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以1.06μm激光为例,使用PC型HgCdTe探测器,从实验的角度全面给出探测器各种可能的激光响应结果;同时给出响应波段内激光辐照探测器时光、热各自作用及光热综合作用的实验曲线,并结合此结果以清晰直观的图像分析了波段内激光辐照光电探测器时各种响应结果的成因.研究表明:激光辐照过程中,探测器信号响应曲线是光、热综合作用的竞争结果;激光停照后,信号曲线仅反映探测器的热恢复过程;光电导探测器的光响应和热响应随工作温度的变化均存在峰值响应.探测器的工作温度、激光功率密度和辐照时间是影响探测器信号响应曲线行为的关键参数. 相似文献
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激光与PIN光电探测器相互作用的响应度研究 总被引:2,自引:2,他引:0
通过比较短路电流的方法,标定了探测器对He-Ne激光的响应度。用Nd∶YAG激光辐照PIN光电探测器,通过测量激光辐照后探测器对He-Ne激光的短路电流,获得了探测器响应度变化与辐照激光功率密度的关系。从实验数据可知,探测器被功率密度低于7.6×105 W/cm2的Nd∶YAG激光辐照后,不会发生损伤,激光辐照后,探测器对He-Ne激光的响应度不发生改变;当Nd∶YAG激光的功率密度超过9.6×105 W/cm2时,激光辐照后,探测器对He-Ne激光辐照的响应度开始下降,PN结遭到破坏是探测器响应度下降的根本原因,扫描电镜的结果与我们的分析相一致。 相似文献
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文中对多元多光谱红外探测器系统响应波段外激光的辐照效应进行了深入的实验研究并对实验结果进行了分析。以1.06μm激光辐照三元光导型碲镉汞探测器系统的实验为例,说明了系统响应波段外激光辐照效应的实验规律。实验结果发现:探测器对系统响应波段以外的激光仍有响应信号,但响应规律与对波段内激光的响应不同,出现新的现象。研究表明:Ge窗口被激光加热是导致探测器输出信号的根本原因,信号输出曲线由探测器的电阻—温度特性决定。 相似文献
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通过对1. 319μm 连续波激光辐照PV 型HgCdTe 探测器的实验研究,发现当激光辐照
功率密度超过探测器的饱和阈值以后,激光能诱导探测器产生混沌现象,并得出了相应的激光辐照功率密度范围,文中还对试验结果进行了论证与分析。 相似文献
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为了研究激光对CCD探测器的损伤效应,采用有限元分析的方法进行了激光损伤CCD的理论分析和实验验证。阐述了激光辐照CCD探测器的损伤机理,设计了激光辐照CCD探测器热效应的仿真模型,针对波长为532nm的高功率激光辐照硅基CCD探测器而产生的热效应,利用有限元法进行了仿真计算,得到了CCD探测器受到532nm激光辐照时硅电极的温度曲线以及硅电极损伤时间阈值,并相应计算出损伤CCD探测器所需要的激光能量阈值为220mJ/cm2左右。结果表明,损伤阈值随着激光功率密度的增大而减小,但变化幅度不大;当多脉冲毫秒激光辐照CCD探测器,在一个脉冲结束、下一个脉冲到来之前,探测器温度恢复到环境温度。该模型可以较为准确地对单脉冲激光辐照CCD探测器时产生的热损伤效应进行模拟。 相似文献
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激光辐照对长滤HgCdTe光导探测器电学参数的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照,测量辐照前后器件的电阻-温度特征,用电阻-温度特征研究材料参数的方法对实验结果进行拟合,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小。认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化所致。 相似文献
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连续波激光辐照光伏型探测器的光电饱和效应 总被引:3,自引:1,他引:2
从描述载流子输运的基本方程入手 ,建立了描述载流子和电场的动力学方程。利用数值方法 ,得到不同参数激光辐照探测器时的光生电动势 ,以及达到载流子饱和所需的激光阈值强度。 相似文献
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The authors point out that random noise processes induce mode partition fluctuations in semiconductor lasers. Mode partition depends on laser parameters and modulation current. However, external optical feedback can also increase mode partition noise. Here, a numerical solution of multimode noise-driven rate equations with time-delayed terms is utilized to investigate mode partition in semiconductor lasers with reflecting feedback. Photon statistics of the main and side modes in semiconductor lasers under both CW operation and dynamic operation are considered. Probability-density curves for the main and side modes are shown. The feedback-induced change of photon statistics of the main and side modes is clearly seen. Numerical results indicate that, if the laser used is exposed to reflections, a more stringent mode discrimination requirement for suppressing the buildup of laser-cavity longitudinal side modes may result. If mode discrimination is insufficient for avoiding the excitation of side modes, the feedback-induced power penalty depends on the fiber dispersion 相似文献
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For the short-range variations of the external cavity length, the dynamic behaviors of a semiconductor laser with optical feedback are investigated by the numerical simulations and experiments. Under the condition of a single-mode oscillation, the laser output power shows periodic undulation along the external cavity length whose period is equal to half of the optical wavelength. At weak to moderate external optical feedback, stable, periodic, quasi-periodic, and chaotic oscillations of the laser output power are observed within the periodic undulation. Experimental results of periodic and quasi-periodic oscillations obtained by the laser output power and the optical spectrum support the predictions from the numerical analysis based on the rate equations 相似文献