空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响

利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.     

空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响

利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.     

关于高中物理电学实验图像的相关思考

高中物理电学实验是整个高中物理知识的一大重要组成部分,占据了很大一部分比例,而电学实验图像是我们学习物理必不可少的一个重要工具,它为我们理解和巩固物理电学实验提供了便利,是我们应该予以重视的一个重要课题.     

高中物理常见电学实验问题的分析

在高中物理学习中,电学实验占据着相当重要的地位,也是学生学习得难点问题.本文主要根据笔者在学习中的总结阐述了高中物理常见电学实验问题.     

真空退火对碳纳米管电子特性的影响

以Al/Fe为催化剂,使用热CVD法在硅片表面垂直生长碳纳米管.研究了不同温度下,未经高温真空退火的碳纳米管吸附和解吸乙醇蒸汽时,碳纳米管电学特性的变化规律.把碳纳米管在真空下(＜1 Pa)进行高温(150℃)退火,对经过退火的碳纳米管在不同温度下,吸附和解吸乙醇蒸汽后电学特性的变化规律进行研究.实验结果表明,未经高温真空退火的碳纳米管电学特性表现出p型半导体特性,经过高温真空退火后,碳纳米管的电学特性变为n型半导体特性.     

浅谈电学在生活中的应用

在我国经济与社会飞速发展的今天,电力早已深入到我国民众生活、工作、学习的每一个角落,哪怕是作为一名高中生,也能够认识到电力的重要性.在高中的物理学习中,电学是这一学习的重要组成部分,而得益于电学在生活中的广泛应用,我国民众的文化生活水平才得以迅速提高,为此本文就电学在生活中的应用展开了具体研究,希望这一研究能够为电学更好地应用于我们生活中带来一定帮助.     

MOSFET强表面场电学特性分析

本文考虑了横向电场和纵向电场对表面迁移率的影响,分析了强表面电场下MOSFET的电学特性.给出了电导和跨导等分析表达式.对硅VVMOSFET进行了电学特性的测量.实验结果与理论分析符合得很好.     

静电驱动电容式微机械陀螺寄生Coriolis力的建模与分析

在静电驱动电容式微机械陀螺传感器结构的基础上,对寄生Coriolis力进行受力分析,建立了寄生Coriolis力的等效电学模型.比较分析了理想情况下微机械陀螺的等效电学模型以及包含寄生Coriolis力的等效电学模型,结果表明,对于静电驱动电容式微机械陀螺,寄生Coriolis力并不改变有用信号的频率及相位,对其峰峰值的衰减程度小于0.2‰.     

大功率LED参考热阻测试系统研究与分析

介绍了利用电学测试方法测量大功率LED参考热阻的原理和方法.提出了一种新的基于电学测试的参考热阻测试方法--脉冲测量法.该方法在自主研发的系统上得到应用并取得了满意的效果.研究结果表明,该方法在热阻测试方面具有可靠、稳定和精确等特点.     

调整VO2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2薄膜,并对制备出的薄膜进行电子辐照.通过测试辐照前后的VO2薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻温度系数(TCR),表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2薄膜相变过程中电学性能,提高薄膜的电阻温度系数.对影响VO2热致相变薄膜电学性能及电阻温度系数的因素进行了讨论.     

绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析

利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe(SGOI)和Si(SOI)p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍; 其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.     

HfOxNy栅介质薄膜的电学特性

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜，对其电学特性和导电机理进行了研究. 实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能. 研究了薄膜在电场下的漏电机理，发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律，在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.     

HfOxNy栅介质薄膜的电学特性

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.     

HfOxNy栅介质薄膜的电学特性

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.     

集成电路芯片安全隐患检测技术

现代信息产业的基础是集成电路,集成电路的安全性决定了信息产业的安全,在集成电路芯片设计过程中考虑不周全或恶意植入不受使用方控制的程序或电路,是对现代信息产业安全的重大挑战.通过对集成电路芯片中安全漏洞的分析,提出了三种检测芯片安全隐患的方法:物理检测、电学检测和协议检测,认为采用物理检测和电学检测相结合的方式可以比较有效地检测出芯片的安全隐患,并对基于电流变化的电学检测技术进行了详细地论述.     

高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能

垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高.利用Hall、热激电流谱(TSC)、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法(LEC)SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶巾的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.     

半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.     

半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.     

高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能

垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘（SI) GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题. 在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理. 结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高. 利用Hall、热激电流谱（TSC) 、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法（LEC) SI-GaAs单晶样品进行了比较. 原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.     

多普勒计程仪用换能器匹配技术的研究

介绍了多普勒计程仪中使用的压电陶瓷换能器和发射组件之间匹配的重要性,分析了压电陶瓷换能器的电学模型,研究了压电陶瓷换能器的电学匹配方式,给出了多普勒计程仪中发射器与换能器匹配的电路图,并给出了调谐元件所需值的计算公式.通过多次调试匹配后的换能器可工作在最佳工作状态,提高了激励功放的工作效率.