .1 0 )块状样品磁电阻性质 ,发现 Mn位掺杂 Ti4 离子使材料电阻率上升 ,电阻率峰值温度 Tp 降低 ,Tp 附近及低温下磁阻增加 ;当 x=0 .1 0时 ,材料在所测温区表现为类绝缘态 ,但在 H=0 .5T外场下可观察到场致的金属 -绝缘体转变 ,同时获得磁电阻 ( MR=〔ρ( H) -ρ( 0 )〕/ρ( 0 ) )高达 -4 3 %。对以上结果的解释应是同时考虑在层状钙钛矿材料内的各向异性交换作用和因磁结构被破坏而产生的具有不同磁相关长度的区域的共存     

Sr离子含量的减少对于La0.60Sr0.25Na0.15MnO3材料性能的影响

利用溶胶-凝胶法（sol-gel）制备了稀土锰氧化物多晶样品La0.60Sr0.25-xNa0.15MnO3,发现随着Sr离子含量的减少,样品在室温附近庞磁电阻效应有了明显的改善。在1.8 T的磁场下,对于x=0.05的样品,其CMR值在240~320 K的温区范围内均保持在5.3%（±0.2%）,温度稳定性有显著改善。     

多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3的磁电阻研究

采用四探针法测量多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3(x=0,0.05,0.15和0.25)在磁场下的电阻率温度曲线.实验结果显示:①在0.45T磁场下,对于x=0和x=0.25的样品,几乎观察不到磁电阻(Magnetoresistance,MR)效应,而对于x=0.05和x=0.15的样品,磁电阻效应较明显.这种差异可能与样品中铁磁相是否占主导作用有关;②比较x=0.05和x=0.15这两种样品的MR机制,前者可能与载流子在弱连接晶界上的自旋相关散射有关,且其主要是非本征的;而后者主要是本征的.     

Ni—Zn铁氧体的结构和电磁性能的Nd^3＋掺杂效应

采用固相反应法制备Ni0.5Zn0.5Nd2-xFe2-3O4铁氧体,通过X射线衍射仪（XRD）、阻抗分析仪和振动样品磁强计（VSM）对样品的物相、结构和电磁性能进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5NdxFe2-xO4（x=0．002～0．010）铁氧体的结构和电磁性能。结果表明：Nd^3＋掺杂量z〉0．008时,样品中出现了杂相NdFeO3;随着Nd^3＋掺杂量的增加,晶格常数呈现先增大后不变,而密度、介电常数和介电损耗角正切呈现先增大后减小（z=0．008时出现最大值）,但饱和磁化强度呈现逐渐减小（z=0．010时有最小值71．22emu/g）;并且所有样品的介电损耗角正切均出现峰值,表现异常的介电行为。     

Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁隧道结电磁特性研究

采用磁控溅射技术制备了Ni80Fe20／Al2O3／Ni80Fe20磁性多层膜隧道结样品，并使样品在不同的温度下退火，研究了不同退火条件对样品隧道结磁电阻效应的影响．结果表明，磁电阻值随退火温度发生变化，并在230℃左右达到最大．为提高磁隧道结磁电阻性能提供了新的尝试．     

铁磁性Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的正磁电阻效应

对天然多层膜材料Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物（441K以下为铁磁性）磁电阻和热容进行了测量,结果表明,使用50kOe的外磁场,Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的磁电阻值在45K以下为正,随着温度的降低,磁电阻逐渐增大,最大磁电阻达5．89％。本文对于铁磁体中出现正磁电阻给出了解释。     

La掺杂Ni-Zn铁氧体的结构和电磁性能

采用氧化物法制备La掺杂Ni-Zn铁氧体,样品的相组成成分、微结构和电磁性能分别采用X射线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪和振动样品磁强计(VSM)进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5LaxFe2-xO4(x=0.002～0.010)铁氧体的结构和电磁性能。结果表明:x=0.008和0.010时,样品中有LaFeO3第二相出现;随着La3+掺杂量的增加,晶格常数、微晶尺寸和介电常数均呈现先增大后减小,并且都在x=0.006时出现峰值;电阻率和饱和磁化强度均呈现先减小后增大,且均在x=0.006时出现最小值。除了Ni0.5Zn0.5La0.002Fe1.998O4样品外,其他样品的介电损耗角正切均有峰值出现,表现出异常的介电行为。     

Sm替代对DyMn6Ge6化合物磁性和磁电阻效应的影响

利用X射线衍射和磁化强度测量，研究了Dy1-x，SmxMn6Ge6（x=0．2～1．0）化合物的磁性和输运性质。结果表明：x≤0．4的样品主要由HfFe6Ge6型相构成；0．6≤x≤1．0的样品主要由YCo6Ge6型相构成。样品的点阵常数和单胞体积随着Sm含量的增加而增大，随着Sm含量的增加，样品发生反铁磁-亚铁磁-铁磁性转变。x=0．2，0．4的样品为反铁磁性，其夸尔温度分别为425，430K，并在50K下发生二次磁相转变。x=0．6，0．8，1．0的样品在整个磁有序温度区间，其磁性由亚铁磁过渡为铁磁性，其居里温度分别为445，450，454K。x=0．6的样品在磁场高达5T下的磁电阻曲线上的拐点可能是由于磁场对费米面的影响，也可能是由于磁矩和洛仑兹力对传导电子散射作用之间竞争的结果。     

多晶La0.49 Sr0.51 (Mn1-x Nbx )O3的电输运特性研究

测量了B位掺杂的钙钛矿结构锰氧化物La0．49Sr0．51(Mn1-xNb2)O3(x=0,0.05，0．15和0．25)的电阻率和磁化强度的温度特性．实验结果表明，当Nb^5 部分替代B位的Mn^4 离子时，电阻率-温度特性由原来单一的半导体型转变成了高温时的半导体(绝缘体)型和低温时的类金属型．随Nb掺杂量增大，电阻率迅速升高3～5个数量级，半导体(绝缘体)一类金属转变温度降低．在掺杂Nh的样品中，只观察到顺磁-铁磁转变，而未观察到铁磁一反铁磁转变．上述实验结果的一种可能解释是掺杂改变了磁有序时电子自旋的排列和空间取向，从而改变载流子被自旋热涨落的散射作用和载流子转移的随机性．     

Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20隧道结磁电阻与退火效应的研究

采用磁控溅射技术制备了Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结样品,观测了该隧道结次伏安特性及隧道磁电阻的磁化曲线．研究了中间绝缘层结构和厚度及不同退火条件对隧道结磁电阻效应的影响．结果表明,中间氧化物的厚度对磁电阻值起调节作用,在3～7nm范围内磁电阻基本呈现单调递减现象,是提高磁隧道结性能必须考虑的因素;发现隧道结磁电阻随退火温度升高而增加,并在230℃左右达到最大．